想做一个开放式500W的开关电源-综合电源技术-世纪电源网社区

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2011-10-7 17:10:12

10问答币

我现在打算做一个500W的开关电源。要求输入AC100到450V ，输出30V，15A
现在我想用TNY276结合一个大功率P沟道增强型MOS管（1000V ，10A）
因为我以前最高做的是100W的，所以用的是反激。现在习惯了反激的设计。
但是我不知道反激能不能达到500W的要求。
请各位高手指点高招。我应该怎么弄，要简单一点的电路。
（半桥全桥电路有点复杂，呵呵）

还有一个就是次级输出的高频整流二极管15A的话我要选20A的样子，这样的管子一般选什么型号？还有主绕组那边的嵌位肖特基管之类的应该选什么型号。

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		2 xiaoliangyl xiaoliangyl 离线 LV7 版主积分：9465 \| 主题：35 \| 帖子：3650 访问空间发消息积分:9465 版主 2011-10-7 17:17:13
		可以考虑用双管正激回复 \| 举报 \|

			50 lingeryi20 lingeryi20 离线 LV3 助理工程师积分：290 \| 主题：6 \| 帖子：84 访问空间发消息积分:290 LV3 助理工程师 2011-10-28 14:46:59 倒数9
			这个有点大，需要双管的正激式比较安全! 回复 \| 举报 \|

		3 xiaoliangyl xiaoliangyl 离线 LV7 版主积分：9465 \| 主题：35 \| 帖子：3650 访问空间发消息积分:9465 版主 2011-10-7 17:19:01
		现在我想用TNY276结合一个大功率P沟道增强型MOS管 TNY276是一种内置MOS管小功率方案，不清楚楼主上面这句话是什么意思回复 \| 举报 \|

			22 ztimber ztimber 离线 LV2 本网技师积分：153 \| 主题：3 \| 帖子：22 访问空间发消息积分:153 LV2 本网技师 2011-10-8 18:04:44
			TNY276驱动一个大功率MOS管回复 \| 举报 \|

		4 Bodoni Bodoni 离线 LV10 总工程师积分：12335 \| 主题：253 \| 帖子：5180 访问空间发消息积分:12335 LV10 总工程师 2011-10-7 17:20:59
		反激在实际产品中很少达到500W，不过你在实验室要做的话，也可，只是不太合理。。 TNY276完成不了500W的需求， 1楼的建议不错，双管正激。。回复 \| 举报 \|

			5 ztimber ztimber 离线 LV2 本网技师积分：153 \| 主题：3 \| 帖子：22 访问空间发消息积分:153 LV2 本网技师 2011-10-7 18:22:15
			双管正激。。什么弄的？可以提供电路方案图吗？回复 \| 举报 \|

				8 Bodoni Bodoni 离线 LV10 总工程师积分：12335 \| 主题：253 \| 帖子：5180 访问空间发消息积分:12335 LV10 总工程师 2011-10-7 19:12:39
				在论坛上搜索“双管正激”一下，应该有不少资料的。或者搜索“正激” 回复 \| 举报 \|

					9 WANGYUREN WANGYUREN 离线 LV10 总工程师积分：16197 \| 主题：94 \| 帖子：7325 访问空间发消息积分:16197 LV10 总工程师 2011-10-7 19:25:40
					估计楼主想用MOS级联开关做反激，如果成功，比双管正激省输出电感和驱动变压器。回复 \| 举报 \|

						17 ztimber ztimber 离线 LV2 本网技师积分：153 \| 主题：3 \| 帖子：22 访问空间发消息积分:153 LV2 本网技师 2011-10-8 10:41:12
						恩，你说的对，我就是想用TNY开关芯片驱动MOS管来驱动变压器。就是不知道我这样反激的方案能不能达到500W功率。回复 \| 举报 \|

							20 WANGYUREN WANGYUREN 离线 LV10 总工程师积分：16197 \| 主题：94 \| 帖子：7325 访问空间发消息积分:16197 LV10 总工程师 2011-10-8 11:17:40
							1000V10A的PMOS啥型号？咋用TNY驱动？如果是驱动栅极光有拉电流没灌电流，PMOS咋关断？再说级联MOSFET是驱动源极的。回复 \| 举报 \|

								29 ztimber ztimber 离线 LV2 本网技师积分：153 \| 主题：3 \| 帖子：22 访问空间发消息积分:153 LV2 本网技师 2011-10-9 14:49:59
								MOS管门级和源级之间加个电阻就可以啊。回复 \| 举报 \|

									30 WANGYUREN WANGYUREN 离线 LV10 总工程师积分：16197 \| 主题：94 \| 帖子：7325 访问空间发消息积分:16197 LV10 总工程师 2011-10-9 14:53:15
									那样做整得跟IGBT一样有拖尾电流的。而且复合后的NMOS耐压变成720V左右了。回复 \| 举报 \|

			23 ztimber ztimber 离线 LV2 本网技师积分：153 \| 主题：3 \| 帖子：22 访问空间发消息积分:153 LV2 本网技师 2011-10-8 18:05:52
			TNY276当然不可以，还要驱动一个大功率MOS管回复 \| 举报 \|

		6 WANGYUREN WANGYUREN 离线 LV10 总工程师积分：16197 \| 主题：94 \| 帖子：7325 访问空间发消息积分:16197 LV10 总工程师 2011-10-7 19:05:03
		AC450V输入？那直流母线电压快650V了； 50Hz100V输入？那滤波电容容量要超1000微法了；整俩400V2200微法的电解电容串联滤波？回复 \| 举报 \|

			11 朴华朴华离线 LV8 副总工程师积分：3127 \| 主题：38 \| 帖子：1255 访问空间发消息积分:3127 LV8 副总工程师 2011-10-7 20:02:12
			请问您，为什么说对于50Hz/100Vac输入的话滤波电容容量要超1000uF，这是怎么得出的结论啊？请教了回复 \| 举报 \|

				13 WANGYUREN WANGYUREN 离线 LV10 总工程师积分：16197 \| 主题：94 \| 帖子：7325 访问空间发消息积分:16197 LV10 总工程师 2011-10-7 20:07:35
				经验值了，2微法每瓦回复 \| 举报 \|

					18 ztimber ztimber 离线 LV2 本网技师积分：153 \| 主题：3 \| 帖子：22 访问空间发消息积分:153 LV2 本网技师 2011-10-8 10:41:55
					我觉得1uF每瓦也差不多了回复 \| 举报 \|

						19 WANGYUREN WANGYUREN 离线 LV10 总工程师积分：16197 \| 主题：94 \| 帖子：7325 访问空间发消息积分:16197 LV10 总工程师 2011-10-8 11:12:30
						100V50Hz输入，500W输出，输入全桥整流用500微法滤波电容，即使按100%电源效率、0V的整流桥、线路压降计算，直流母线电压最低值仅81V，直流脉动峰峰值高达60V！恁强的纹波电压用电解电容受到了？回复 \| 举报 \|

							51 apple850 apple850 离线 LV6 高级工程师积分：775 \| 主题：3 \| 帖子：102 访问空间发消息积分:775 LV6 高级工程师 2011-10-28 20:02:57 倒数8
							电解的纹波电压只会对后极工作有影响，纹波电流过大对电解才是致命的回复 \| 举报 \|

								52 WANGYUREN WANGYUREN 离线 LV10 总工程师积分：16197 \| 主题：94 \| 帖子：7325 访问空间发消息积分:16197 LV10 总工程师 2011-10-29 08:43:50 倒数7
								没否定这个常理。同样的放电时间和放电纹波电压，放电纹波电流确实随容量↑而↑，但是谁来保持滤波电压？滤波电压谷值太低，拉宽了DC-DC部分的输入电压范围→降低整体平均效率。回复 \| 举报 \|

							53 xiaoliangyl xiaoliangyl 离线 LV7 版主积分：9465 \| 主题：35 \| 帖子：3650 访问空间发消息积分:9465 版主 2011-11-18 14:38:31 倒数6
							这个对电容问题到不大，主要是在低压时占空比会超过最大值回复 \| 举报 \|

								54 WANGYUREN WANGYUREN 离线 LV10 总工程师积分：16197 \| 主题：94 \| 帖子：7325 访问空间发消息积分:16197 LV10 总工程师 2011-11-19 11:37:03 倒数5
								你试过？过CCC用2μF/W算出来的输入电解电容过温升余量都很小。回复 \| 举报 \|

									55 xiaoliangyl xiaoliangyl 离线 LV7 版主积分：9465 \| 主题：35 \| 帖子：3650 访问空间发消息积分:9465 版主 2011-11-19 14:15:19 倒数4
									我又没否认说你选2uF/W问题，我意思是说电容太小占空比变化比你说的温升要明显，再说了温升跟电容ESR关系比较大吧？回复 \| 举报 \|

										56 WANGYUREN WANGYUREN 离线 LV10 总工程师积分：16197 \| 主题：94 \| 帖子：7325 访问空间发消息积分:16197 LV10 总工程师 2011-11-19 18:52:20 倒数3
										输入功率、频率不变，说明流过输入滤波电容ESR的电流不变，你那边的小容量电容比大容量电容的ESR还小？回复 \| 举报 \|

										57 WANGYUREN WANGYUREN 离线 LV10 总工程师积分：16197 \| 主题：94 \| 帖子：7325 访问空间发消息积分:16197 LV10 总工程师 2011-11-19 18:56:30 倒数2
										记得你是用3843的，那货最大输出占空比可达0.9以上，你得整多高的反射电压才能让占空比超限值？难不成你那的输入电解电容都瘪了？没容量？回复 \| 举报 \|

											58 xiaoliangyl xiaoliangyl 离线 LV7 版主积分：9465 \| 主题：35 \| 帖子：3650 访问空间发消息积分:9465 版主最新回复 2011-11-19 19:27:05 倒数1
											当然不是指3843了，比如PI跟英飞凌的，回复 \| 举报 \|

				14 WANGYUREN WANGYUREN 离线 LV10 总工程师积分：16197 \| 主题：94 \| 帖子：7325 访问空间发消息积分:16197 LV10 总工程师 2011-10-7 20:08:46
				如果有APFC预先升压稳压，滤波电解电容不需要恁大回复 \| 举报 \|

					15 朴华朴华离线 LV8 副总工程师积分：3127 \| 主题：38 \| 帖子：1255 访问空间发消息积分:3127 LV8 副总工程师 2011-10-7 22:00:16
					哦，这样啊，了解；若采用双管正激结构难道不需要再加一级PFC了么？回复 \| 举报 \|

						16 WANGYUREN WANGYUREN 离线 LV10 总工程师积分：16197 \| 主题：94 \| 帖子：7325 访问空间发消息积分:16197 LV10 总工程师 2011-10-8 09:45:53
						经典双管正激最好+APFC升压预先稳压：∵最大占空比≤0.5，∴输入直流母线电压变化太大会引起占空比过小不好控制的现象。回复 \| 举报 \|

							47 朴华朴华离线 LV8 副总工程师积分：3127 \| 主题：38 \| 帖子：1255 访问空间发消息积分:3127 LV8 副总工程师 2011-10-14 00:03:04
							经典双管正激最大占空比小于50%是由于上下管不能同时开通吧？回复 \| 举报 \|

								48 WANGYUREN WANGYUREN 离线 LV10 总工程师积分：16197 \| 主题：94 \| 帖子：7325 访问空间发消息积分:16197 LV10 总工程师 2011-10-14 08:22:04
								上下俩开关管同时开通，跟变压器初级绕组串联导电；上下俩开关管同时关断，紧跟着上下俩二极管同时导通，与变压器初级绕组串联复位； ∵共用直流母线，建立磁场和复位磁芯的电压几乎相同，∴最大占空比＜50% 回复 \| 举报 \|

		7 WANGYUREN WANGYUREN 离线 LV10 总工程师积分：16197 \| 主题：94 \| 帖子：7325 访问空间发消息积分:16197 LV10 总工程师 2011-10-7 19:06:51
		“P沟道增强型MOS管（1000V ，10A）”——啥型号？好买不？回复 \| 举报 \|

			35 蓝色的天空蓝色的天空离线 LV8 副总工程师积分：5029 \| 主题：55 \| 帖子：2268 访问空间发消息积分:5029 LV8 副总工程师 2011-10-10 11:20:13
			Pmos有1000V的吗？好像PMOS的耐压难做高。回复 \| 举报 \|

		10 zhuguangchuan zhuguangchuan 离线 LV6 高级工程师积分：939 \| 主题：6 \| 帖子：344 访问空间发消息积分:939 LV6 高级工程师 2011-10-7 19:34:22
		回复 \| 举报 \|

		12 朴华朴华离线 LV8 副总工程师积分：3127 \| 主题：38 \| 帖子：1255 访问空间发消息积分:3127 LV8 副总工程师 2011-10-7 20:04:26
		你好，虽然我没做过多少设计，但是我觉得什么东西都可以尝试一下新的思路，去开阔一下。可能其他的拓扑结构虽然实行起来困难但是换来的效率或者说是结果会更好回复 \| 举报 \|

		21 st.you st.you 在线 LV10 总工程师积分：16772 \| 主题：8 \| 帖子：3793 访问空间发消息积分:16772 LV10 总工程师 2011-10-8 14:10:10
		我觉得实现这个电源设计的难点在于找到1000V的P沟道MOS。回复 \| 举报 \|

			24 WANGYUREN WANGYUREN 离线 LV10 总工程师积分：16197 \| 主题：94 \| 帖子：7325 访问空间发消息积分:16197 LV10 总工程师 2011-10-8 21:08:41
			ST有货？回复 \| 举报 \|

				26 st.you st.you 在线 LV10 总工程师积分：16772 \| 主题：8 \| 帖子：3793 访问空间发消息积分:16772 LV10 总工程师 2011-10-9 00:01:08
				回复 \| 举报 \|

					28 WANGYUREN WANGYUREN 离线 LV10 总工程师积分：16197 \| 主题：94 \| 帖子：7325 访问空间发消息积分:16197 LV10 总工程师 2011-10-9 09:33:06
					咋了？回复 \| 举报 \|

			25 WANGYUREN WANGYUREN 离线 LV10 总工程师积分：16197 \| 主题：94 \| 帖子：7325 访问空间发消息积分:16197 LV10 总工程师 2011-10-8 21:09:39
			恭喜发财回复 \| 举报 \|

		27 Deshine Deshine 离线 LV8 副总工程师积分：3570 \| 主题：42 \| 帖子：1085 访问空间发消息积分:3570 LV8 副总工程师 2011-10-9 00:28:54
		反激做500W确实难哦！回复 \| 举报 \|

			31 luobiao168 luobiao168 离线 LV2 本网技师积分：112 \| 主题：0 \| 帖子：6 访问空间发消息积分:112 LV2 本网技师 2011-10-9 17:54:35
			用MOS的半桥做好。成本会低一些。回复 \| 举报 \|

				32 WANGYUREN WANGYUREN 离线 LV10 总工程师积分：16197 \| 主题：94 \| 帖子：7325 访问空间发消息积分:16197 LV10 总工程师 2011-10-10 09:09:54
				能否推荐MOSFET半桥能自供电的控制IC？回复 \| 举报 \|

				33 xiaoliangyl xiaoliangyl 离线 LV7 版主积分：9465 \| 主题：35 \| 帖子：3650 访问空间发消息积分:9465 版主 2011-10-10 09:47:03
				MOS的半桥比用功率三极管半桥便宜？回复 \| 举报 \|

					34 WANGYUREN WANGYUREN 离线 LV10 总工程师积分：16197 \| 主题：94 \| 帖子：7325 访问空间发消息积分:16197 LV10 总工程师 2011-10-10 11:02:14
					即使半桥部分一样便宜，目前还没发现有MOSFET对称半桥便宜的自供电IC可用，这样多出来辅助电源的成本。回复 \| 举报 \|

						36 蓝色的天空蓝色的天空离线 LV8 副总工程师积分：5029 \| 主题：55 \| 帖子：2268 访问空间发消息积分:5029 LV8 副总工程师 2011-10-10 11:27:02
						IC放前面，像普通一电阻那样启动，有什么问题？回复 \| 举报 \|

							37 WANGYUREN WANGYUREN 离线 LV10 总工程师积分：16197 \| 主题：94 \| 帖子：7325 访问空间发消息积分:16197 LV10 总工程师 2011-10-10 11:35:01
							啥型号的IC？回复 \| 举报 \|

							38 WANGYUREN WANGYUREN 离线 LV10 总工程师积分：16197 \| 主题：94 \| 帖子：7325 访问空间发消息积分:16197 LV10 总工程师 2011-10-10 11:38:40
							还有个问题：BJT半桥可以自激振荡开机，PWM芯片在次级进行控制和保护；如果IC放在初级，过流保护要增加电流互感器、电压反馈要用光耦，这些都造成成本上升。回复 \| 举报 \|

								39 蓝色的天空蓝色的天空离线 LV8 副总工程师积分：5029 \| 主题：55 \| 帖子：2268 访问空间发消息积分:5029 LV8 副总工程师 2011-10-10 13:50:38
								RCC电路可以是BJT也可以是MOS。半桥的电路应当也可以用MOS自激振荡开机才对，细结问题不清楚，可能不是MOS的原因，也许是用MOS时没有必要那样。 BJT的主要应该是为了便宜。回复 \| 举报 \|

									40 WANGYUREN WANGYUREN 离线 LV10 总工程师积分：16197 \| 主题：94 \| 帖子：7325 访问空间发消息积分:16197 LV10 总工程师 2011-10-10 13:57:43
									BJT便宜是便宜，可是热稳定性不好，容易炸，现在求物美价廉的线路。用电阻启动的对称半桥控制IC是啥型号？回复 \| 举报 \|

										42 蓝色的天空蓝色的天空离线 LV8 副总工程师积分：5029 \| 主题：55 \| 帖子：2268 访问空间发消息积分:5029 LV8 副总工程师 2011-10-10 14:39:58
										我只说电阻起动方式，不知有没有这样的IC哦。回复 \| 举报 \|

											43 WANGYUREN WANGYUREN 离线 LV10 总工程师积分：16197 \| 主题：94 \| 帖子：7325 访问空间发消息积分:16197 LV10 总工程师 2011-10-10 15:08:54
											有啊：UCC2808即是，死贵回复 \| 举报 \|

											44 st.you st.you 在线 LV10 总工程师积分：16772 \| 主题：8 \| 帖子：3793 访问空间发消息积分:16772 LV10 总工程师 2011-10-10 15:25:00
											用一颗便宜的电阻启动的电源IC来做启动电路，再供给494一类的双端IC，价格不会贵到哪里去。回复 \| 举报 \|

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2011-10-10 15:37:31

此法甚妙，但是如果IC放在初级，过流保护要增加电流互感器、电压反馈要用光耦，这些都造成成本上升。

		41 fujapoe fujapoe 离线 LV2 本网技师积分：106 \| 主题：0 \| 帖子：3 访问空间发消息积分:106 LV2 本网技师 2011-10-10 14:35:55
		怎么不设计一款48V或者50V ，10A的电源呢？POE这块需求还是比较大的。回复 \| 举报 \|

		46 tanglidi tanglidi 离线 LV8 副总工程师积分：5860 \| 主题：11 \| 帖子：107 访问空间发消息积分:5860 LV8 副总工程师 2011-10-10 22:08:28
		反激一般用于150W-200W以下，高于这个值后EMI很难控制，同时成本不一定占优势。个人观点。回复 \| 举报 \|

			49 luobiao168 luobiao168 离线 LV2 本网技师积分：112 \| 主题：0 \| 帖子：6 访问空间发消息积分:112 LV2 本网技师 2011-10-14 14:25:35 倒数10
			我之前做的一款500W的用的MOS的。另外做了个辅助电源。是因为风扇用的辅助电源控制的。做了个空载风扇不转的电路。回复 \| 举报 \|