IGBT 频繁烧毁，表面无现象，但是3脚全通-综合电源技术-世纪电源网社区

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2020-11-11 15:51:09

10问答币

使用IGBT用做电子开关，需要放电时，导通IGBT，放电结束就关闭IGBT。目前经常出现IGBT被烧毁的情况出现。但是把IGBT拆下来看表面没有任何异常，就是但是用通断档量三个引脚，有时是CE两脚通，有时是GCE三脚全通。IGBT是安森美（ON）的，耐压是1200V，常温下电流能达到25A，但设备工作时电流只有12A左右。感觉不是过压烧毁的，但是又不知道怎么解决。

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电路图

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nc965

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电路有点问题： 1、C37C38不宜那样接，快速开通时，上面的高压储能能量足以烧坏IGBT。 2、钳位不当，负载有感性成分（或者引线太长）时，快速关断时都可能引发高压击穿IGBT 解决办法： 1、首先找到km+与km-之间的滤波电容，你没画出来，但一定有的，如果有几个，找出容量最大那个，以它的位置布置你的电路 2、如果它的位置较远，不方便你布置电路，那你需要找一个同样的电容C1就近布局 3、现有电路拿掉C37、C38、D214、增加一个普 ...

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2020-11-11 16:55:31

听说IGBT要负压关断，你要用双电源才可靠。或改用MOSFET

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			10 zzzzyong zzzzyong 离线 LV4 初级工程师积分：327 \| 主题：5 \| 帖子：58 访问空间发消息积分:327 LV4 初级工程师 2020-11-12 18:28:17
			嗯嗯，负压关断会好，后续改版就用双电源，我目前是想能不能在现有的基础上优化一下回复 \| 举报 \|

wangdongchun

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2020-11-11 21:42:31

首先是栅极电阻过大阻值改为50欧以下最为关键的是igbt元件的关断需要负压才行参考一下变频器的驱动电路就一目了然了

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		4 nc965 nc965 离线 LV7 版主积分：93850 \| 主题：115 \| 帖子：27405 访问空间发消息积分:93850 版主 2020-11-12 10:39:21
		电路有点问题： 1、C37C38不宜那样接，快速开通时，上面的高压储能能量足以烧坏IGBT。 2、钳位不当，负载有感性成分（或者引线太长）时，快速关断时都可能引发高压击穿IGBT 解决办法： 1、首先找到km+与km-之间的滤波电容，你没画出来，但一定有的，如果有几个，找出容量最大那个，以它的位置布置你的电路 2、如果它的位置较远，不方便你布置电路，那你需要找一个同样的电容C1就近布局 3、现有电路拿掉C37、C38、D214、增加一个普通二极管（比如A10），与IGBT、C1三个元件形成最小回路 12.png (221.84 KB, 下载次数: 150) 下载附件 2020-11-12 11:14 上传回复 \| 举报 \|

			6 zzzzyong zzzzyong 离线 LV4 初级工程师积分：327 \| 主题：5 \| 帖子：58 访问空间发消息积分:327 LV4 初级工程师 2020-11-12 12:44:20
			版主，您好，KM+和KM-有一些滤波电容和电感，但是在另一块板上，离的比较不算近，我看了下里面最大容量的是470uF/450V,这个电容体积太大了。其次，负载是一条长方体的PTC，都是引线连接固定的。不好加C1和二极管（A10），所以之前是在IGBT上加保护。也有考虑改用负压关断的，但目前是想能不能在现有的基础上修改。主要设备运行时都是过大电流的，一些元器件和端子都比较大。回复 \| 举报 \|

			7 zzzzyong zzzzyong 离线 LV4 初级工程师积分：327 \| 主题：5 \| 帖子：58 访问空间发消息积分:327 LV4 初级工程师 2020-11-12 14:43:23
			版主，想请教个问题，增加D1我能理解，加C1 形成一个小回路，是有什么作用呢？C1的取值有推荐范围吗？回复 \| 举报 \|

				8 nc965 nc965 离线 LV7 版主积分：93850 \| 主题：115 \| 帖子：27405 访问空间发消息积分:93850 版主 2020-11-12 17:37:32
				就在让你拆掉三个元件的位置上布置二极管和电容即可，电容耐压与另一板相同450V，容量由体积决定，能放下多大是多大。回复 \| 举报 \|

				9 zzzzyong zzzzyong 离线 LV4 初级工程师积分：327 \| 主题：5 \| 帖子：58 访问空间发消息积分:327 LV4 初级工程师 2020-11-12 18:25:42
				版主，那您改后的图，是不是增加的那个二极管右端多连了一条线回复 \| 举报 \|

					11 nc965 nc965 离线 LV7 版主积分：93850 \| 主题：115 \| 帖子：27405 访问空间发消息积分:93850 版主 2020-11-12 18:28:42
					你记着C1是KM+母线电容就行了回复 \| 举报 \|

		5 xyxfox xyxfox 离线 LV3 助理工程师积分：218 \| 主题：0 \| 帖子：4 访问空间发消息积分:218 LV3 助理工程师 2020-11-12 10:51:51
		没有采用负压关断，有可能导致IGBT无法关掉。回复 \| 举报 \|

		12 qiao-xl98 qiao-xl98 离线 LV4 初级工程师积分：367 \| 主题：1 \| 帖子：13 访问空间发消息积分:367 LV4 初级工程师 2020-11-12 19:34:24
		这电路，IGBT没有吸收电路，盈利尖峰大吗？回复 \| 举报 \|

		13 ZHIYIyunmeng163 ZHIYIyunmeng163 离线 LV8 副总工程师积分：3573 \| 主题：10 \| 帖子：433 访问空间发消息积分:3573 LV8 副总工程师 2020-11-12 23:18:40
		驱动增加一级三极管图腾才行，你这个驱动关闭时候无法形成放电回路，还有12A持续电流使用25A IGBT是不可靠的。至少的40-60A级导通压降1.9V左右，12A 发热功率20多瓦，需要很大散热片或者较大散热片风冷才行回复 \| 举报 \|

			14 zzzzyong zzzzyong 离线 LV4 初级工程师积分：327 \| 主题：5 \| 帖子：58 访问空间发消息积分:327 LV4 初级工程师 2020-11-13 08:30:52
			嗯嗯，工作时有强力的风扇和很大的散热器。目前经过很多次10小时的工作都没出现过热烧毁的情况出现。您说的图腾式是两个对管（三极管）组合的推挽电路吗？回复 \| 举报 \|

		15 sdera sdera 离线 LV6 高级工程师积分：647 \| 主题：1 \| 帖子：7 访问空间发消息积分:647 LV6 高级工程师 2020-11-13 10:53:58
		我理解IGBT损坏原因是不是在IGBT导通时，C37,C38储能释放，IGBT导通时低阻抗导致过流损坏。可以对C37或者C38飞线，量测导通时是否有电流尖峰。回复 \| 举报 \|

			16 lushangchuan lushangchuan 离线 LV2 本网技师积分：134 \| 主题：0 \| 帖子：2 访问空间发消息积分:134 LV2 本网技师 2020-11-17 21:48:36
			看分析，基本可以确认是过流损坏。1200V的IGBT，比较少过压，除非你的电压达到1000V以上了。负载是PTC，放电后负载过电流，电阻变大，IGBT不会过流，所以过流应该是开通瞬间造成的。驱动电阻大了一些，刚开始放电时，IGBT没完全导通，PTC阻值又是最小，这时电流最大，管子热量瞬间散不出去，马上就烧。至于IGBT上的2个电容，开通瞬间，负载是给电容充电的，此时对IGBT过流影响不大。IGBT完全导通后，电容电压钳位为IGBT的导通压降。所以关断的时候电容压降很小。我觉得也问题不大。我们用MOS的时候也会并谐振电容。建议：驱动电阻修改带24Ω。驱动能加个图腾柱最好。IGBT和散热片之间如果有绝缘片，选材质好点的。同等价格的绝缘片有时候管芯温度能差20多℃。更好的撒热方案是铝散热片和管子之间加一层铜箔，导热速度快。回复 \| 举报 \|

		17 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131441 \| 主题：37517 \| 帖子：55633 访问空间发消息积分:131441 版主 2020-11-17 22:16:53
		这个电路参数选择这型号IGBT就是错误。换成IKW25T120就没事了。回复 \| 举报 \|

			20 zzzzyong zzzzyong 离线 LV4 初级工程师积分：327 \| 主题：5 \| 帖子：58 访问空间发消息积分:327 LV4 初级工程师 2020-11-19 10:05:16 倒数9
			版本，您好，能不能跟我解释一下选型那里出错了回复 \| 举报 \|

				21 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131441 \| 主题：37517 \| 帖子：55633 访问空间发消息积分:131441 版主 2020-11-19 20:40:22 倒数8
				你的电路决定了用料种类。特别强调下；先前的IGBT并非过压损坏。回复 \| 举报 \|

					22 btclass btclass 离线 LV6 高级工程师积分：1648 \| 主题：7 \| 帖子：423 访问空间发消息积分:1648 LV6 高级工程师 2020-11-20 12:01:32 倒数7
					意思是选有背二极管的IGBT？回复 \| 举报 \|

						23 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131441 \| 主题：37517 \| 帖子：55633 访问空间发消息积分:131441 版主 2020-11-20 22:52:00 倒数6
						不是。回复 \| 举报 \|

		18 Johncx Johncx 离线 LV6 高级工程师积分：593 \| 主题：0 \| 帖子：15 访问空间发消息积分:593 LV6 高级工程师 2020-11-18 04:53:06
		IGBT的输入回路能量储存没有及时释放，引起控制端击穿，负压关断等也是为了将输入能量释放，并且器件走线不能太长，寄生电容和电感多了容易自激回复 \| 举报 \|

		19 btclass btclass 离线 LV6 高级工程师积分：1648 \| 主题：7 \| 帖子：423 访问空间发消息积分:1648 LV6 高级工程师 2020-11-18 11:10:45 倒数10
		我觉得是过压击穿。IGBT都是驱动感性负载，DI/DT值不大，加点吸收就不会有大的电压尖峰。楼主是带的其它负载，一定会有很大的di/dt ，往往是IGBT失效的主因。解决问题就是减小di/dt,让IGBT开断慢下去。加大R66即可。改成200R以上，甚至更大，然后再R71并上103电容。回复 \| 举报 \|

			26 chen603186 chen603186 离线 LV6 高级工程师积分：707 \| 主题：30 \| 帖子：80 访问空间发消息积分:707 LV6 高级工程师 2020-12-8 10:46:36 倒数3
			您好，我也遇到相同问题，正尝试加大驱动电阻回复 \| 举报 \|

		24 chen603186 chen603186 离线 LV6 高级工程师积分：707 \| 主题：30 \| 帖子：80 访问空间发消息积分:707 LV6 高级工程师 2020-12-7 19:40:52 倒数5
		楼主最终怎么解决的，求解释，我也遇到相同问题，只是我用的是IGBT模块，关机的时候IGBT击穿，DS直通了回复 \| 举报 \|

		25 chen603186 chen603186 离线 LV6 高级工程师积分：707 \| 主题：30 \| 帖子：80 访问空间发消息积分:707 LV6 高级工程师 2020-12-8 10:45:17 倒数4
		楼主，怎么解决，有没有可能是关断VCE电压过高，导致IGBT雪崩击穿回复 \| 举报 \|

		27 liyonghui liyonghui 离线 LV2 本网技师积分：163 \| 主题：0 \| 帖子：9 访问空间发消息积分:163 LV2 本网技师 2021-1-4 23:09:55 倒数2
		最后有没有找出问题？回复 \| 举报 \|

		28 Allen_Sh Allen_Sh 离线 LV8 副总工程师积分：3497 \| 主题：301 \| 帖子：852 访问空间发消息积分:3497 LV8 副总工程师最新回复 2021-1-5 12:57:53 倒数1
		1. 负载到IGBT的寄生感抗需要考虑，在负载接个续流二极管。2.最好更换IGBT为MOSFET 回复 \| 举报 \|