SiC器件短路检测电路如何分析？

这里向广大工程师朋友请教一个关于SiC器件检测电路问题，电路图1如下：

图1中D11是雪崩二极管，阴极接在SiC器件漏极。R44、U13、R48和R50构成参考点位产生电路，为比较器U12提供一个参考电压，该参考电压分别接到比较器的反向输入端（参考点压的值通过R48和R50来调节，详细资料可以参考TL431 datasheet），根据图中参数计算U12A反向输入端电压约为3V。
当U12A同相输入端电压大于反相输入端参考电压，输出U12A输出为高电平（接近5V），二极管D12导通，三极管Q9导通，Q7门极电压为5V，Q7开通。R46和C46构成低通滤波器，U12B同相输入端电压为高电平，大于反相端输入电压，U12B输出端输出高电平，由数字隔离器将产生故障信号送入控制器。
还请各位热心工程师朋友解惑。