三极管与MOS 的区别 就是前者是电流驱动（以导通电流来衡量管子导通状态）， 后者是电压驱动（结电容电压来衡量管子导通状态），
对三极管来说，通常用“偏置” 语句： 偏 指的是控制基极-发射极的 导通电流， 置 设置值 。而基极到发射极的偏置电流是无法自身限制，类似二极管压降，
根据这个三极管特性，在三极管前需要串限流电阻，限制驱动电流（偏置电流超过三极管极限值就会击穿）， 偏置电流 * 放大倍数= 管子的导通电流。
因此 ：在设计单元三极管电路时 ，依照管子规格书提供的参数，就可以计算出导通电流和偏置电阻的值， 基极电压不会随偏置电阻的大小而变化， 物理值固定在约0.7V的电压。这是无法改变的。 偏置电流的大小与导通电流的大小呈 近似正比线性特征（放大区）。
对MOS来说： 控制栅极（G）-漏极（S），呈电容特性，几乎无偏流特征。当G极电荷排列聚集到一定值时，管子就会导通。 因此MOS的GS结电容充电到约1V电压时，管子就能导通， 所以认为是电压驱动。
根据MOS的这个特性， G极前串一只较小限流电阻，一方面防止结电容充电冲击（RC时间常数关系）引起上升沿上升幅度不平稳（弥勒点掉落）。 另一方面可以把控上升沿的开通的速度，和结电容电荷释放的关闭速度。
因此： 在设计MOS管单元电路时， 同样需要串一只电阻。
注意：不管是三极管或MOS管，都需要一只BE, GS的阻抗电阻提高阻抗。
关于LZ的描述问题是正常情况。2个图在逻辑上都是错误。 应用上需要是满足设计的理论要求， 注重系统电路的直流工作点电位关系和逻辑关系。以免出错。
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