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未解决

EG1165控制 带载时会击穿芯片

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  • 2023-6-7 20:37:54
10问答币
采用EG1165控制芯片做了一板不对称半桥反激变换器,只有恒压控制,输出42v,满载2A
现在遇到的问题:空载情况下恒压输出正常42V,但是带载0.2A时,芯片10(下MOS管的驱动)、11(下MOS管地)号脚就会被击穿,,,,请圈内的大佬们帮忙看看
样机原理图:

EG1165引脚描述、内部结构、电气参数



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ruohan
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  • 2023-6-8 08:06:09
 
EG1165是推挽输出的吧,怎么能做到上下管驱动互补的呢,
还有你烧下管驱动,是不是VCC电压造成的,给VCC上串个10R的电阻试试
WWK
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  • 2023-6-8 17:56:05
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它带载会击穿会不会和你说的这个推挽输出有关系呢
WWK
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  • 2023-6-8 17:59:35
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它空载时,上下两管开通的时间差不多,带载后有了明显的长短差距,这就导致下管驱动被击穿,我占空比设计的上管0.45,
PROKTV_LGJ
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LV6
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  • 2023-6-20 13:57:07
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我也在测试这个eg1165  做第一块样品非常顺利 42V 10A的半桥电源 带数字功放的  后面做第二块样品就麻烦啦 累次损坏芯片 外围没任何损坏 ,到目前为止 找官方技术也没处理好 官方回复就是布局问题 还有驱动电阻太小问题 反正没有解决 第二块跟第一块的材料线路板都是一样的 这才是最头疼的事
WWK
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  • 2023-6-21 13:32:02
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我是用它做的不对称半桥,我考虑它会不会是不好做不对称占空比的您做的半桥是采用的什么控制方式啊,PWM还是PFM?
ljh5618
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LV8
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  • 2023-6-21 15:14:46
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选开关管很重要!要选Trr快的!140ns左右比较好。我用EG1163S也是烧了很多IC,后来选Trr快的就没烧IC了。
WWK
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  • 2023-6-26 18:47:08
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好的,我现在用的MOS管的TRR的确时间长,有425ns,我更换之后看看是否和您遇到的情况一样
WWK
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  • 2023-6-26 19:25:55
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反向恢复时间140NS左右的管子好像不多,请问您当时用的是哪个型号的MOS管啊
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高级工程师
  • 2023-6-29 09:39:18
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我将驱动电阻从10欧姆增加到33欧姆后,芯片就不会被击穿了,虽然是解决了,但具体的原因目前还不清楚。有遇到类似问题的,还请大家给指点指点
steelen
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LV2
本网技师
  • 2024-1-31 14:30:18
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我也打算用这个芯片做个 双12v  4A电源,前辈觉得坑大不大?
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最新回复
  • 2024-4-7 10:36:47
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双路恒压12V的问题不大,恒流我调试的还有些问题
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