| | | | | 目前实际测试同步整流BUCK电路参数如下,上下MOS管均使用的是BSC520N15NS3G,上下管的开通和关断电阻都是1Ω,目前是通过实际量测下管的Rcs电阻上的电压波形(示波器探头勾测上正下负)来计算反向恢复损耗的。
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| | | | | | | 实际输入24V,输出15V,2.7A,测试得到Rcs(电阻值为15mΩ)两端电压波形如下图所示:
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| | | | | | | | | 根据上述测试波形得到Qrr=54ns*(0.37V/Rcs)/4=0.333uC;根据反向恢复损耗计算公式得到:Qrr*310KHz*24V=2.47W
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| | | | | | | | | | | 根据规格书得到,该MOS在规格书的工况下Qrr也才为226nC,比我实际测试得到的Qrr要小。
而且上述测试得到的损耗明显与实际不符合,我实际效率在93%左右,这个反相恢复损耗几乎占了我损耗的全部,怎么也不可能。而且实际测量上下管MOS也没有那么热。
那么是我哪儿测量错误导致这个错误的结果呢?实际改怎么测量反相恢复电流带来的损耗呢?
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| | | | | | | | | | | | | 大家都怎么测量这个反向恢复的损耗的呢?我这测量的结果明显比实际偏大,问题是出在哪一块呢?
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| | | | | | | | | | | | | | | 我觉得是主要可能是di/dt不同,datasheet里面的定义是100A/us情况下的,而您的波形上看,约为1300A/us,比100A/us高很多。因为di/dt大,少子复合的比例变小,所以测得的Qrr比较大。
您的核心目标是计算损耗对吧,我觉得通过Qrr计算可能会有困难,尤其是开关回路杂散参数较显著的情况下。您用的计算公式Qrr*Vin*fsw并不合适,因为Vin在此反向恢复过程中也在变化。
我的建议是: 同时测量下管电压及电流(精细到开和关的过程,导通损耗另外计算),取示波器数据而不是图片,直接用 电压电流乘积的积分来计算损耗。在此之前,请注意矫正探头时间差。 |
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| | xkw1cn- 积分:131448
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积分:131448 版主 | | | |
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| | | | | | | 反向恢复这种只能通过双脉冲测试吗?实际测试为什么数据不对呢?
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| | | | xkw1cn- 积分:131448
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积分:131448 版主 | | | | | 实测;有很多不确定性。
比如;实时结温,实际电路受环境和冷却方式影响,并不确定。
而双脉冲却有足够可重复性,为设计层面;设置必要数据库。
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| | | | | | | | | | | 了解了,但是是为什么我目前实际测试的数据比规格书还要大很多。按照效率来计算的话,实测数据也明显偏大很多?
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| | | | | | xkw1cn- 积分:131448
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积分:131448 版主 | | | | | | | 在测试条件相当条件下,应该差异不大。
如果测试值分散性很大;距数据表数据差异很多,建议问下原厂。
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| | | | | | | | | | | 基于上面网友提到的器件分散性问题,楼主可尝试多测几个就可以确认了
如果是因为di/dt过高的原因,那么您调低上管开启速度,使didt与规格书接近,就能看到有没有影响了
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| | | | | | | | | | | | | 了解了,我来改变di/dt看看反相恢复损耗可有差异
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 测试了,与di/dt有关。di/dt对这个影响挺大的
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