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未解决

MOS管栅源加阻容

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尚飨
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副总工程师
  • 2024-2-20 12:15:22
10问答币
坛友们,有次听讲座,有位老师讲实际案例,说有家产品的EMI在测试时超标,发现在栅源极并电容可以降低EMI,问题是驱动的功率上来了,烧驱动芯片,那个培训老师将,应该是在栅源极并RC串联组件,这个原理与计算方法网上很多,搜了下,通常是在DS间并RC的,没找到在GS并RC的,有朋友了解这方面吗?
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nc965
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版主
  • 2024-2-20 12:29:14
  • 倒数8
 
GS并什么、接什么,以效率为准、EMI另想办法,不要在这里考虑
尚飨
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LV8
副总工程师
  • 2024-2-20 13:37:11
  • 倒数6
 
版主,当时那个老师说了,这个MOS管是开关门电机的开关管,不是电源方面用的,并且GS并RC电路是有一个专用名称的,我是偶然想起这个事,就好奇下到底有没有这个方法。
beyond_笑谈
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LV8
副总工程师
  • 2024-2-20 14:11:32
  • 倒数5
 
不管是电源还是电机控制,RC Subber的设计和应用原理相同的。在GS之间增加RC subber,类似于无形中增加了MOSFET的米勒电容(输入电容)
nc965
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版主
  • 2024-2-20 14:46:46
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一般不会用,因为GS本身就是一个RC电路
尚飨
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副总工程师
  • 2024-2-20 15:04:39
  • 倒数3
 
版主说的对,当时也有这个想法,输入电容与G极的电阻本身有效,这个问题就不纠结了。
beyond_笑谈
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LV8
副总工程师
  • 2024-2-20 13:35:46
  • 倒数7
 
GS并RC是因为MOSFET的导通/关闭速度快,以及G极的驱动走线太长了导致的振铃吧。GS并RC感觉不如GS加低寄生电容的TVS
尚飨
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LV8
副总工程师
  • 2024-2-20 15:07:13
  • 倒数2
 
这个是举别人家的栗子,这些就没法验证,振铃的话,直接增大栅极电阻,也会降低开关速度,降低振铃,不知道栗子那家怎么就想着增大栅源电容,这个问题就不纠结了,感谢回复。
ledkld
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本网技师
最新回复
  • 2024-2-20 15:42:33
  • 倒数1
 
那个电容放一个小一点的 对温升影响不是太大 想要改善EMI 还是要注意动点个布线防止干扰
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