1700V碳化硅MOS（国产碳化硅MOS）实现驱动门极电压为+12V-工业模块电源/电力电源-世纪电源网社区

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2022-5-10 09:31:34

SiC‐MOSFET 是一种易于驱动、驱动功率较少的常闭型电压驱动型的开关器件。基本的驱动方法和IGBT以及Si‐MOSFET 一样。推荐的驱动门极电压，ON侧时为+18V左右（ ASC5N1700MT3实现驱动门极电压ON 侧时为+12V ），OFF侧时为0V。在要求高抗干扰性和快速开关的情况下，也可以施加‐3～‐5V 左右的负电压。

碳化硅MOS（SiC MOSFET）特性.zip (4.46 MB, 下载次数: 8) 碳化硅MOS（SiC MOSFET）特性

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		2 QLH2021 QLH2021 离线 LV6 高级工程师积分：849 \| 主题：0 \| 帖子：95 访问空间发消息积分:849 LV6 高级工程师 2022-5-10 13:02:36 倒数7
		1700V的国产碳化硅MOS :ASC5N1700MT3实现驱动门极电压为+12V： ASC5N1700MT3.pdf (1.1 MB, 下载次数: 8) 2022-5-10 12:54 上传点击文件名下载附件 ASC5N1700MT3碳化硅MOS 下载积分: 财富 -2 QQ图片20220510130125.png (263.31 KB, 下载次数: 43) 下载附件国产碳化硅MOS模块选型 2022-5-10 13:01 上传回复 \| 举报 \|

			3 stevenqian stevenqian 离线 LV8 副总工程师积分：6768 \| 主题：42 \| 帖子：466 访问空间发消息积分:6768 LV8 副总工程师 2022-5-13 17:08:34 倒数6
			SiC MOSFET单管的并联均流特性及1 200V 产品参数分散性对并联均流的影响：碳化硅 MOS单管的并联均流特性及1 200V 产品参数分散性对并联均流的影响.pdf.pdf (3.75 MB, 下载次数: 6) 2022-5-13 17:08 上传点击文件名下载附件 SiC MOSFET单管的并联均流特性及1 200V 产品参数分散性对并联均流的影响下载积分: 财富 -2 全桥LLC 分立电感变压器计算全桥LLC 分立电感变压器计算.pdf (1.53 MB, 下载次数: 5) 2022-7-8 10:25 上传点击文件名下载附件全桥LLC 分立电感变压器计算下载积分: 财富 -2 车载OBC及开关电源等高效应用方面采用图腾柱无桥PFC取代传统的PFC或交错并联PFC 车载OBC及开关电源等高效应用方面采用图腾柱无桥PFC取代传统的PFC或交错并联PFC.pdf.pdf (4.99 MB, 下载次数: 5) 2022-7-8 10:26 上传点击文件名下载附件 PFC技术下载积分: 财富 -2 基于SiC器件的单相三电平 AC-DC变换器基于SiC器件的单相三电平 AC-DC变换器.pdf (3.05 MB, 下载次数: 7) 2022-7-8 10:27 上传点击文件名下载附件基于SiC器件的单相三电平 AC-DC变换器下载积分: 财富 -2 回复 \| 举报 \|

				4 stevenqian stevenqian 离线 LV8 副总工程师积分：6768 \| 主题：42 \| 帖子：466 访问空间发消息积分:6768 LV8 副总工程师 2022-5-17 08:38:34 倒数5
				QQ图片20220517083346.png (193.29 KB, 下载次数: 44) 下载附件 SIC模块 2022-5-17 08:36 上传 QQ图片20220517083307.png (67.3 KB, 下载次数: 45) 下载附件国产碳化硅MOS 2022-5-17 08:37 上传 MOSFET（TO-247-4封装）可以进一步降低器件损耗，提升系统EMI 表现回复 \| 举报 \|

					5 QLH2021 QLH2021 离线 LV6 高级工程师积分：849 \| 主题：0 \| 帖子：95 访问空间发消息积分:849 LV6 高级工程师 2022-5-21 11:41:51 倒数4
					SiC MOSFET单管的并联均流特性及1 200V 产品参数分散性对并联均流的影响资料很好回复 \| 举报 \|

						6 stevenqian stevenqian 离线 LV8 副总工程师积分：6768 \| 主题：42 \| 帖子：466 访问空间发消息积分:6768 LV8 副总工程师 2022-7-8 10:27:46 倒数3
						欢迎交流碳化硅MOS管技术回复 \| 举报 \|

							7 stevenqian stevenqian 离线 LV8 副总工程师积分：6768 \| 主题：42 \| 帖子：466 访问空间发消息积分:6768 LV8 副总工程师 2023-11-22 15:51:13 倒数2
							第三代半导体(大功率电力电子SiC芯片)碳化硅MOS管与 SiC Module功率模块的批量生产，通过AEC-Q101和AQG324认证。回复 \| 举报 \|

								8 stevenqian stevenqian 离线 LV8 副总工程师积分：6768 \| 主题：42 \| 帖子：466 访问空间发消息积分:6768 LV8 副总工程师最新回复 2024-4-15 17:25:35 倒数1
								SiC MOSFET栅极驱动原理图 SiC MOSFET栅极驱动原理图2024.pdf (3.54 MB, 下载次数: 0) 2024-4-15 17:25 上传点击文件名下载附件下载积分: 财富 -2 回复 \| 举报 \|