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GaN快充的芯片也是GaN材料吗?还是只是把MOS换了

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czp8936647
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LV3
助理工程师
  • 2020-11-8 23:30:01
10问答币
一直有个疑问,GaN快充IC芯片也是GaN材料吗?还是只是MOS管换成GaN,开关电源的频率不是由IC控制吗?为什么换成GaN,频率就高了?

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控制的逻辑IC还是硅材料的,只是功率MOS换成了GaN,逻辑IC高频条件下损耗低,常见的基于硅材料的CPU都可以到GHz,但是作为功率器件的硅MOS,由于PN结电容,电子迁移率等等限制,硬开关切换的时间较长,损耗较大,不适合在高频条件下工作,换成平面型的GaN HEMT,明显减少了寄生电容,可以在高频条件下取得较低的硬开关损耗,所以适合高频开关。 ...
leiz
  • leiz
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LV8
副总工程师
  • 2020-11-9 09:13:23
  • 倒数4
 
开关频率是IC设定的,但是要看期间在这个高频下的损耗情况;  GAN为什么能做高频,是因为它本身的特性:
  • 更低的驱动损耗

  • 更低的米勒效应/更低的开关损耗

  • 更小的死区时间

  • 更小的反向恢复时间



谢开源
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LV8
副总工程师
  • 2020-11-10 09:33:14
  • 倒数3
 
如果工作频率<500KHZ,那么很多PWM IC都能满足。不满足的是GaN的驱动电压只有6V吧?
zhuliu09
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LV8
副总工程师
  • 2020-11-10 13:39:01
  • 倒数2
 
控制的逻辑IC还是硅材料的,只是功率MOS换成了GaN,逻辑IC高频条件下损耗低,常见的基于硅材料的CPU都可以到GHz,但是作为功率器件的硅MOS,由于PN结电容,电子迁移率等等限制,硬开关切换的时间较长,损耗较大,不适合在高频条件下工作,换成平面型的GaN HEMT,明显减少了寄生电容,可以在高频条件下取得较低的硬开关损耗,所以适合高频开关。
czp8936647
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LV3
助理工程师
最新回复
  • 2020-11-15 23:08:27
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谢谢大家
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