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|  |  | | | | | 那请教版主，半桥的话，占空比基本都是95%以上（算两个mos的驱动），那是一三象限，可全桥是正向反向导通为什么还是一三象限呢？那这样半桥和全桥的磁芯利用率岂不是一样的？ |
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| |  |  | | | | | | “第几象限”、“磁芯利用率”，那只是一种说法，不必较真
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| | | | | | | | | 那请教版主，半桥的话，占空比基本都是95%以上（算两个mos的驱动），那是一三象限，可全桥是正向反向导通为什么还是一三象限呢？那这样半桥和全桥的磁芯利用率岂不是一样的？
+++++++++++++++++++++++++++全桥。半桥磁通密度：正半周期，从负峰磁通密度到正峰磁通密度摆动;
负半周，正峰磁通密度到负峰磁通密度摆动。
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| | | | | | | | | | | “磁通密度”有确切的含义，“磁芯利用率”只是一种说法，没有确切的含义，不要混为一谈。
如果像2楼那样，用（能量传递）时间给“磁芯利用率”定性，则全桥与半桥是一样的。
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| | | | | | | | | | | | | 我一直是这样理解的，不知道对不对，请版主解惑；
假如半桥变压器是的▲B取0.2，半桥▲B就是0-0.2变化；那全桥因为存在正向和反向，那就是▲B就是-0.2到0.2，相当于0.4了，所以在同等频率下全桥的变压器可以比半桥要小
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| | | | | | | | | | | | | | |  无论半桥、全桥、推挽拓扑，在正半周期，磁摆幅从负峰值摆动到正峰值，在负半周期， 磁摆幅从正峰值摆动到负峰值。
也就是说，同一副磁芯，无论半桥、全桥、推挽拓扑，输出功率是相同的。
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