 |  | xkw1cn- 积分：131466
- |
- 主题：37517
- |
- 帖子：55636
积分:131466 版主 | | | 驱动搞大点不就可以了？
另外；不是越快损耗越低，适度即可。
|
|
|
| | | | | 找个器件看下规格书就可以知道，一般nF吧；
输入电容不影响导通损耗，影响开关损耗；
导通损耗降低主要还是降低电流或者换好点的管子；
不要串电感。 |
|
|
 |  | | | | 输入电容相对比较大一点，一般影响开关损耗，特别是米勒电容Cgd。
不影响导通损耗，影响导通损耗的主要是导通电阻Ron，选择Ron更小的MOS，导通损耗更小，主要留意Ron随温度的变化曲线（改善散热，降低MOS的温升，也有利于减小导通损耗）。
|
|
|
|
| | | | | | | | | 这个有很多文章可以借鉴，从题主的描述来看，可能还不太熟悉MOSFET，建议多读读MOSFET开关过程的原理。这个可能需要比较长的时间。简单讲一下：
1. 导通损耗。
这个完全看MOSFET本身的特性，就是Rds(on)，因为损耗就是I^2*Rds(on)。想降低只能选Rds(on)小的。
2. 开关交越损耗。
加快开关速度可降低这部分损耗，怎么降低呢，主要加强驱动的电流。但加快速度也常伴随着EMI问题。
3. 寄生电感损耗
导通过程中寄生电感会储能，并在关断时被损耗。开关速度越快，一般这个损耗越大。
4. Coss损耗
MOSFET的Coss充电过程的损耗。
5. 体二极管反向恢复损耗
需要反向恢复快的管子。
一般而言，前两项是大头，不过，寄生电感的问题常会是管子应力瓶颈。
|
|
|
| | | | | | | | | 选择开关性能更好的MOS或者选择GaN，主要关注米勒电容Cgd和栅极电荷QG，这两个参数越小，开关切换的速度越快，理论上开关损耗就越小。如果开关管不能更改，可以减小栅极驱动电阻，增加栅极驱动电流的大小，也能减小开关损耗（以上分析，基于硬开关而言）。
如果从电路拓扑上来说，使用准谐振或者软开关技术，可以显著减小开关损耗。
|
|
|
收藏
分享
津公网安备 12010402000296号