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| | | | | | | 好的!谢谢关注 ,在GOOGLE上搜索:AN-9607,我传不上啊,半天才78%不动了,若没搜索到,我明天再传 |
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| | | | | 个人理解:
二极管正向导通,结电容被充电;当二极管加反向电压时,结电容先放电。因为电路有内阻,所以如果反向电压很低的话,放电电流就很小,如果工作频率比较高的话,结电容没有足够的时间放电,所以就会出现反向导通的现象,从而导致MOS管失效。 |
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| | | | | 二极管和一般开关的不同在于,“开”与“关”由所加电压的极性决定, 而且“开”态有微小的压降 V f,“关”态有微小的电流i0。当电压由正向变为反向时, 电流并不立刻成为(- i0) , 而是在一段时间 ts 内, 反向电流始终很大, 二极管并不关断。经过 ts后, 反向电流才逐渐变小, 再经过 tf 时间, 二极管的电流才成为(- i0) , ts 称为储存时间, tf 称为下降时间。 tr= ts+ tf 称为反向恢复时间, 以上过程称为反向恢复过程。这实际上是由电荷存储效应引起的, 反向恢复时间就是存储电荷耗尽所需要的时间。该过程使二极管不能在快速连续脉冲下当做开关使用。如果反向脉冲的持续时间比 tr 短, 则二极管在正、反向都可导通, 起不到开关作用。
具体见下图“
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| | | | | | | 看一下厂家给出的数据,高压二极管有时我们用内阻的大小来判断,当然这个只是参考,芯片大了内阻就低。用晶体管图示仪可能测得准些。 |
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| | | | xkw1cn- 积分:131441
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- 帖子:55633
积分:131441 版主 | | | | | 传统工艺二极管恢复速度;可以用内阻做参考。
主要原因是传统高压二极管;在PN结间做有本真区。该区越厚;相对恢复速度越快。而二极管的相对压降也越大。 |
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| | | | | | | 5楼已经介绍了pn结(不同于肖特基二极管,原理不一样)二极管反向恢复时间的定义和物理原因.
所以楼主第一个问题,低反向电压的确会造成反向恢复时间比较长. 原因:在正向电压不变的前提下,即电荷储存效应总的储存电荷是决定于正向电压的,正向电压不变时即储存电荷总量一定.反向时,需要把这部分储存电荷泄放掉(反向电荷抽取),反向电流就是泄放这部分电荷引起的..注意,这部分电荷是非平衡少子,反向饱和电流是正比于少子浓度的.所以反向电压越大,即反向电场越大,那么泄放相同电荷的时间必然会更小. |
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| | | | xkw1cn- 积分:131441
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积分:131441 版主 | | | | | 5楼是反向恢复特性图。总恢复电荷量和正向电流及PN结温度有关。
这里讨论的不是PN结的电压调制变容特性;而是反向恢复特性。 |
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| | | | | | | 请教一下,对于在ts时间段内,应该是反向电压的瞬时时间,反向电流产生,通过UF曲线,PN结依然是正偏的。这个总是有些难以理解清楚。此时反向电压加在N端,肯定是比P端电压高,PN结怎么能是正偏的?
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| | xkw1cn- 积分:131441
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积分:131441 版主 | | | 不知是翻译原因还是作者没有表达清楚意思。
这段文字描述还算有些实验根据;引用理论却充满了混乱及错误的论述。
LLC里;ZVS范围是相当宽的,即便用功率三极管做开关;用普通二极管做续流,从空载到满载都可以达到软开关目的。
而所谓MOSFET的失效完全来自不适当的控制策略及低级的驱动方式。从第二个驱动脉冲起,LLC的MOSFET完全可以做到ZVS——无论是空载、满载甚至是短路! |
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| | | | | | | 文章讲的LLC在启动时候体二极管会流过反向电流,反向时间比较长是因为这个时候体二极管的反向电压比较低.所以说容易导致上下管直痛问题,这是文章的意思. |
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| | | | | | | 你好,我下载过你的这个pdf,我最近也在研究二极管反向恢复的问题。
我看到您并未将波形中谐振的部分算入反向恢复时间内,请问有一句吗 |
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| | | | | | | | | 谐振电路的特点就是二极管反向恢复电流的变化率一般比较小,比如10A/uS,远远小于硬开关情况下的电流变化率。在使用DI-100测试多个功率二极管后,发现恢复di/dt的大小非常重要,di/dt越大,对应的反向恢复电荷越多;di/dt越小,对应的反向恢复电荷越小;这个和公众想当然认为恢复电荷是一个常数的经验相违背的。 |
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| | | | | | | | | | | 你这里意思是说:di/dt越大,Trr会变长,也就是通过的信号频率变高了,Trr会增加!是这个意思吗?
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