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| | | | | | | 请问igbt的损耗如何计算呢?具体的导通,开关,反向恢复,驱动,等等损耗。谢谢
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| | xkw1cn- 积分:131441
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- 帖子:55633
积分:131441 版主 | | | 一、IGBT效率更高 主要是MOSFET体二极管太慢;导致有续流模式的拓扑中,IGBT更有优势。
二、1000W功率并不大。这点数安电流;用双电源是奇怪的。理论上75kW以下;应该能做到单电源驱动。
管子直通?真的设计有缺陷。。。
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| | | | | | | 好像是这样,我对比了下基本算是同等级别的IGBT(JT030N065WED)和MOS(NCE65TF130),MOS的反向恢复电荷Qrr是2uC【测试条件:Tj=25°C,IF=14A,di/dt=100A/μs】,IGBT是85nC【测试条件:VGE=0V, VR=400V IF=30AdIF/dt=100A/μsTC=25℃】。涉及到关端期间的续流,等到突然反向,这个参数大了,确实会有很大影响。我现在想起了以前有个全桥软开关拓扑,用的MOS,功率大了驱动上的尖峰很大,导致直通,换成IGBT后好很多,可能就是这个原因。感谢!
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