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| | | | | | | | | 不挑SR芯片?主要还是看频率要做到多少吧?超过500K估计还是要考虑下的。
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| | | | | | | | | | | 看样子之前理解错了,这种架构对SR芯片要求是很低的。
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| | | | | | | 300W以下没有压力,DC-DC这一级和LLC的效率几乎一样,最少可以达到97.5以上。
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| | | | | 该拓扑最大的优点是集成了LLC和反激拓扑的优点,由于有谐振电容参与储能使得变压器的压力减轻很多,变压器的deltaB比ACF小50%,而且高低压的deltaB是一样的。
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| | | | | | | 版主的公司是不是在开发专用芯片啊;表示找不到芯片来做,DSP/MCU等又不会耍
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| | | | | | | 请问一下,该拓扑可以运用到调光LED DRIVER上吗 ?比较担心是调到最低亮时(比如1%),LED灯会闪。
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| | | | | | | 请问一下,有相关的主控芯片型号吗?或者说只能用MCU单片机编程来实现?
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| | | | | 不对称半桥反激,可以搞一搞,MOS耐压比母线电压高点就行,这个好。
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| | | | | | | 同样的输出功率,变压器会比ACF小,DeltaB 从90V到264V是一样的,由于谐振电容参与了能量存储
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| | | | | | | | | Vcr = N*Vout !!! 好像又找到了一种原边恒压恒流控制方法。
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| | | | | 上管的开通时间Ts1/(Ts1+Ts2)为该电路的占空比,同时Vout=D*Vin/N 因此通过调节占空比得到稳压的输出电压,这种拓扑的设计比ACF和LLC简单,对设计者要求没有那么高。
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| | | | | | | 昨天做了个简单仿真,负载变化占空比没什么变化,还有开始我以为Cr需要与L更好的配合才行,但实际Cr比谐振算出来的要大得多。
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| | | | | | | | | | | 不一样的,突然发现这玩意还真有些不一样,正在做一个实验板验测试一下。
这种电路不但对SR芯片要求不高,对MOS要求也不高。
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| | | | | | | | | 梁sir 这个110V 输入匝比是多少?为什么这个拓扑不需要像反激算反射电压一样求次级整流器的应力?
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| | | | | 发现上下管驱动的死区时间需求有差别;波形是仿真的相同死区时间,下管会有大部分死区时间靠体二极管来导通(上面的曲线,蓝色驱动,绿色VDS)
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| | | | | 大神你好!这个拓扑,可以用于500W甚至更大功率的充电电源吗? |
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| | | | | 请教一下:撇开理论,直观理解。如果储能电容C比较大,理论会要求降低频率,以降低高端MOS关断电流 降低损耗;
如果频率不降低、高端MOS关断损耗增加是否明显,也就是说零电压MOS关断时的损耗在 MOS管开关损耗占比是否占主要部分;
另外AHB这种结构在高端MOS开启时变压器储能、底端MOS开启时变压器释放能量同时储能电容C也释放能量,那么能不能这样理解:这种AHB结构是反激+正激的结合体。
这种AHB架构做500W有问题吗?
谢谢答复!
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| | | | | | | 光宝有款适配器就是这个架构,
应该是量产的,效率是蛮高的
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| | | | | | | | | 正在考虑做1000W内的开关电源,选架构!AHB不知1kw能否扛住?否则换对称LLC.反激AHB如果谐振电容较大、要求频率较低,如果频率高,MOS关断损耗会增加,但是依然可以实现MOS管ZVS。无论从EMC角度还是MOS管损耗都比硬开关要好,1KW普通反激很难,AHB反激能否有待实验!
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