| | | | | 以反激为例:
反射电压Vor为次级二极管导通时,变压器次级电压反射回初级的电压。 |
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| | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | 在反激电路中,当原边MOS管导通的时候,变压器储能,当MOS管关断的时候,变压器向副边传递能量,此时变压器副边电压钳位在输出电压,由于变压器的耦合关系,此时在变压器原边会感应一个电压,我们一般称之为反射电压,简单的说反射电压就是变压器次级输出电压折算到初级的电压.通常flyback变换器的设计需要这个参数.算法就是就是 =NP/NS*VOUT,NP初级绕组,NS是次级绕组。 |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | 不清楚你说的工程中是什么意思,反射电压一般在变压器设计可用来确定最大占空比及选择 MOS管。 |
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| | | | | | | 请问如果输出有很多路呢,那个VOUT选择那一路呢? |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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| | | | | | | | | | | 对一个变压器原边绕组施加1个电流源,原边绕组电压是多少? |
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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| | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | | | | | 你加个直流电流源试试? |
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| | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 确实没有答案,我本来在想Lp储能后成为电流源对理想变压器放电,结果你在Lp上施加一个直流电流源,我就呆住了。 |
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| | | | | | | 大神,想说一下,那这个反射电压不又会耦合到变压器的次边吗?
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | 是副边存在电压反射到原边的,副边没有电压的时候,反射电压也就没有了。
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| | | | | | | | | | | 我的意思是这个副边反射给原边的电压叫反射电压,那么这个反射到原边的电压不会又通过变压器的耦合关系映射到副边吗???
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | | | 副边本身就存在这个电压,通过匝比反射到原边。也就是说副边电压时源,原边电压是感应。因此不存在什么原边再耦合到副边之说。
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| | | | | | | | | | | | | | | 我的意思是输出的电压是不是原边的mos管关断的时候,根据变压比从原边变换到副边的,反射电压不就是这个输出电压(原边变换到副边的电压)再反射到原边的,那这个反射电压不会再变换到副边吗?我是这个意思?
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| | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | | | | | 这是反激不是正激。反激的工作原理是不一样的。反激原边关断后,原边的电压是由副边电压决定的。因此不是由原边折射到副边。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那副边电压怎么来的,不还是原边关断后,原边的感应电动势折射到副边的吗?难道不是不样的?
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| | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | | | | | | | 磁这块我也说不太明白。是感应电动势,但是感应在副边,折射到原边的。因为原边MOS管关闭后,通路是在副边。
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| | | | | 开关电源中有种说法,Flyback 中的变压器不是真正意义上的变压器,而是多绕组电感。我们不去讨论它是不是变压器或电感,我们从最基础的单绕组电感谈起。
如图1,线圈中通过电流I后,磁芯中将产生磁通量Φ,电能将转化为磁能并存储于磁场中。
如果电流I突然中断会怎样?
大家都知道电感电流不能突变,因此线圈两端将会产生很高的电压,U=Ldi/dt(本文忽略电位参考方向,均以正值表示)。
如果我们再加一个绕组,如图2,会是什么样子呢?
根据电磁感应知识,显然图1中左边线圈通I后,右边线圈上端将感应正电压,但是由于二极管反向,所以无电流流过次级线圈。
那么此时电流I突然消失会怎样了?
此时由于次级线圈的存在,初级电流将按匝数关系转换到次级线圈,即右边线圈下端感应正电压,二极管导通,将会有电流流过右边的线圈。
通常我们所说的电感电流不能突变,仅仅是针对单绕组电感而言的,其本质是磁通不能突变或能量不能突变。
所以对于多绕组电感而言,一定要记住其本质是什么。
当次级线圈有电流流过试图维持磁芯中磁通量的时候,初级线圈又会感应到一定的电压,下正上负,此电压即我们通常说的反射电压Vor。
此反射电压Vor与次级线圈的电压是满足匝比关系的。在反激拓扑中,初级线圈上端接的是母线电压Vin,所以初级线圈下端电压即在Vin基础上叠加了一个Vor电压。
PS:以上是我从别的地方看到的,个人觉得还是挺有道理的。但是有个地方我认为不太准确:“ 当次级线圈有电流流过试图维持磁芯中磁通量的时候,初级线圈又会感应到一定的电压”,MOS突然关闭时,初级线圈也会试图维持磁通量不变,因而它本身也会产生感应电动势;再与次级反射过来的电压一起,形成真正的反射电压。其实不管是谁感应的谁,这个耦合本来就是相互的,没有“源头”之说吧。
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图1
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图2
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