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SiC mos驱动电压的选择

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fengmr
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  • 2023-12-21 23:42:19
图腾柱PFC,使用Cree C3M0065100K作为主功率管,上下桥臂均为双管并联,隔离驱动且每一个管子的驱动电路相互**。
使用交流输入测试的过程中下桥臂损坏。
并联的两个管子均损坏:
    一个管子GDS全部短路,短路电阻<0.1欧.
    另外一个管子GS短路(阻值1.4欧),DS量不出短路但是能测出10M左右电阻,SD测量寄生二极管压降偏低(1.2V,低于正常管子的2V,GS暴力加电压到8V可以测出DS导通。

怀疑是VGS超标导致,所以复测正常加载状态下的开关波形。

目前使用直流输入测试的开关波形如下:
黄色:VDS
绿色:VGS(拔掉地线夹,满带宽)
VGS峰值最高17.6V,最低7V




使用100M带宽测出的峰值仅为17V/-5V:

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fengmr
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  • 2023-12-21 23:57:55
  • 倒数5
 
规格书上VGS范围:19V/-8V

按道理不应该是VGS超标导致的损坏。

但是规格书备注上有一条,使用体二极管的情况下VGS被限制在+19V/-4V:

不太明白这个限制,在实际电路中如果有体二极管续流,VGS应该保持在+19V/-4V这个范围?以前用ST的管子没发现有这种限制。如果是的话负压确实不能设计到-5V。

C3M0065100K.PDF

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nc965
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版主
  • 2023-12-22 15:27:25
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无论17还是-5,你都太接近极限了,适当降一点妥当,虽然不一定就是这个原因
fengmr
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最新回复
  • 2023-12-23 16:40:20
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扒掉所有探头地线,再次测试 16/-5,完全在规格书范围里面内

st.you
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  • 2023-12-23 09:14:41
  • 倒数3
 
我实测 这个品牌的某款SIC MOS的体二极管压降,GS电压越负,压降越大。
fengmr
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初级工程师
  • 2023-12-23 09:54:45
  • 倒数2
 
这不会就是使用体二极管的时候限制VGS负压的原因吧
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