 |  | | | | Vl和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl不应该超过Vh。
Q1 和Q2 组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3 和Q4 不会同时导通。
R2 和R3 提供了PWM电压基准，通过改变这个基准，可以让电路工作在PWM信号波形比较陡直的位置。
Q3 和Q4 用来提供驱动电流，由于导通的时候， Q3 和Q4 相对Vh和GND最低都只有一个Vce的压降，这个压降通常只有 0.3V左右，大大低于 0.7V的Vce。
R5 和R6 是反馈电阻，用于对gate电压进行采样，采样后的电压通过Q5 对Q1 和Q2 的基极产生一个强烈的负反馈，从而把gate电压限制在一个有限的数值。这个数值可以通过R5 和R6 来调节。
最后， R1 提供了对Q3 和Q4 的基极电流限制， R4 提供了对MOS管的gate电流限制，也就是Q3 和Q4 的Ice的限制。必要的时候可以在R4 上面并联加速电容。
这个电路提供了如下的特性：
1，用低端电压和PWM驱动高端MOS管。
2，用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。
3， gate电压的峰值限制
4，输入和输出的电流限制
5，通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。
6， PWM信号反相。 NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。
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|  |  | | | | | 有哪里没看明白的可以在后面跟帖提问，其中我觉得这个反置图腾柱比较巧妙，电路工作在PWM信号波形比较陡直的位置这个没看懂什么意思，大概就是调节驱动电压到比较合适的位置吧，R5 和R6反馈电阻具体是怎么控制Gate电压的感觉没有那么简单，不会震荡什么的吗？加速电容是什么意思？PWM信号反相是什么意思？
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| | | | | | | 1、估计驱动最重要的参数，沿不行，没有提高dv/dt的机制，也就是图腾柱管的饱和深度不足的问题
2、没有安全机制，容易米勒能量损毁
3、PWM信号0~2V能否启动？
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| | | | | | | | | | | 这电路脱离实际想当然，上电试机会烧三极管，不要问我为什么 
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| | | | | | | | | | | | | 因为你之前做过，那究竟是什么原因烧三极管呢、无非就是过压过流了，要是能分析出为什么过压过流岂不是解决了？
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