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未解决

这四个电阻的作用,加或不加各有什么效果

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QWE4562009
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  • 2024-2-22 15:33:51
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这四个电阻的作用,加或不加各有什么效果

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YTDFWANGWEI
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  • 2024-2-22 15:37:16
 
不加的话,光耦不导通,基极悬空,有干扰三极管就导通了。

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QWE4562009
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  • 2024-2-23 17:56:13
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关键是这个电阻并没有接地啊
YTDFWANGWEI
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  • 2024-2-28 16:44:02
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并不是说要接到地,就是接BE之间即可。
wangdongchun
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  • 2024-2-22 22:04:14
 
四个电阻的作用都一样,抗干扰作用比重较大

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wszdxp2004
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  • 2024-2-23 09:05:28
 
光耦 C-E  有微弱的漏电电流,这个电流会通过偏置电阻旁路掉,不会流过三极管的 B-E极,


减少(或避免)三极管误导通,
提高电路可靠性。

~~~
QWE4562009
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总工程师
  • 2024-2-23 17:57:09
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非常好 还是有疑问  这样一来  岂不是需要的驱动电流更大了  毕竟多了一个支路啊
QWE4562009
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  • 2024-2-26 15:04:17
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那这个电阻的取值怎么计算呢
wszdxp2004
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  • 2024-2-27 09:00:07
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可以估算:
以1/2 的三极管截止电压0.2V/0.5/Ic光耦的最大漏电电流来计算,实际中还要考虑温度的影响,调整得到一个折中值即可。
king5555
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高级工程师
  • 2024-2-23 16:04:52
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吸收漏电流,來自晶体管集极和光耦的漏电流。
QWE4562009
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总工程师
  • 2024-2-23 17:58:08
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啥意思?光耦CE漏电流和三极管BE漏电流?
king5555
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高级工程师
  • 2024-2-23 23:33:25
  • 倒数6
 
看一下晶体管和光耦的规格书,都有漏电流这项,以及结电容。BE并联电阻可使集极电流大幅降低到1uA以下,也使结电容Cje放电以提高速率。不接电阻的集极电流可能数十uA。我做遙控器用PNP当作开关,BE并联22k电阻,没压按鈕时耗电流几乎为零,反正电流表测不出,电阻不接了则静态电流变得很大。如果是当成开关在50kHz时这個并联电阻必須4.7k欧姆以下,否则晶体失效沒动作。
換成POWER MOSFET时,GS兩端不可悬空,否則DS兩端是完全导通,不像晶体管只是微微的漏电。
QWE4562009
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总工程师
  • 2024-2-26 15:02:43
  • 倒数5
 
你说的漏电流是哪个支路的电流?CE这个通路 或者DS这个通路?
king5555
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高级工程师
  • 2024-2-28 00:03:09
  • 倒数2
 
晶体管本身的集基之间,以及光耦CE之间的漏电流,上术两个漏电流流向基极,然后放大(乘以)hFE倍,因此并联基射极间电流以分流吸收掉上术漏电流。仿真应可察觉电阻之作用。
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