全桥拓扑 前期MOS管发热严重烧毁 求助

设计了一个如图所示的全桥电路，

电路输入的直流用的是24V开关电源，工作频率为100KHZ，驱动是让SG3525A工作在开环状态产生的，然后再通过俩片IR2110从而驱动



，变压器是自己缠的变压器，



，变压器磁芯用的是铁基纳米非晶的磁环，100KHZ AL大概为14.85uh，初次极匝数为2：6，MOS管的参数是100V，10A，目标是让其能输出72V，0.6A的电压，由于做这个的目的是达到一个高电压的隔离度，比方说20KV（通过磁环来完成），所以次级没有反馈，想着是开环工作，通过次级再加稳压芯片去完成稳压，变压器只是起到一个传递能量加隔离的作用。然后再实际工作中，空载情况还可以，负载情况下，是用的电子负载进行调试的。

两次调试经历：

第一次，负载电流设定为0.1A，输出此时稳定在72V，经过几秒后，将负载上升至0.5A，一瞬间MOS发热严重炸裂

第二次，负载电流设定在0.1A，输出此时稳定在72V，经过10多秒后，MOS管冒烟，烧毁

想请教一下，这个问题出在了哪里。