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已解决

求教一些性能好的高压mos

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HIT_FS
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  • 2020-8-25 20:21:34
10问答币
双向buck-boost拓扑,开关频率100k,Vds700到500之间,电流不小于30A。之前用过一些英飞凌的coolmos,二极管特性太差(14A的电流,100a/us的下降速率,反向恢复时间足足400ns),尖峰压不下去,而且寄生二极管的压降还比较小0.9V,找不到压降比这个更小的快管并联。
后来,在buck模式下,上管用coolmos,尝试将下管换成了带快速二极管的igbt,二极管关断时的尖峰下降了很多,满足了要求。这么看来布局应该没问题。
最近几天看了许多型号的高压mos,但是二极管的反向回复时间已经电流都不理,和英飞凌的那款差不太多。
故,求教各位大神,有没有知道一些特性好的mos,或者有没有其他方法解决这种mos二极管反向恢复特性差造成关断尖峰的办法。


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放弃所有的什么cool mos,直接SIC mos。 任何cool 在这种电压下,试都不要试了,尖峰没有那是假的。除非你搞一堆无源器件弄软开关。
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Evan_xie
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  • 2020-8-26 14:57:39
 
http://mosfet.way-on.cn/goods/52.html 国产维安的 coolmos可以尝试一下。
xkw1cn
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  • 2020-8-26 22:11:17
 
英飞凌为不同应用,弄了十几个系列。其中至少有两种专为双向DCDC的超快软恢复二极管。
你选对了吗?
xkw1cn
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版主
  • 2020-8-26 22:22:15
 
05年老品快二极管的,100A/uS IF=IS时的恢复时间仅150nS。
现在高端货更快。

SPP20N60CFD_Rev.2.3.pdf

1.13 MB, 下载次数: 6, 下载积分: 财富 -2

HIT_FS
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  • 2020-8-26 23:10:13
 
最初上、下关用的已经是英飞凌的cfd系列的,宣是快恢复;我也试过几款100a/us ,trr=170ns的,Id=50a
,尖峰还是很大。
我之前用的下管的igbt的diode,在1000A/us时的trr也才一百多ns,尖峰很小。但是在si材质的mos里,我确实没有找到更好的。今天看了您的建议,看来还是我的布局不够好。非常感谢。

非常感谢
HIT_FS
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  • 2020-8-26 23:19:04
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ps:英飞凌的cfd系列的价格都赶上便宜的sic了。。。。。
BingSun
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总工程师
  • 2020-8-26 23:28:09
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英飞凌P7是不错的,价格也便宜。国产NCE也非常不错的。
Coming.Lu
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  • 2020-8-27 08:04:33
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SIC MOS。
Q403920015
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  • 2020-8-27 14:46:58
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这个能符合吗?





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  • 2020-8-27 15:18:55
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这是多少a的管子(150度的时候)
BingSun
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总工程师
  • 2020-8-28 23:28:25
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楼主好!是否减小电感,让电感电流能有过零,这样零电压开关是不是就可以解决这样问题?
HIT_FS
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高级工程师
  • 2020-9-5 17:42:06
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谢谢你的回复,DCM的确可以解决反向回复尖峰的问题,但电流应力会增大,滤波容值增大;综合考虑的话,比较难说
Q403920015
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副总工程师
  • 2020-8-31 12:04:54
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100度28.2A
具体看下规格书

TPW65R090MFD.pdf (454.88 KB, 下载次数: 2)

lizlk
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版主
  • 2020-9-6 14:36:05
  • 倒数2
 
放弃所有的什么cool mos,直接SIC mos。
任何cool 在这种电压下,试都不要试了,尖峰没有那是假的。除非你搞一堆无源器件弄软开关。
Q403920015
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  • 2020-9-10 17:17:22
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SiC MOS 我有   60mR的 650V
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