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不对称半桥软开关反激(混合拓扑)原理

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leoliang
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版主
  • 2020-8-3 11:39:03

反激拓扑广泛应用于中小功率开关电源中,特别是对于宽输入及宽输出范围的USB PD应用。为了提高反激拓扑的转换效率,本贴介绍了一种全输入电压及负载范围内可以实现原边MOSFET零电压开通(ZVS)及副边零电流的控制策略(即不对称半桥反激拓扑),从而提高了转换效率。65W效率可达95+以上


下面先看看工作波形











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能源消耗
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总工程师
  • 2020-8-3 17:07:16
 
板凳坐着等听课

MyloverHlyn
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  • 2020-8-3 17:19:56
 
波形很漂亮!
鸡腿
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副总工程师
  • 2020-8-4 14:47:34
 
这个是新型结构吗,还是一直在研究的结构?
leoliang
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  • 2020-8-11 09:18:21
 
控制方法新型,结构有一段时间了
znz23456
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  • 2020-8-4 12:32:18
 
期待后面的精彩内容...
朝哥ANDY
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初级工程师
  • 2020-8-4 15:14:29
 
不知道能做多大功率,是否能用同步整流
leoliang
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  • 2020-8-4 15:23:16
 
可以使用同步整流,而且不挑SR芯片
BingSun
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总工程师
  • 2020-8-11 00:18:34
 
不挑SR芯片?主要还是看频率要做到多少吧?超过500K估计还是要考虑下的。
BingSun
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总工程师
  • 2020-12-3 11:37:02
  • 倒数8
 
看样子之前理解错了,这种架构对SR芯片要求是很低的。
leoliang
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版主
  • 2020-8-4 15:27:42
 
300W以下没有压力,DC-DC这一级和LLC的效率几乎一样,最少可以达到97.5以上。
leoliang
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  • 2020-8-4 15:25:57
 
该拓扑最大的优点是集成了LLC和反激拓扑的优点,由于有谐振电容参与储能使得变压器的压力减轻很多,变压器的deltaB比ACF小50%,而且高低压的deltaB是一样的。
MyloverHlyn
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副总工程师
  • 2020-8-4 16:58:47
 
版主的公司是不是在开发专用芯片啊;表示找不到芯片来做,DSP/MCU等又不会耍
andywang
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LV8
副总工程师
  • 2020-8-5 15:26:57
 
请问一下,该拓扑可以运用到调光LED DRIVER上吗 ?比较担心是调到最低亮时(比如1%),LED灯会闪。
leoliang
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版主
  • 2020-10-30 11:06:04
 
可以,轻载时把burst mode 关掉就好
bbsinternet
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本网技师
  • 2020-11-4 10:40:21
  • 倒数9
 
请问一下,有相关的主控芯片型号吗?或者说只能用MCU单片机编程来实现?
admin
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管理员
  • 2020-8-5 15:56:22
 
期待更新
zhuangkegui
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  • 2020-8-9 22:10:09
 
期待更新
Coming.Lu
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  • 2020-8-10 08:09:05
 
不对称半桥反激,可以搞一搞,MOS耐压比母线电压高点就行,这个好。
adobepdf
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总工程师
  • 2020-8-10 09:41:11
 
这个图很清晰
xutong
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总工程师
  • 2020-8-10 14:30:22
 
学习了,大师厉害
BingSun
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总工程师
  • 2020-8-11 00:01:50
 
这个电路看起来很有意思,看来有空也好好研究下。
leoliang
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  • 2020-8-11 09:16:12
 


t0t1时刻S1开通,S2关断,励磁电流增大,谐振电容电压Cr增大,两者储存能量,次极二极管因为电压反向无能量传输到次极侧







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Capture.JPG
leoliang
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  • 2020-10-30 10:55:49
 
同样的输出功率,变压器会比ACF小,DeltaB 从90V到264V是一样的,由于谐振电容参与了能量存储


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leoliang
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  • 2020-10-30 11:06:44
 
DCM 波形


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BingSun
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总工程师
  • 2020-12-3 11:38:59
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Vcr = N*Vout !!! 好像又找到了一种原边恒压恒流控制方法。
leoliang
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  • 2020-8-11 09:23:07
 
上管的开通时间Ts1/(Ts1+Ts2)为该电路的占空比,同时Vout=D*Vin/N 因此通过调节占空比得到稳压的输出电压,这种拓扑的设计比ACF和LLC简单,对设计者要求没有那么高。
BingSun
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总工程师
  • 2020-8-11 11:37:20
 
昨天做了个简单仿真,负载变化占空比没什么变化,还有开始我以为Cr需要与L更好的配合才行,但实际Cr比谐振算出来的要大得多。
btclass
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高级工程师
  • 2020-8-14 10:38:24
 
貌似反激有源钳位
BingSun
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总工程师
  • 2020-8-14 12:04:10
 
不一样的,突然发现这玩意还真有些不一样,正在做一个实验板验测试一下。
这种电路不但对SR芯片要求不高,对MOS要求也不高。
btclass
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LV6
高级工程师
  • 2020-8-14 13:25:07
 
仿真了下,的确不一样。电容位置跟有源钳位不一样
leoliang
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版主
  • 2020-8-17 16:09:59
 
110VDC和370VDC输入的占空比


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Capture.JPG
L214235143
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初级工程师
  • 2020-8-19 18:00:40
 
梁sir  这个110V 输入匝比是多少?为什么这个拓扑不需要像反激算反射电压一样求次级整流器的应力?
BingSun
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LV10
总工程师
  • 2020-8-19 22:51:17
 
认真去看输出电流波形。
tornadojie
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高级工程师
  • 2020-10-15 13:30:59
 
用哪家的控制IC?
leoliang
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版主
  • 2020-10-30 10:50:08
 
英飞凌
tornadojie
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高级工程师
  • 2020-11-2 15:36:51
 
MS被申请专利了
MyloverHlyn
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  • 2020-11-3 14:33:28
 
型号是啥?不会是用数字控制器写的吧
BingSun
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总工程师
  • 2020-11-3 18:01:09
 
大多PWM芯片都可以做。
MrPool233
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本网技师
  • 2021-8-4 20:54:57
  • 倒数3
 
英飞凌的那个XDPS2201我看副边开通时间是半个谐振周期而仿真和自己分析出来应该是3/4个谐振周期。有点懵,到底副边是一个正弦还是一个副边去磁电流叠加3/4个谐振周期的电流啊
阿尔法2012
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本网技师
  • 2021-8-5 18:58:46
  • 倒数2
 
这波形看着不错,学习学习
MyloverHlyn
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LV8
副总工程师
  • 2020-8-16 11:49:33
 
发现上下管驱动的死区时间需求有差别;波形是仿真的相同死区时间,下管会有大部分死区时间靠体二极管来导通(上面的曲线,蓝色驱动,绿色VDS)



hy.power
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副总工程师
  • 2020-8-25 09:10:37
 
板凳坐着等听课
Liang7761
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高级工程师
  • 2020-10-4 22:36:37
 
想问一下跟这个一样吗?https://www.taodocs.com/p-99448763.html
chen1098951925
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高级工程师
  • 2020-10-15 11:31:32
 
学习学习
bbsinternet
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本网技师
  • 2020-11-4 10:38:33
  • 倒数10
 
大神你好!这个拓扑,可以用于500W甚至更大功率的充电电源吗?
SZBNDT
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本网技师
  • 2021-5-24 16:28:44
  • 倒数6
 
请教一下:撇开理论,直观理解。如果储能电容C比较大,理论会要求降低频率,以降低高端MOS关断电流 降低损耗;
如果频率不降低、高端MOS关断损耗增加是否明显,也就是说零电压MOS关断时的损耗在 MOS管开关损耗占比是否占主要部分;

另外AHB这种结构在高端MOS开启时变压器储能、底端MOS开启时变压器释放能量同时储能电容C也释放能量,那么能不能这样理解:这种AHB结构是反激+正激的结合体。
这种AHB架构做500W有问题吗?
谢谢答复!
ruohan
  • ruohan
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副总工程师
  • 2021-5-25 10:41:02
  • 倒数5
 
光宝有款适配器就是这个架构,
应该是量产的,效率是蛮高的
SZBNDT
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LV2
本网技师
  • 2021-5-27 06:23:15
  • 倒数4
 
正在考虑做1000W内的开关电源,选架构!AHB不知1kw能否扛住?否则换对称LLC.反激AHB如果谐振电容较大、要求频率较低,如果频率高,MOS关断损耗会增加,但是依然可以实现MOS管ZVS。无论从EMC角度还是MOS管损耗都比硬开关要好,1KW普通反激很难,AHB反激能否有待实验!
kob1981520
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高级工程师
最新回复
  • 2023-9-18 14:38:41
  • 倒数1
 
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