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图腾柱PFC用MOS管取代二极管真的可以提高效率吗？

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y475199448y

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2023-10-17 15:23:42

以4000W开关电源为例，母线电压设为380V，输入220V，那么电流大概是20A，现在管子Rdson大概在30mΩ左右，那么压降也有20A*0.03Ω=0.6V，是哪里出问题了？

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		2 nc965 nc965 在线 LV7 版主积分：93895 \| 主题：115 \| 帖子：27416 访问空间发消息积分:93895 版主 2023-10-17 20:33:21
		MOS不行，要GaN才行回复 \| 举报 \|

			5 y475199448y y475199448y 离线 LV8 副总工程师积分：6588 \| 主题：193 \| 帖子：1201 访问空间发消息积分:6588 LV8 副总工程师 2023-10-18 15:44:38
			那同步整流呢？也必须用GAN？75A输出，用30mΩ管子压降达到了2.25V，二二极管才0.7V？回复 \| 举报 \|

				6 nc965 nc965 在线 LV7 版主积分：93895 \| 主题：115 \| 帖子：27416 访问空间发消息积分:93895 版主 2023-10-18 16:12:23
				图腾柱PFC就是同步整流，它的关键词是无桥（而不是同步整流），它优化的是硅整流桥2串二极管超过1%的效率损失。之所以GaN（IGBT\SiC）才行，是因为MOS体二极管反向恢复不行（对应超过2%效率损失），所以用MOS做图腾柱PFC就是找虐。非要用MOS做无桥PFC也行，得用维也纳拓扑（而不是图腾柱）回复 \| 举报 \|

					7 y475199448y y475199448y 离线 LV8 副总工程师积分：6588 \| 主题：193 \| 帖子：1201 访问空间发消息积分:6588 LV8 副总工程师 2023-10-18 18:35:51
					MOS管用CRM或者DCM不行吗？非得用CCM？回复 \| 举报 \|

					13 lizlk lizlk 离线 LV7 版主积分：6637 \| 主题：15 \| 帖子：1065 访问空间发消息积分:6637 版主 2023-11-27 10:27:45 倒数9
					他要是说的是工频桥臂的那2个MOS呢？那个在50HZ开关，你觉得会虐吗? 回复 \| 举报 \|

					14 lizlk lizlk 离线 LV7 版主积分：6637 \| 主题：15 \| 帖子：1065 访问空间发消息积分:6637 版主 2023-11-27 10:29:43 倒数8
					不过主开关用MOS，CCM下确实反向恢复损耗很可观。目前有个最好的办法。就是用IGBT复合SIC二极管的管子，性价比很高，可以解决这种问题。至少优于纯MOS方式。回复 \| 举报 \|

		3 bake_ql bake_ql 离线 LV8 副总工程师积分：7372 \| 主题：5 \| 帖子：828 访问空间发消息积分:7372 LV8 副总工程师 2023-10-17 21:48:30
		你的0.6V压降那里来的，看到即使600V的整流桥最好的也有0.8V以上，就算0.8V，平均电流200.90.8=14.4W 按照MOS， 202030m=12W仍然有2W多； BTW相对4000W 功率，一块30m的电阻偏大；回复 \| 举报 \|

			4 y475199448y y475199448y 离线 LV8 副总工程师积分：6588 \| 主题：193 \| 帖子：1201 访问空间发消息积分:6588 LV8 副总工程师 2023-10-18 15:43:18
			这样算下来省不了多少，比如同步整流输出75A那么压降达到了2.25V，不知道哪里算的有问题回复 \| 举报 \|

				10 zhenxiang zhenxiang 离线 LV8 副总工程师积分：2928 \| 主题：16 \| 帖子：701 访问空间发消息积分:2928 LV8 副总工程师 2023-11-25 18:51:16
				75A输出的电压也是400V的高压吗回复 \| 举报 \|

					11 y475199448y y475199448y 离线 LV8 副总工程师积分：6588 \| 主题：193 \| 帖子：1201 访问空间发消息积分:6588 LV8 副总工程师 2023-11-26 14:24:47
					只有48V，但是压降算出来不比二极管低回复 \| 举报 \|

		8 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131441 \| 主题：37517 \| 帖子：55633 访问空间发消息积分:131441 版主 2023-10-18 20:47:48
		就压降损耗而言；小电流段压降非常低，大电流走二极管；损耗也没大。核心问题是；MOS体二极管恢复很慢，频率高了，开关损耗可能超过压降损耗节除部分。回复 \| 举报 \|

			9 y475199448y y475199448y 离线 LV8 副总工程师积分：6588 \| 主题：193 \| 帖子：1201 访问空间发消息积分:6588 LV8 副总工程师 2023-11-18 14:45:54
			大电流也要走MOS管啊，体二极管是反向并联的，走不了正向电流回复 \| 举报 \|

		12 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131441 \| 主题：37517 \| 帖子：55633 访问空间发消息积分:131441 版主 2023-11-26 23:09:20 倒数10
		仅二极管；损耗包括压降损耗和开关损耗，用MOSFET替换二极管；氮化镓和碳化硅FET可能有效果。回复 \| 举报 \|

			15 y475199448y y475199448y 离线 LV8 副总工程师积分：6588 \| 主题：193 \| 帖子：1201 访问空间发消息积分:6588 LV8 副总工程师 2023-11-28 15:29:19 倒数7
			仅考虑用于二极管功能的慢管替代，二极管压降0.7V，MOS的Rdson*电流差不多也是0.7V，还没算开关损耗，所以真的可以提高效率吗？回复 \| 举报 \|

				16 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131441 \| 主题：37517 \| 帖子：55633 访问空间发消息积分:131441 版主 2023-11-28 22:42:30 倒数6
				就算压降，仔细算算回复 \| 举报 \|

					17 y475199448y y475199448y 离线 LV8 副总工程师积分：6588 \| 主题：193 \| 帖子：1201 访问空间发消息积分:6588 LV8 副总工程师 2023-11-29 12:13:53 倒数5
					以4000W开关电源为例，输入220V，那么电流大概是20A，现在好的管子Rdson大概在30mΩ左右，那么压降也有20A*0.03Ω=0.6V 回复 \| 举报 \|

						18 lizlk lizlk 离线 LV7 版主积分：6637 \| 主题：15 \| 帖子：1065 访问空间发消息积分:6637 版主 2023-11-30 15:44:35 倒数4
						你不要算了，越算越可怕的，哈哈。你不会觉得整流桥的压降真的是0.7V，我可以告诉你，在这种电流下，整流桥的压降超过1V以上都是很正常的。回复 \| 举报 \|

							19 y475199448y y475199448y 离线 LV8 副总工程师积分：6588 \| 主题：193 \| 帖子：1201 访问空间发消息积分:6588 LV8 副总工程师 2023-11-30 18:18:36 倒数3
							为什么会超过1V呢？课本上不都是说的0.7V吗？难道实际压降也和电流大小有关？回复 \| 举报 \|

								20 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131441 \| 主题：37517 \| 帖子：55633 访问空间发消息积分:131441 版主 2023-11-30 21:41:19 倒数2
								数据还得看数据表；0.7V是小电流管典型压降。回复 \| 举报 \|

									21 y475199448y y475199448y 离线 LV8 副总工程师积分：6588 \| 主题：193 \| 帖子：1201 访问空间发消息积分:6588 LV8 副总工程师最新回复 2023-12-1 09:37:52 倒数1
									明白，谢谢大神！回复 \| 举报 \|

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