一个反激隔离升压电路，功率500瓦，用GaN和Si MOS,哪种效率高？-综合电源技术-世纪电源网社区

nbiot2022

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副总工程师

10问答币

一个反激隔离升压电路，功率500瓦，用GaN和Si MOS,哪种效率高？

GaN MOS 的内阻是110毫欧。
Si MOS的内阻是10毫欧。

哪种效率高？

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		2 wangwenyong wangwenyong 离线 LV4 初级工程师积分：313 \| 主题：0 \| 帖子：20 访问空间发消息积分:313 LV4 初级工程师 2024-1-31 17:43:56 倒数7
		输入输出条件都没有，不好评判啊回复 \| 举报 \|

			3 nbiot2022 nbiot2022 在线 LV8 副总工程师积分：2959 \| 主题：352 \| 帖子：574 访问空间发消息积分:2959 LV8 副总工程师 2024-1-31 19:12:46 倒数6
			输入50V直流，输出400V直流，功率500瓦回复 \| 举报 \|

				4 nc965 nc965 在线 LV7 版主积分：93892 \| 主题：115 \| 帖子：27415 访问空间发消息积分:93892 版主 2024-1-31 23:03:50 倒数5
				MOSFET效率最高，1mR 回复 \| 举报 \|

				7 wangwenyong wangwenyong 离线 LV4 初级工程师积分：313 \| 主题：0 \| 帖子：20 访问空间发消息积分:313 LV4 初级工程师 2024-2-1 20:15:58 倒数2
				要是用作初级开关管的话肯定是内阻越小越好，50V输入500W的反激初级电流不小啊，导通损耗占大头。回复 \| 举报 \|

		5 qinzutaim qinzutaim 离线 LV8 副总工程师积分：5598 \| 主题：2 \| 帖子：519 访问空间发消息积分:5598 LV8 副总工程师 2024-2-1 08:09:05 倒数4
		10毫欧和110毫欧有可比性么? 回复 \| 举报 \|

			6 nbiot2022 nbiot2022 在线 LV8 副总工程师积分：2959 \| 主题：352 \| 帖子：574 访问空间发消息积分:2959 LV8 副总工程师 2024-2-1 11:35:37 倒数3
			可能不一样，功率管不同，导通特性也不同，比如开启和关断损耗，是有不同。回复 \| 举报 \|

		8 beyond_笑谈 beyond_笑谈离线 LV8 副总工程师积分：3352 \| 主题：235 \| 帖子：789 访问空间发消息积分:3352 LV8 副总工程师最新回复 2024-2-2 10:22:50 倒数1
		GaN MOS 的内阻是110毫欧。 Si MOS的内阻是10毫欧假设开关损耗一样，那肯定是SI mosfet效率更高了。开关损耗得根据米勒电容，开关频率之类的单独计算了回复 \| 举报 \|

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