MOSFET（IGBT）损耗计算通用公式输入条件

MOSFET（IGBT）损耗计算存在成熟的公式可以直接套用，确定如下条件即可计算：

外界条件：
1.VDS电压
2.通流（或者由单管功率换算得到（忽略损耗））
3.开关频率
4.温度（不同温度下Rdson不一样）

MOS管参数条件：
1.Rdson
2.Cds变化曲线（查规格书得到，然后自己近似估算一个大概值）
3.Tr上升时间，Tf下降时间（用于计算开关损耗）
4.Qg（用于确定驱动损耗）






还有漏的没？请各位大神补充！