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| | | | | 提几个问题:
1.为什么说功率管能承受的功率是由Rjc决定的呢?应该和PCB的布板散热有关,和外界风速有关吧;
2.较快的切换可以改善关断损耗倒是真的,为什么说可以改善EMI呢?越快的切换不是噪声更大吗?EMI应该更差才对吧;
3.Canpak封装有什么好处呢?是不是mos本身的散热片在露在外面容易再加散热片 |
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| | | | | | | 简单的回复你的问题:
1. 你说的是外部改善条件。管子本身的散热很重要,也就是先天条件。功能不全,吃再多的补药并不能长久
2.你应该说的是di/dt或dv/dt, 没错,di/dt或dv/dt大了EMIl会变差。但文中的理解切换不是指你理解的di/dt或dv/dt
3. Canpak是得到DirectFET授权的封装,管脚兼容的。这封装的好处在于寄生参数少,热阻小,当然,对生产工艺要求高
好久没专研技术,欢迎交流 |
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| | | | | | | | | 楼上高人啊,我也再来补充一下英飞凌MOSFET几种常见封装对比
SuperSO8封装
最佳化的封装设计,达到高功率密度系统设计要求;小型化封装
低封装电阻
低封装电感
S3O8封装
最高功率密度封装
CanPAK
双层散热封装,易于散热;提高系统效率;功率晶体管的高速切换及高频操作;易于并联使用;极低之封装电感值;极低之封装电阻值;极佳的优质化系数表现
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| | | | | | | | | | | 多谢楼主的分享 网上关于optimos的信息很少 特别是经验分享更少 |
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| | | | | | | | | | | 哈哈 学习了 很多时候经验也比较重要 具体应用具体分析吧。 |
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| | | | | | | 1、在同等外界散热条件下,结-基板的热阻Rjc就直接决定管子所能承受的最大功率及平均功率;
2、这个不能简单的说是di/dt或dv/dt,而是内部分布参数决定了其切换速度及损耗,损耗的功率越小对外界的辐射强度也就相应减小了;
3、上面5楼已经有解释了; |
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| | | | | 英飞凌的低压MOS在全球的主流主板中应用比较普遍,它的功率器件的确很好很强大! |
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