GaN快充的芯片也是GaN材料吗？还是只是把MOS换了-综合电源技术-世纪电源网社区

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2020-11-8 23:30:01

10问答币

一直有个疑问，GaN快充IC芯片也是GaN材料吗？还是只是MOS管换成GaN，开关电源的频率不是由IC控制吗?为什么换成GaN，频率就高了？

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zhuliu09

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控制的逻辑IC还是硅材料的，只是功率MOS换成了GaN，逻辑IC高频条件下损耗低，常见的基于硅材料的CPU都可以到GHz，但是作为功率器件的硅MOS，由于PN结电容，电子迁移率等等限制，硬开关切换的时间较长，损耗较大，不适合在高频条件下工作，换成平面型的GaN HEMT，明显减少了寄生电容，可以在高频条件下取得较低的硬开关损耗，所以适合高频开关。 ...

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		2 leiz leiz 离线 LV8 副总工程师积分：3373 \| 主题：38 \| 帖子：543 访问空间发消息积分:3373 LV8 副总工程师 2020-11-9 09:13:23 倒数4
		开关频率是IC设定的，但是要看期间在这个高频下的损耗情况； GAN为什么能做高频，是因为它本身的特性：更低的驱动损耗更低的米勒效应/更低的开关损耗更小的死区时间更小的反向恢复时间回复 \| 举报 \|

		3 谢开源谢开源离线 LV10 总工程师积分：11754 \| 主题：81 \| 帖子：2933 访问空间发消息积分:11754 LV10 总工程师 2020-11-10 09:33:14 倒数3
		如果工作频率<500KHZ，那么很多PWM IC都能满足。不满足的是GaN的驱动电压只有6V吧？回复 \| 举报 \|

		4 zhuliu09 zhuliu09 离线 LV8 副总工程师积分：4283 \| 主题：0 \| 帖子：849 访问空间发消息积分:4283 LV8 副总工程师 2020-11-10 13:39:01 倒数2
		控制的逻辑IC还是硅材料的，只是功率MOS换成了GaN，逻辑IC高频条件下损耗低，常见的基于硅材料的CPU都可以到GHz，但是作为功率器件的硅MOS，由于PN结电容，电子迁移率等等限制，硬开关切换的时间较长，损耗较大，不适合在高频条件下工作，换成平面型的GaN HEMT，明显减少了寄生电容，可以在高频条件下取得较低的硬开关损耗，所以适合高频开关。回复 \| 举报 \|

		5 czp8936647 czp8936647 离线 LV6 高级工程师积分：410 \| 主题：7 \| 帖子：24 访问空间发消息积分:410 LV6 高级工程师最新回复 2020-11-15 23:08:27 倒数1
		谢谢大家回复 \| 举报 \|

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