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未解决

碳化硅驱动走线要求

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linxisi
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LV4
初级工程师
  • 2023-7-16 22:20:50
10问答币
请教一下各位大神;
半桥电路用的是SIC MOS;
SIC厂家的建议是驱动走线环路面积要尽可能地小,以及驱动走线下层应该铺个地平面层;
想请教一下;上管的驱动走线下层可以铺一个地平面吗;毕竟上管的地是跳动的;
ti驱动芯片的资料建议如果高侧开关使用栅极驱动器,且COM引脚与交换节点相连,则不建议使用接地平面
还有驱动串扰怎么解决;下管开通和关断干扰到上管的驱动;上管驱动负压因为干扰超规格书要求;超了2V会不会有风险;




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nc965
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版主
最新回复
  • 2023-7-17 10:18:09
  • 倒数1
 
不是地平面,而是GS的S平面,把G包在其中,如果四面都包,就相当于屏蔽电缆,且无论上管下管,无论碳化硅与否,都需要
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