碳化硅MOS管的性能优势及应用

碳化硅（SiC）MOS的优点：
1.优异的高温特性：SiC禁带宽度（~3.2 eV）是Si的3倍，导电能力更强。导热率为硅的4-5倍电子饱和速度是Si的2-3倍，能够实现10倍的工作频率。熔点高(2830℃，约Si-1410℃的两倍)的特点，因此SiC器件在减少电流泄露的同时大幅提高工作温度。

2.优良的高频特性：SiC材料不存在电流拖尾现象，能够提高元件的开关速度，是硅（Si）开关速度的3-10倍，从而适用于更高频率和更快的开关速度。

3.耐高压：SiC材料相比于Si材料具有10多倍的击穿场强，因此可以通过更低的电阻率和更薄的漂移层实现更高的击穿电压，相同的耐压值下，SiC功率模块导通电阻/尺寸仅为Si的1/10，功率损耗大幅减少。

4.开关速度快：由于碳化硅MOS管的栅极电容小，可以获得更快的开关速度，从而达到更高的效率。

5.导通损耗小：SiC MOS管的导通电阻比硅MOSFET低得多，可以实现较小的导通损耗。

6.体积小、重量轻：SiC MOS管使用更小尺寸的芯片。同功率的器件体积更小，重量更轻，可以提高功率器件的集成度。

碳化硅（SiC）MOS的应用领域：
SiC的功率器件具有耐高压、耐高温、抗辐射、散热能力佳、更低的导通损耗和开关损耗、更高的开关频率、可减小模块体积等杰出特性，不仅可广泛用于电动汽车驱动系统、列车牵引设备、充电桩、开关电源、光伏逆变器、伺服电机、高压直流输电设备等民用场景，还可显著提升战斗机、战舰等军用系统装备的性能。
碳化硅MOS产品选型资料下载： 碳化硅MOS 20230725.pdf (972.95 KB, 下载次数: 12)

2023-11-30 09:49 上传

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