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| | | | | | | 是的,我也是想大致算算,心里有个谱就行了,毕竟工程允许有一定偏差的。只是这个公式里面的Coss,在低压以及高压下,变化值太大了,这样0.5*Coss*Vout*Vout的值偏差就不得了。
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| | | | | 一个近似的等效:Cds.equivalent = 6.7*Cds25/√Vds_peak , Cds25是Vds=25时的值。
例如:Cds25=200p , Vds_peak=500V, Cds.equiv = 60p 。
也有些MOSFET手册会列出对应能量和时间的等效(或有效)容值 。
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| | | | | 这个公式应该是针对连续模式硬开关PFC的计算,MOSFET每次开通都要把Coss上的等同于PFC输出电压对应的能量损耗在MOSFET上,所以用到了1/2*Coss*Vout*Vout。这个情况下Coss就是不变的了。
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| | | | | | | 一个小问题:Ec = 1/2 *C*V2 这公式是怎样来的,条件是什么?
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| | | | | | | | | 标准的电容储能公式。条件是PFC电感连续电流模式MOSFET每个周期硬开通。一般连续模式控制IC都是定频的,所以乘以频率就变成对应损耗了。
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| | | | | | | | | | | 这公式成立的条件是:C 是线性的,可Coss不是,随电压而变的,所以不适用。用了算出来的Ploss会偏小很多。
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| | | | | 因为Coss不是线性的,用它的终值容量和终值电压算出的Ec=1/2 *C*V2 并不是储存在它的能量。
例子:CoolMOS IPX65R190CFDA 手册资料,400V时的Coss是40pF (按Table 15),1/2 *40pF*400V2 = 3.2uJ , 但按Table 16 , 储能应该是5.5uJ,等效电容=70pF。
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| | | | | 用Coss算出来会超大,因为电压高时Coss是会变小的,并不是个稳定的容量。
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