| | | | | 这个可以,但不是你说那个原因,而是因为反向恢复电流是由PFC快恢复(不是由体)二极管在决定,而且与情况正常不正常无关
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| | xkw1cn- 积分:131448
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积分:131448 版主 | | | |
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| | | | | | | PFC的MOS外部并接一个快恢复二极管?现在很少这么做了吧?
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| | | | xkw1cn- 积分:131448
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积分:131448 版主 | | | | | MOSFET自有二极管,无需外并。
IGBT单管需要并。
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| | | | | 你是说的PFC升压MOS的体二极管吧,
这个体二极管在什么工作状况下会导通。在导通期间再突然加上一个反向偏压,这时候就存在反向恢复的问题。如果没有这种情况发生,慢和快的MOS其实是一样的。
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| | | | | | | MOS的体二极管不不存在这个工况呀?感觉到任何时候这个体二极管都不存在导通的情况。无论是MOS开还是关的时候
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| | | | | 正常PFC MOS可以不用内置快恢管的。现在内置快恢管的MOS价格也很便宜了
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| | | | | 不存在反向电流,哪来的反向恢复?还能选慢的trr,是给IGBT配菜吗?
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| | | | | | | 是的,PFC的体内二极管正常工况下任何时候都不存在P到N的电流(即MOS关闭的时候S流到D的电流),所以根本就不存在发生反向恢复这一说法
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| | | | | | | | | 当然存在,PFC二极管反向恢复电流,同时流过体二极管,可能还是整个拓扑里(至少di/dt是)最大的
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| | | | | | | | | | | 所谓二极管的反向恢复,应该说是先发生正向P--N导通电流后,然后突然反向施加一个反向N--P的电压,才叫发生反向恢复吧?
现在这个MOS的体二极管,根本不存在前提条件正向P--N导通电流呀?何来反向恢复?不知道这样理解对不对
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| | | | | | | | | | | | | 现在这个MOS的体二极管没有,现在那个二极管有,你的PFC没有二极管?
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| | | | | | | | | | | | | | | PFC那个输出的二极管有,这个地方存在反向恢复是正常的。我上面一直指的是PFC的MOS管体内二极管,可能我没有说清楚
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 这个地方存在反向恢复是正常地流过那个地方的体二极管,2楼就说清楚了
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 实测毛刺可能更大,几乎天天都有人提问,这毛刺是个啥?
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| | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131448
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积分:131448 版主 最新回复 | | | | | | | | | | | 这种问题;实际上是分布LC过渡过程导致的。PCB理想状态;没问题,分布参数一旦介入,二极管是有导通的。
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| | | | | 图腾柱PFC,死区时间内体二极管是走电流的,对管一开,是有反向恢复条件的
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| | | | | | | 嗯,是的。
特别是CCM工作的时候,非常恶劣。
所以一概SIC,管他什么恢复,贴主应该是说有桥的主开关的反向恢复损耗,其实把续流二极管改成SIC,管他什么主开关的反向恢复,一概不要考虑了。
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| | | | | boost拓扑的管子是接地的,普通用法不会出现负电位,除非你ZVS或双向传输(逆向拓扑正好是个buck)。
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| | | | | BOOST结构的PFC电路,MOS的寄生体二极管没有续流工作的状态,也就没有反向恢复问题,这种结构的PFC中,只有那颗续流二极管再CCM模式下有反向恢复问题,所以CCM模式下,需要使用SIC二极管。
至于totem-PFC电路,MOS是需要考虑反向恢复问题的。
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