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未解决

现丗上没有一颗IGBT可以做电机驱动/逆变器的

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2009-3-29 18:00:59

10问答币

做了二十年的工程，回头一看，电机驱动/逆变器用IGBT，不论大小；连颗象样的产品都没有。很郁闷！产品用的少吗？决大多数IGBT都干这事去了。没人研究？博士教授一大队。实在想不通。

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		2 tanknet tanknet 离线 LV6 高级工程师积分：1668 \| 主题：33 \| 帖子：475 访问空间发消息积分:1668 LV6 高级工程师 2009-3-29 21:24:46
		楼上资历好丰富！谈谈您用过的不同的IGBT的长处和不足吧！回复 \| 举报 \|

		3 xiawenjin xiawenjin 离线 LV6 高级工程师积分：1013 \| 主题：24 \| 帖子：379 访问空间发消息积分:1013 LV6 高级工程师 2009-3-29 21:36:45
		楼主何出此言，现在可以用做电机驱动和逆变的IGBT有很多了。有的厂家还有这种大功率的三相全桥模块。比如有的公司的有1200V3000A的模块,1200V10000A模块。只是现在的大功率器件受到频率的限制，大部分只能工作在20K，更高工作频率的就比较少了。回复 \| 举报 \|

		4 xiawenjin xiawenjin 离线 LV6 高级工程师积分：1013 \| 主题：24 \| 帖子：379 访问空间发消息积分:1013 LV6 高级工程师 2009-3-29 21:38:23
		1200V3000A的模块,1200V10000A模块市场上没有的。回复 \| 举报 \|

		5 tanknet tanknet 离线 LV6 高级工程师积分：1668 \| 主题：33 \| 帖子：475 访问空间发消息积分:1668 LV6 高级工程师 2009-3-30 05:13:13
		为什么不用MOSFET MOS的速度比IGBT快多了，上M都可以。考虑47N60只要<15元一个，用47N60制程做10000A 600V大MOS,成本不会高于210*15=3150元回复 \| 举报 \|

			10 forestgump1003 forestgump1003 离线 LV8 副总工程师积分：3126 \| 主题：22 \| 帖子：722 访问空间发消息积分:3126 LV8 副总工程师 2009-3-31 12:31:53
			600V够用吗？回复 \| 举报 \|

			12 蒋江黔蒋江黔离线 LV7 版主积分：10354 \| 主题：105 \| 帖子：4151 访问空间发消息积分:10354 版主 2009-3-31 13:35:23
			在所有的功率器件中,MOS是控制容量最小的一类, 连BJT都比不上, 再上去就是GTR, SCR,CTO MCT,IGBT, IGCT... 回复 \| 举报 \|

				13 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131441 \| 主题：37517 \| 帖子：55633 访问空间发消息积分:131441 版主 2009-3-31 13:47:00
				如果每个器件的可靠性都是一样的话，多器件并联；将直接降低整机的可靠性。所以；工程当中，能不并就不并了。 MOSFET在高压大电流时的压降太大了。600VIGBT在额定电流下只1.2V左右。没办法啊！回复 \| 举报 \|

					14 蒋江黔蒋江黔离线 LV7 版主积分：10354 \| 主题：105 \| 帖子：4151 访问空间发消息积分:10354 版主 2009-3-31 14:31:05
					如果做得好,模块的可靠性也不会比单管差吧,(不过好像没见过冗余设计的) MOS内部,便是许许多多小MOS直接并联的回复 \| 举报 \|

						15 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131441 \| 主题：37517 \| 帖子：55633 访问空间发消息积分:131441 版主 2009-3-31 14:36:21
						MOSFET是多个小胞并起来的。但所有胞都在一个封装里，没有PCB和引线对均流的干扰；每个胞的温度都是一样的，和两个以上封装的FET有本质的区别。回复 \| 举报 \|

							16 蒋江黔蒋江黔离线 LV7 版主积分：10354 \| 主题：105 \| 帖子：4151 访问空间发消息积分:10354 版主 2009-3-31 14:50:08
							原来这个叫小胞,又长学问了. 想了解一下,这些小胞是怎样引到PAD(压焊点)上的?是单独引出,还是多点引出? 内部如何做均流? 虽然MOS有自均流作用,但是不同的接法,效果大不一样哦, 以前就呐闷过回复 \| 举报 \|

								17 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131441 \| 主题：37517 \| 帖子：55633 访问空间发消息积分:131441 版主 2009-3-31 15:03:22
								无论电压高低；每个胞的深度都不大，漏极是硅片衬低；会后直接焊到了铜底板上。每个胞的源极是独立的（在硅片的顶层上），被最后蒸镀上的铝完全短路在一起。在蒸镀的铝层上再热压焊接铝丝。压结铝丝的部位大体在硅片的中间部分。一般；按电流大小选择铝丝的粗线和根数，目前；业内选用的水平是；每根12密耳的铝丝；载流10A左右。回复 \| 举报 \|

									18 蒋江黔蒋江黔离线 LV7 版主积分：10354 \| 主题：105 \| 帖子：4151 访问空间发消息积分:10354 版主 2009-3-31 15:15:57
									学习了, 跟PCB的地层一样回复 \| 举报 \|

										19 晶纲禅诗晶纲禅诗离线 LV7 版主积分：15504 \| 主题：220 \| 帖子：6445 访问空间发消息积分:15504 版主 2009-3-31 20:03:40
										早期MOS FET晶片多采用中心区域焊较粗的铝丝引出,近期已多采用平均分区域后,再用多根铝丝引出. 但从解剖损坏的管子来看,铝丝短的区域更易电流集中烧毁!可见铝丝长短对电流均分的影响不小. 回复 \| 举报 \|

		6 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131441 \| 主题：37517 \| 帖子：55633 访问空间发消息积分:131441 版主 2009-3-30 09:51:19
		是这样的，如果想以比较低的损耗做电机驱动的化。一般是单边调制，就是低端的IGBT或MOSFET做整周期的开关，高端的IGBT或MOSFET做PWM/SPWM调制。这样；可以节省低边的开关损耗。这样一来，问题就大了！逆变器需要低边的功率器件是低速低压降的低频开关，高边是中速管子。可扁扁这个低速管会续流；就是电流在正向输出的时候，高边管子关断是；低变管子里的二极管会由下而上的流过电流以满足感性负载的电流连续。当下一周期开的时候；高边的管子会和续流的二极管（低速IGBT内的二极管恢复太慢了）短时发生短路而产生附加损耗和噪音。所以；一直想找低速快恢复的IGBT，那么多年诸多公司都没这类产品。大家看我的要求对吗？帮我出出注意。看看这个示意图：回复 \| 举报 \|

			7 星宇星宇离线 LV7 版主积分：18274 \| 主题：29 \| 帖子：4753 访问空间发消息积分:18274 版主 2009-3-30 10:12:41
			有个问题没搞懂你说的是什么:你前面说"（低速IGBT内的二极管恢复太慢了）"后面又说"所以；一直想找低速快恢复的IGBT，那么多年诸多公司都没这类产品"没有明白你的意思! 应该是找速度快点的啊!体二极管不行可以外加啊! 回复 \| 举报 \|

				8 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131441 \| 主题：37517 \| 帖子：55633 访问空间发消息积分:131441 版主 2009-3-30 10:15:33
				是要找低压降低开关速度IGBT和快恢复二极管封在一起的产品。回复 \| 举报 \|

					27 楚天？楚天？离线 LV7 版主积分：3877 \| 主题：31 \| 帖子：1224 访问空间发消息积分:3877 版主 2011-5-1 10:41:23 倒数4
					可以买无反并二极管的型号，然后在外加高速快恢复即可。回复 \| 举报 \|

			24 newlran newlran 离线 LV2 本网技师积分：131 \| 主题：0 \| 帖子：16 访问空间发消息积分:131 LV2 本网技师 2011-4-27 13:50:33 倒数7
			好帖顶回复 \| 举报 \|

			26 lizlk lizlk 离线 LV7 版主积分：6629 \| 主题：15 \| 帖子：1065 访问空间发消息积分:6629 版主 2011-4-29 09:53:54 倒数5
			许工你做的这个是多大功率的啊，我觉得这不是管不管子的问题，而是调制方式的问题，一般情况下，这种电机驱动的，为了能做好续留，是要上下馆子互补的，也就是在高边管子截止的时候，下管打开续留，这样体内二极体不会在续留的时候发生反向恢复造成在下次上管开通的影响。回复 \| 举报 \|

		9 tanknet tanknet 离线 LV6 高级工程师积分：1668 \| 主题：33 \| 帖子：475 访问空间发消息积分:1668 LV6 高级工程师 2009-3-31 12:12:21
		直接向厂家定制不就行了并碳化硅都没问题另外干嘛非要用低速IGBT，全MOS然后很容易实现ZVS 不是很好吗回复 \| 举报 \|

			11 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131441 \| 主题：37517 \| 帖子：55633 访问空间发消息积分:131441 版主 2009-3-31 13:13:48
			不行啊！那些大厂不给少量定制！500K以上才行啊！还没做过小批，没法下大单。因为是1~200HZ的开关，本身没多少开关损耗。压降就很重要了，MOSFET在高压大电流下很难玩啊。回复 \| 举报 \|

				20 xiawenjin xiawenjin 离线 LV6 高级工程师积分：1013 \| 主题：24 \| 帖子：379 访问空间发消息积分:1013 LV6 高级工程师 2009-3-31 20:20:46
				如果版主真的有需要的，可以联系我们，看看能帮你们做（有一定的量）！我们专业做IGBT模块。不知道版主用在什么领域？回复 \| 举报 \|

					22 tanknet tanknet 离线 LV6 高级工程师积分：1668 \| 主题：33 \| 帖子：475 访问空间发消息积分:1668 LV6 高级工程师 2009-4-1 00:09:45 倒数9
					直接买切割好的晶片自己封，学习directfet 回复 \| 举报 \|

						23 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131441 \| 主题：37517 \| 帖子：55633 访问空间发消息积分:131441 版主 2009-4-1 10:33:10 倒数8
						好注意！楼下就有做模块的公司，想办法蹭个管芯做两样品试试。回复 \| 举报 \|

		21 lxfyang998 lxfyang998 离线 LV6 高级工程师积分：417 \| 主题：17 \| 帖子：126 访问空间发消息积分:417 LV6 高级工程师 2009-3-31 22:36:27 倒数10
		好帖！留个记号！回复 \| 举报 \|

		25 amwdwjau amwdwjau 离线 LV2 本网技师积分：110 \| 主题：2 \| 帖子：2 访问空间发消息积分:110 LV2 本网技师 2011-4-28 13:54:46 倒数6
		黄小姐真逗；广告做到这了？回复 \| 举报 \|

		28 玉兔昇玉兔昇离线 LV6 高级工程师积分：1032 \| 主题：18 \| 帖子：602 访问空间发消息积分:1032 LV6 高级工程师 2011-5-4 17:46:40 倒数3
		为什么呢，是不是要求很高很特殊啊？回复 \| 举报 \|

			29 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131441 \| 主题：37517 \| 帖子：55633 访问空间发消息积分:131441 版主 2011-5-4 17:53:38 倒数2
			到目前为止；还没有这样的产品面世啊！纠结中！回复 \| 举报 \|

				30 楚天？楚天？离线 LV7 版主积分：3877 \| 主题：31 \| 帖子：1224 访问空间发消息积分:3877 版主最新回复 2011-5-15 18:58:06 倒数1
				买心做绑定吧。回复 \| 举报 \|

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