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同步BUCK中电路下桥MOSFET 的Vgs信号异常?求解,急急

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motred_cc
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本网技师
  • 2011-9-1 00:28:43
10问答币
现在我有一个BUCK架构HI LOW side MOSFET ,在量测MOSFET 死区时间时。发现Low side MOSFET在死区时间内驱动信号会有Ring Back 现象,求解各位高手的解释,谢谢啦~

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这问题非常好解释,上管开通的时候,DC电压通过上管导通后,瞬间加在下管的D极上,由于MOSFET的CGD的影响,一个高的电压瞬间加在D上,通过CGD的电容会在下管的栅极上造成一个尖峰,因为CGD会充电嘛,呵呵。
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lizlk
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  • 2011-9-1 08:15:20
 
这问题非常好解释,上管开通的时候,DC电压通过上管导通后,瞬间加在下管的D极上,由于MOSFET的CGD的影响,一个高的电压瞬间加在D上,通过CGD的电容会在下管的栅极上造成一个尖峰,因为CGD会充电嘛,呵呵。
motred_cc
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本网技师
  • 2011-9-2 23:15:35
 
你的意思就是通过下管的寄生电容Cgd给Cgs充电造成的哦,那么上管关断的时候同样也有Vdc加在D极,上管咋没有这个现象呢?
呵呵,不要BS小弟,还请大哥帮忙解释??
lizlk
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  • 2011-9-3 08:23:16
 
呵呵,上管的现象你肯定是没有发现,上管的VGS是负向过冲,如果你的示波器足够好,很容易就能看到。
motred_cc
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本网技师
  • 2011-9-3 16:46:59
 
我用的示波器为Tektronix TDS5104B系列的,1GHz 5GS/S的,应当算很高级了吧

这个是LOW GATE关掉时的波形,可以很明显的看出Ring Back




这个是HI GATE 关掉的波形~~平平淡淡的 很好~~
fairchild
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高级工程师
  • 2011-9-5 15:52:25
  • 倒数9
 
从第一个图看,振荡发生在上管GATE电压约4V处,恰好是miller区起点,
很像是Mr. LIZ所说的寄生电容引起的。
但楚版说的引线电感,好像也在理。
楼主能否做下试验,比如人为增加点Cgs比较下波形,或增加个Rg等等。

第二个图,上管导通的GATE波形怎么不见MILLER平台呢?
sensezcy
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副总工程师
  • 2011-9-5 17:49:25
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如果是1楼的问题引起的话,可以在下管的G对S加个1-10K的电阻来避免这个问题,楼主可以自己去做个实验
motred_cc
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本网技师
  • 2011-9-5 18:04:59
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我们的电路GS之间都有10K的电阻的~
深山老妖
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  • 2011-9-5 19:54:24
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驱动和G极有没有串几欧电阻。
motred_cc
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本网技师
  • 2011-9-6 09:16:15
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驱动放的是0欧姆电阻,不过个人认为和驱动应当每关系呀,它只会影响驱动的快慢、还有驱动电压的OVERSHOOT啊
深山老妖
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  • 2011-9-6 21:23:06
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这是阻尼电阻,建议你试一下。
楚天?
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  • 2011-9-2 23:35:09
 
考虑一下布线问题。驱动IC的地和mos的地有多远,怎么走的?
IR针对2110出过一个文档,讨论Rg与布线导致的过冲问题。文档我看过,不过已经随着硬盘一起挂掉了。
大概就是说,不恰当的布线与Rg会导致下管Vg出现问题,严重的时候会误导通。
motred_cc
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本网技师
  • 2011-9-3 16:49:17
 
不恰当的布线是因为走线带来的寄生电容和寄生电感引起的?还是线之间的干扰?
楚天?
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  • 2011-9-4 19:27:21
 
寄生电感。
nj_nuaa
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初级工程师
  • 2011-9-5 12:43:28
  • 倒数10
 
选择好mos管可以规避这个问题,注意下管的cgs、cgd
iethai
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  • 2011-9-6 09:03:08
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是做HID的吗?
motred_cc
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本网技师
  • 2011-9-6 09:17:20
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就是一个5V转1.5V的  DD线路
iethai
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最新回复
  • 2011-9-8 10:57:29
  • 倒数1
 
就是Cgd充电引起的,下管D极穿磁珠试试
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