用栅极驱动器驱动MOS,MOS发热严重，表面测量温度达到90℃以上。这种情况...-综合电源技术-世纪电源网社区

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2023-12-3 14:59:14

10问答币

用栅极驱动器驱动MOS,MOS发热严重，表面测量温度达到90℃以上。这种情况可以从哪些角度去改善？

RF+需要输出1.7M 峰峰值200V的正弦波信号驱动压电陶瓷换能器
1.从硬件的角度，MOS的驱动要考虑MOS的驱动电平、内阻、栅极电容、驱动波形是否陡峭？还可以从哪些角度进行改善？内阻和栅极电容是选型的问题。那驱动电平和驱动波形是电路设计的问题。这个MOS用5V方波驱动是没有问题的吧！怎么使得驱动波形更接近方波而不会发生波形的失真呢？以上这些是否可以改善温升的问题？

2.从嵌入式角度，栅极驱动器是经过DDS给信号的，DDS是经过MCU控制的，因此嵌入式可以从哪些角度进行温升的改善？

3.从结构的角度，进行通风孔对流、散热片导热到外壳、加微型高速的风扇，或者加铜管、液冷？除了这些还可以进行怎样的处理？

MOS规格书：chrome-extension://ibllepbpahcoppkjjllbabhnigcbffpi/https://atta.szlcsc.com/upload/public/pdf/source/20171123/C114889_15114107965411137412.pdf

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		2 梦剑蜀黍梦剑蜀黍离线 LV6 高级工程师积分：880 \| 主题：5 \| 帖子：75 访问空间发消息积分:880 LV6 高级工程师 2023-12-3 15:09:44 倒数4
		DF8芯片，不能装散热器，所以依靠铜箔散热，在2OZ铜厚的情况下，铜箔连续面积应该达到1平方英寸，也就是6-7平方厘米左右，如果在电路板上布置困难，可以单独把器件贴在一块铝基板上，比如2X2厘米，然后用插针焊接在电路板上，占空间小，散热效果也好。铝基板效果比铜箔好多了回复 \| 举报 \|

			4 QWE4562009 QWE4562009 离线 LV10 总工程师积分：13526 \| 主题：779 \| 帖子：2318 访问空间发消息积分:13526 LV10 总工程师 2023-12-9 09:20:36 倒数2
			非常感谢你的建议谢谢 DF8是啥回复 \| 举报 \|

				5 梦剑蜀黍梦剑蜀黍离线 LV6 高级工程师积分：880 \| 主题：5 \| 帖子：75 访问空间发消息积分:880 LV6 高级工程师最新回复 2023-12-9 09:55:13 倒数1
				DF-8就是SO-8，也就是你贴的这种元器件的封装的名字回复 \| 举报 \|

		3 梦剑蜀黍梦剑蜀黍离线 LV6 高级工程师积分：880 \| 主题：5 \| 帖子：75 访问空间发消息积分:880 LV6 高级工程师 2023-12-3 15:11:52 倒数3
		铝基板的固定，使用这种一头弯曲的贴片插针抗干扰.jpg (85.8 KB, 下载次数: 6) 下载附件 2023-12-3 15:11 上传回复 \| 举报 \|

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