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| | xkw1cn- 积分:131466
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积分:131466 版主 | | | D-S外并个!
这个电容有两重左右,零电压开关和过电压吸收。考虑不同取值有很大差异。 |
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| | xkw1cn- 积分:131466
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积分:131466 版主 | | | 如果初次尝试;建议1000PF/100W水平配置。这个容值包括D-S寄生电容在内! |
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| | | | | | | PFC 400V后,准谐振反激,MOSFET选800V,反射电压顶多取250V左右,损耗还是很大啊,楼上还有好的建议,多谢! |
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| | | | xkw1cn- 积分:131466
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积分:131466 版主 | | | | | |
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| | | | | | | | | | | 400V +350V=750V,再有漏感因素引起的尖峰。
MOSFET还要留一定余量,远超出800V。
900V管子常见只有9N90,电流不够。
求解?求最佳折中办法。 |
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| | | | | | xkw1cn- 积分:131466
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积分:131466 版主 | | | | | | | 对于MOSFET由于它的D-S是允许击穿的,50V余量足以!谐振电容有助削减过压。RCD等吸收可以将过压保证到安全范围内。
9N90至少可以做到300W水平。你要做多大电源? |
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| | | | | | | | | | | | | | | 哈哈,刚才没思考就发言,搞错了。
150W LED,温度比较高,管子降额使用,9N90应该可以,多谢! |
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| | | | | | | 谢谢,
我用的是英飞凌的ice2qr4765 做15w(VOUT=24v)DATASHEET中给的内置mosfet的参数如下 工作在QR模式频率为40k---50k,按照上面的4.7pF,计算谐振频率1/(2*3.14*SQRT(Lp*Cds)),频率太高了,
正在调整。。。
不知能否给点意见
Datasheet_ICE2QR4765_v21_20100205.pdf |
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| | | | | | | | | mosfet D-S试过外加电容么?
一般会加:47pF或100pF/1KV |
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