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未解决

PFC MOSFET开关损耗公式疑问?

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rumenzhe
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LV6
高级工程师
  • 2020-1-10 17:15:44
10问答币
最近在做一个PFC,在核算管子的开关损耗时,在网上看到这个公式:Psw=Fsw*[0.5*Vout*Iinmax*(tr+tf)+0.5*Coss*Vout*Vout],不太明白这个管子的Coss参数,因为管子的Coss是随着母线电压变化的,那么在这个公式里面,Coss指的是在Vout(PFC输出电压)对应下的值吗?谢谢
收藏收藏1
nc965
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版主
  • 2020-1-10 17:46:26
 
大致算算就行了,你以为真能算准确?
rumenzhe
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LV6
高级工程师
  • 2020-1-10 19:55:27
 
是的,我也是想大致算算,心里有个谱就行了,毕竟工程允许有一定偏差的。只是这个公式里面的Coss,在低压以及高压下,变化值太大了,这样0.5*Coss*Vout*Vout的值偏差就不得了。
greendot
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LV12
专家
  • 2020-1-11 13:37:30
  • 倒数10
 
一个近似的等效:Cds.equivalent = 6.7*Cds25/√Vds_peak , Cds25是Vds=25时的值。
例如:Cds25=200p , Vds_peak=500V, Cds.equiv = 60p 。

也有些MOSFET手册会列出对应能量和时间的等效(或有效)容值 。
rumenzhe
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LV6
高级工程师
  • 2020-1-11 15:13:25
  • 倒数9
 
非常感谢!
deep_thought
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LV8
副总工程师
  • 2020-1-12 10:29:37
  • 倒数8
 
这个公式应该是针对连续模式硬开关PFC的计算,MOSFET每次开通都要把Coss上的等同于PFC输出电压对应的能量损耗在MOSFET上,所以用到了1/2*Coss*Vout*Vout。这个情况下Coss就是不变的了。
greendot
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LV12
专家
  • 2020-1-12 21:52:10
  • 倒数7
 
一个小问题:Ec = 1/2 *C*V2 这公式是怎样来的,条件是什么?
nc965
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版主
  • 2020-1-12 22:27:37
  • 倒数6
 
条件是本宇宙黑洞之外的地方成立
greendot
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LV12
专家
  • 2020-1-12 23:07:37
  • 倒数5
 
看来李版不懂我的意思,或是对这公式一知半解。
deep_thought
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LV8
副总工程师
  • 2020-1-16 20:14:52
  • 倒数3
 
标准的电容储能公式。条件是PFC电感连续电流模式MOSFET每个周期硬开通。一般连续模式控制IC都是定频的,所以乘以频率就变成对应损耗了。
greendot
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LV12
专家
最新回复
  • 2020-1-17 10:37:33
  • 倒数1
 
这公式成立的条件是:C 是线性的,可Coss不是,随电压而变的,所以不适用。用了算出来的Ploss会偏小很多。
greendot
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LV12
专家
  • 2020-1-14 17:21:12
  • 倒数4
 
因为Coss不是线性的,用它的终值容量和终值电压算出的Ec=1/2 *C*V2 并不是储存在它的能量。
例子:CoolMOS  IPX65R190CFDA 手册资料,400V时的Coss是40pF (按Table 15),1/2 *40pF*400V2 = 3.2uJ , 但按Table 16 , 储能应该是5.5uJ,等效电容=70pF。
五六电源
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LV8
副总工程师
  • 2020-1-16 20:49:25
  • 倒数2
 
用Coss算出来会超大,因为电压高时Coss是会变小的,并不是个稳定的容量。
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