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|  |  | | | | | 驱动变压器的电感量原副边都是约200uH左右。请问为什么感量比较小的时候会出现这个“平顶降落”？
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| | | | | | | | | 手头暂时没有那个公式，我回头找一下给你。
平顶降落（ΔU）与电感量成反比，与脉冲宽度成正比，所以，在脉冲宽度最大时，为了减少平顶降落，要增大电感量。
一般的脉冲变压器的电感量要大于1mH，你可以换一个1mH以上的试试。
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| | |  |  | | | | | | | Droop不就是电感充电过程？ VL= Vin*exp( -t*R/L）。
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| | | | | | | | | | | 一个mH的驱动变压器？ 
我之前用的驱动变压器，感量就在200~300uH左右，一直没有出现这个平顶降落，不过我的图腾柱隔离驱动和这个有些不同
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| | | | | | | | | | | | | 你换了就知道了，不要随便就怀疑别人，这个我有经验。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 不是怀疑，只是没有这样用过而已。另外，感量偏大，不担心动态跟不上吗？
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| | | | | | | | | | | | | 我觉得不是droop的问题，根据你的电路和波形，图腾驱动电压是15V，第一个平台是不应该高于15V的，PWM-A、B是高时，是几伏？以前分析过一个例子，就是这时Q5是反偏的，Q7-be 是导通的，结果电平高过PWM-A的。
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| | | | | | | | | | | | | | | PWM-A/B 为13.6V左右，LLC芯片也是这个+15V供电的。
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| | | | | | | | | | | | | | | 马上仿一下：绿线是图腾柱的输入15V，红线是图腾柱的输出，两者差异是一个diode drop。频率100KHz，Lm=1mH.
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 仿真的那个不叫跌落，是先过充在回落，总的波形面积没有改变。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 您把200uH的和1mH的两个同时仿真一下，对比一下咱们再看看。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 已经有变化趋势了(只是不太明显)，我可能没有强调开关频率，这个降落除了和电感相关，还与频率相关，之前做的都是100K以上的，楼主的是65K，您能否帮忙再仿一下2mH和3mH的。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 见16楼，第一个平台不是Overshoot，是励磁复位电流流向输入时形成的，随着Lm增大，这个电流减小，平台也趋小。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这是我另外一个驱动电路，用的是同一个驱动变压器，只是电路不同了，原边用的集成MOSFET- IRF7309做的图腾柱，副边输出也做了一定的消隐处理调整，得到的波形是这样的，并没有出现这个凹台。
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B高A低的最后时刻，励磁电流Im流向如蓝线，当突转为A高B低时，Im流向不能突变，(部分)只能依红线流动，这时Q7-be导通，C点比A点高出一个0.7V平台，随着Im下降到零，Q7截止，Q5导通，C点由高于A点 0.7V，变为低于A点0.7V。
如果用的是MOS，Im流向如绿线所示，由于Rds很小，平台并不起眼。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 电感续流时，电流走的应该是MOS的体二极管吧，不是Rds。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这时 MOS Q5 不是全开通的吗？ （MOS 的驱动 A,B两点不再是图里这样子的）
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Q5与Q7之间是有死区的，电感电流续流也是发生在死区时间内，不是发生在MOS的开通时刻。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不对。您可以算一下，到底"续流"要多长时间。設 15V Drive, 100KHz, 50% duty，1mH 。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个和续流时间没有关系吧，难道这个“桥式”驱动不需要死区？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 想想Im是咋样的，应该是个 -Im -> +Im -> -Im -> +Im ... 的三角形，由-Im到+Im的时间是半个开关周期，-Im到零是1/4周期，这个1/4周期就是“续流”或说是复位/退磁时间，之后由零到+Im，是励磁电感反向充电时间，也是1/4周期。（这里按 50/50% duty 算）
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 无论是Im到0，还是-lm到0，都是磁复位过程，这个过程很短，且通过二极管返回到电源，这个过程不是1/4个周期，这个过程在死区时间内完成，0到-lm应该叫反向励磁，而不是复位。
以上是我个人的看法。
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| | | | | 凹台跟管压降（diode drop）有关，如果励磁电感或者被驱动的电容够大（2*pi*sqr(Lm*Ciss)>Ts）这个凹台就不会显现出了（平顶降落？）
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| | | | | | | 说凹台，毋宁说是凸台 。觉得有点复杂，是不是2*pi*sqr(Lm*Ciss)>Ts 就不会出现？
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