| | | | | 因为你说的:Vgs=电源电压+自举电容电压,这个不成立
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| | | | | | | 我说错了,我更正一下哈。
Vg(对地) = 电源电压+自举电容电压
MOS驱动都有这个自举的,不知道为什么IGBT的没有这个。参考的10KW原理图是《TIDA-01606_GateDriver_SCH.pdf》和《TIDA-01606_PowerCard_SCH》(已经上传)
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| | | | | | | | | Vg(对地) = 电源电压+自举电容电压,这话哪来的?还是不成立!
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| | | | | | | | | | | | | 只能说某个时段比电源电压高,另外的时段不是这样,IGBT驱动也是如此,没有区别,否则上管不能导通。
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| | YTDFWANGWEI- 积分:109919
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积分:109919 版主 | | | |
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| | | | | | | 自举好理解,他举还真没听说过,版主能不能多指点几句
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109919
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积分:109919 版主 最新回复 | | | | | 自举就是利用自身的供电电源产生高端驱动电压,他举就是有额外的隔离电源,产生驱动需要的电压。
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| | | | | 你得了解什么是自举,然后自举的目的是干嘛,现在有隔离电源供电了,自举就是多此一举。
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