 |  | xkw1cn- 积分：131441
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积分:131441 版主 | | | 用多大死区，其实真问不得别人。
死区是电路的要求与你的设计水平共同叠加的产物。
对于硅MOSFET，最低用10nS死区也不为过。4uS也是合理区间。
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| | | | | 你的Si管半桥工作频率是多少？GaN的工作频率是多少？频率高了磁材如何选？
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|  |  | | | | | 对于MOS管关断时间可能也就50ns，那么100ns安全吗？
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| | | | | | | | | 开通、关断、死区时间，以实测为准，开、关都快些，死区就可以小些，具体多少没有禁忌，只要不上下管不同时导通就行。[PS: 一些电路在开始调试时，因器件参数不合适，甚至有很短的共通时间，也不一定炸机，因为时间太短，管子能承受。不过最终还是要避免。]
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| | | | xkw1cn- 积分：131441
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积分:131441 版主 | | | | | 别可能。一旦可能就是高概率的两面性。必然有炸可能。
一切要经理论和实测。
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| | | | | 死区的设置是要综合考虑 还得看驱动电路延时是否一致 GaN的话50ns都是可以的
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| | | | | 我目前做过最高频率6.78MHz，用的是EPC的Gan，死区我设定7ns
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| | | | | GaN图腾柱PFC，开关频率70kHz，死区55ns
换成SiC死区稍微加大一点，77ns
只要不搞3-5级驱动级联，100ns完全足够
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| | | | | | | 有个疑问，GaN工作在70KHZ有什么优势，为何如此低的频率还选GaN，有点大材小用？据了解在反激设计中只有fs>200KHZ，用GaN替代cool mosfet的效率才高个1-3%。fs<150KHZ则无明显差异。
所以请帮忙解惑。
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| | | | | | | | | Gan的优势是没有Qrr以及低Qg，所以高频才能显示它的优势，频率越低优势自然下降，硬是说我认为只有Qg低在电压越高时切换比MOS快，以上个人意见
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| | | | | | | | | 图腾柱PFC硬开关的话Qrr+Qoss太大了玩不转
400V母线，Qrr+Qoss=50nC，100nC和1.2uC，Eon+Eoff的区别就是10uJ，20uJ和240uJ的区别
乘以70kHz，开关损耗就是0.7W，1.4W和16.8W的区别
目前任何超结Si管都没办法搞硬开关图腾柱PFC，不合适，还没有带整流桥的传统PFC效率高
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| | | | | | | | | 你的看应用场合和功率等级 那些几M的都是手机充电器这种小功率等级的，你要是做个汽车充电器，当然只能做到几十k
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| | | | | 还是看看电路实际需要多少吧。
如果死区可调的话，那可以看实际波形微调，并注意余量。
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