首先要确定Vo=? CCM,如果Nr1=Nr2=N
主管V1通,D段，那么Vtr2=Vin-N*Vo,Vtr1=N*Vo
辅助管V2通，1-D段，电压方向定成反方向，Vtr1=Vc=Vin*D/(1-D)-N*Vo,Vtr2=N*Vo
可以看到主管应力和辅助管应力与一般的正激有源钳位相同，都为Vds1=Vin/(1-D),Vds2=Vin/(1-D)
Vtr2一周期内的平均值为零，(Vin-N*Vo)*D=N*Vo*(1-D),Vin*D=N*Vo
Vtr1一周期内的平均值为零，N*Vo*D=Vin*D*(1-D)/(1-D)-N*Vo*(1-D)，也同样是N*Vo=Vin*D
结论:Vo=Vin*D/N
如果称正激的二极管为D1,D1的应力是1- D段，VD1=Vo+Vtr1=Vo+Vin*D/(1-D)-N*Vo=Vo+Vo*D/(1-D)=Vo/(1-D)=Vin*D/(1-D)，等同于正激副边整流管的应力
同理，可以推得VD2=Vo+Vtr2(D段）=Vo+(Vin-N*Vo)/N=Vin/N,等同于正激副边续流管应力。
其次，D段，是Tr2的原边作为电感的效果，Tr1的原边是变压器效果，正激过程，类似电感放原边。
1-D段，Tr2反激，存储在Tr2的能量释放到负载，顺便对Tr1也去磁。
注意到这个过程中，Tr1类似变压器设计，而Tr2，类似于反激变压器，或者说类似于电感设计。
1段不用说了
2段，由于主管V1关断，那么通过励磁电感Lr1和励磁电感Lr2和V1的Cds以及其它寄生参数震荡，变压器没有反向，也就是说Vds1还在Vin以下，那么这个电流是同时包含了
励磁电流以及副边折合过来的负载电流Io/N,Vds1上升很快。
3段，变压器过零到负的过程，副边两个二极管经历换流共通时期，副边电流就不折过来了，只有励磁电流通过Lr1+Lr2与Cds谐振，Vds1上升速度变慢，直到Vds1=Vin/(1-D)
4段，V2 可以零电压开了。
5段，类似正激的有源钳位，励磁电流从正到负了。
6段，V2关了，这个时候也类似于正激的有源钳位，Vds1开始下降，往Vin走，但区别来了，正激的有源钳位励磁电流平均值是零的，但这个里面，明显Lr2这个电感，是要在1-D过程中，要往副边传输能量的，它是平均电流是负的，但是注意到钳位容上的平均电流是零的，多出来的就是传到副边的负载电流。注意到加Lr2上的电压，就会发现，它和传统正激的电感完全一样。所以电感量怎么设计，是容易的。但Lr1呢，和Lr2串联来着，通过它的励磁电流也是完全一样，所以，Lr1应该等于Lr2的大小。
相比与传统正激的有源钳位，不同就在于这个时候它的zvs是更容易实现的，因为励磁电流比较大，是负载电流折合来的，而传统正激要满足Imag-的绝对值大于Io/N才能来实现主管的zvs，而这个拓扑，zvs更容易些。当然，V2关与V1通的死区时间要够长，才能做zvs,不管怎么说，都是比传统正激的有源钳位容易实现zvs或者可以让Vds1尽可能的低了。
7段，Vds1从Vin往下震，看看能不能zvs
8段，开V1，又从1开始。
总的来说，Tr1的伏秒是比一般正激要小了，所以可以用小一号变压器，对比明显，一个是Vin*D*Ts,一个是NVo*D*Ts=Vin*D^2*Ts,但加上Tr2就差不多了
这个拓扑类似的还有artesyn的专利拓扑，以及lamda的专利拓扑，lamda的应该已经过期了。
我最近正在做一个一个core的正反激拓扑。用在1-8 brick,150W左右。
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