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全桥逆变器的功率管选型

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大浪淘沙123
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  • 2023-12-15 10:10:19
10问答币
花了一周时间积累了下逆变器知识,准备自己做一款1000W的逆变器,前级推挽准谐振,后级桥式逆变,全部用MCU控制。逆变桥功率管选型时候,参考了一些DEMO和样机,发现都是用的IGBT,很奇怪为什么不用NMOS管呢?而且用IGBT就算了,还没有负压驱动,特别是功率大了很容易导致直通烧管子?最重要是IGBT损耗肯定比MOS大啊。

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一、IGBT效率更高 主要是MOSFET体二极管太慢;导致有续流模式的拓扑中,IGBT更有优势。 二、1000W功率并不大。这点数安电流;用双电源是奇怪的。理论上75kW以下;应该能做到单电源驱动。 管子直通?真的设计有缺陷。。。

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Q403920015
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LV8
副总工程师
  • 2023-12-18 14:52:49
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IGBT便宜呀。
南风过境123
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高级工程师
  • 2023-12-18 16:07:52
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请问igbt的损耗如何计算呢?具体的导通,开关,反向恢复,驱动,等等损耗。谢谢
xkw1cn
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版主
  • 2023-12-18 23:34:13
  • 倒数6
 
一、IGBT效率更高  主要是MOSFET体二极管太慢;导致有续流模式的拓扑中,IGBT更有优势。
二、1000W功率并不大。这点数安电流;用双电源是奇怪的。理论上75kW以下;应该能做到单电源驱动。
管子直通?真的设计有缺陷。。。
大浪淘沙123
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副总工程师
  • 2023-12-19 13:47:57
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好像是这样,我对比了下基本算是同等级别的IGBT(JT030N065WED)和MOS(NCE65TF130),MOS的反向恢复电荷Qrr是2uC【测试条件:Tj=25°C,IF=14A,di/dt=100A/μs】,IGBT是85nC【测试条件:VGE=0V, VR=400V IF=30AdIF/dt=100A/μsTC=25℃】。涉及到关端期间的续流,等到突然反向,这个参数大了,确实会有很大影响。我现在想起了以前有个全桥软开关拓扑,用的MOS,功率大了驱动上的尖峰很大,导致直通,换成IGBT后好很多,可能就是这个原因。感谢!
南风过境123
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高级工程师
  • 2023-12-28 11:50:25
  • 倒数4
 
你好,可以分享一份移相全桥的设计书嘛。
Q403920015
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副总工程师
  • 2024-1-2 16:29:51
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有机会试试华润微的IGBT呢 。 储能上用的多。
大浪淘沙123
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副总工程师
  • 2024-2-24 16:45:24
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华润微原厂销售我有联系方式,你是李文亮,李总吗?
Q403920015
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副总工程师
最新回复
  • 2024-3-5 15:42:43
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不是,  我是代理商。
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