目前测试的是上图的拓扑,下MOS受到MCU控制,同时开关,不管输入AC的相位,只调节PWM占空比。 MCU可以测到 :输入AC的电压波形、HV的电压、AC输入的电流
电压外环,电流内环,PWM频率20KHz 电压外环已经关闭,先只测试 内环电流环,内环控制周频率 6KHz (每秒计算控制6000次,每个电压周期控制100次)
发现如下问题:轻载时,大致可以达到提高PF值的效果(见下图) 下图AC输入 110VAC 60Hz,HV串接 2 个 230V200W 白炽灯负载 把HV升压到266V,测得输入的 PF = 0.96
(上图 黄色为输入电压波形,蓝色为输入电流波形)
加大负载:HV串接 2 个 110V200W 白炽灯负载 把HV升压到170V,测得输入的 PF = 0.71
上图 黄色为输入电压波形,蓝色为输入电流波形)
负载的轻重严重影响效果,不知道是哪里的问题,请教一下 控制算法问题? 电流采样点不对?现在是随机采样电流,也就是采电流时,有可能电感在充电,有可能在续流 不该测输入电流?要测电感电流? PI控制器参数不对? 电流传感器有延迟? HV电容大小不合适? 升压电感饱和?
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再请教下,电流的采样是不是应该在MOS开启期间采,采电感电流 那么应该在哪个瞬间采呢?上升沿后立即采,还是下降沿之前,还是高电平中间呢,(见上图) 或是其他某些时刻呢
多谢多谢
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