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跟我一起搜寻优秀的软开关逆变电路

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月波
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  • 2011-12-15 12:32:45
朋友们:我们一起搜寻优秀的软开关逆变电路,将之用于各自领域的电源上。
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blueskyy
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LV10
总工程师
  • 2011-12-15 12:48:24
 
来报名 ~
qa139001964
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LV2
本网技师
  • 2012-9-24 11:46:59
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我想了解全桥软开关方面相关知识
月波
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  • 2011-12-15 15:13:25
 
现在在焊机行业广泛采用的是:有限双极性全桥软开关电路,非常不错。
libing
  • libing
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LV8
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  • 2011-12-15 16:18:02
 
占个位子听课
qiu2000
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LV6
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  • 2011-12-15 18:43:54
 
我也来听讲。只怕是听不懂。一点点学吧。
cardiopathy
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LV8
副总工程师
  • 2011-12-16 08:36:35
 
熟知的一般也就那么几种软开关电路
主要是AC-DC的
如LLC,移相全桥,不对称半桥,另就是有限双极性
目前我还只做过LLC,其它暂无研究
逆变升压的软开关就不知哪种更好了
月波
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  • 2011-12-16 08:56:00
 
小功率的软开关电路多,但功率做不大,我们感兴趣的是做直流电焊机的软开关,功率一般1KW-100KW 负载特性是:平繁的反复的 “短路-负载-开路” 。
zcyzvs
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LV8
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  • 2011-12-16 09:10:55
 
我一直觉得最好的还是有限双极性软开关,带驱动互锁电路的,移相有很多的弊端的。
dxb0469
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LV6
高级工程师
  • 2011-12-16 14:12:20
 
学习!
月波
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  • 2011-12-16 15:57:50
 
有限双极性全桥软开关工作原理
一,有限双极性全桥软开关主电路拓扑结构说明:



图一,有限双极性全桥软开关主电路拓扑结构
月波
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  • 2011-12-20 09:19:32
 
图一中,由两个桥臂构成一个全桥逆变电路,Q1和Q3组成超前桥臂;Q2和Q4组成滞后桥臂,其中C1﹑C3为超前桥臂并联电容和寄生并联电容,C2﹑C4为滞后桥臂寄生并联电容,我们设定C1=C3≥C2=C4,其中D1﹑D2﹑D3﹑D4分别为四只开关管IGBT(或MOSFET)Q1﹑Q2﹑Q3﹑Q4的并联(或寄生)二极管,T1﹑C[sub]B[/sub]和Ls分别为主变压器﹑隔直电容和可饱和电感(又称磁性开关),Lx主变漏感和分布电感等的等效电感,L0为输出电感,D5和D6为二次侧整流二极管。
为达到有限双极性的全桥软开关的目的,四只开关管的开关时序如图二:

















图二:开关管时序
超前臂开关管Q1﹑Q3 PWM控制开通关断;滞后臂开关管Q2﹑Q4固定脉冲宽度相位差180o开通关断,Q1和Q4同时开通,Q1 PWM控制关断,Q4固定脉冲宽度关断;Q3和Q2同时开通,Q3 PWM控制关断,Q2固定脉冲宽度关断,Q1和Q4的驱动波形的相位相反;Q3和Q2的驱动波形的相位相反。
月波
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  • 2011-12-22 08:09:15
 
一,有限双极性全桥软开关PWM逆变电路工作原理分析
为了分析方便,突出重点略去无关紧要的细节,假定:
a,输出电感的电感量无穷大,流过该电感的电流是恒定的直流。
b,主变压器是理想变压器,其漏感等分布参数用专门的漏感Lk等效。
c,饱和电感Ls是理想的磁性开关,未饱和时电感非常大,饱和后电感几乎为零。
下面按时序逐一分析该电路的行为
1, t[sub]0[/sub]时刻(见图三): Q1和Q4已经导通多时,原边电流路径为:U+ → Q1 → Ls →Lk → C[sub]B[/sub] → T1 → Q4 →U-。原边电流Ip为副边输出电感的电流Io的1/n(n为变压器变比,n=Np/Ns)。此时饱和电感是饱和的,对电路没任何影响,隔直电容已充上左正右负的直流电压。这是原边向副边传送能量的过程,副边二极管D5导通,D6反偏截止。



图三:t0时刻
lizlk
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  • 2011-12-22 08:16:40
 
不错,顶起!
月波
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  • 2011-12-23 08:24:36
 
1, t[sub]1[/sub]时刻(见图四): Q1关断,原边电流Ip因为副边输出电感的作用不能突变,大小仍为Ip=Io/n,原边电流路径切换为为:C1;C3 → Ls →Lk → C[sub]B[/sub] → T1 → Q4 →U-。

图四:t[sub]1[/sub]时刻
原边电流Ip为电容C1充电,为C3放电,电容C1和C3连接点“1”点的电压从电源电压U开始缓慢下降,最终会下降到0;Q1的端电压从其导通时的饱和压降(3V左右)开始缓慢上升,最终会上升到电源电压U。设电容C1和C3的容量为:C1=C3=C, 则电压上升到U的时间为:t=2nCU/Io 可以看出,Q1的关断是零电压(3V左右)状况下的零关断,电压上升率和输出电流有关,输出电流越大,上升率就越大,Q1关断就越硬。
t[sub]1[/sub]时刻后,实际上是电容器C1和C3的电压为一次侧 Ls -Lk - C[sub]B[/sub] - T1 - Q4 回路提供电压,隔直电容继续被充电,电压仍为左正右负。原边继续向副边传送能量,副边二极管D5保持导通,D6仍然反偏截止。
3t[sub]2[/sub]时刻(见图五):



图五:t[sub]2[/sub]时刻
t[sub]2[/sub]时刻,电容C1被充满电,其端电压变成U,C2被放完电,其端电压为零0,由于电感中电流不能突变,电流则通过D3继续流动,使得D3导通,原边电流流动路线改为U- → D3 → Ls →Lk → C[sub]B[/sub] → T1 → Q4 →U-,可见,电流的流动形性成了一个闭环,环的起点和环的终点是同一个点U-,这时的电流称为环流,此时,根据基尔霍夫电压环定律,可得ULK+UCB=0,可以认为:是隔直电容的电压加到漏感上,环路电流急剧减少。
此时Ip=Io/n–(UCB/LK)ta 副边二极管D5,D6同时导通为输出电感续流,主变压器被短路,环路电流不仅不传递能量到副边,而且在回路各元件上产生焦耳损耗。尤其是在D3和Q4上的损耗,会增加开关器件的通态损耗。故希望环流时间越短越好,环流衰减的越快越好。
在Ip=Io/n–(UCB/LK)ta 中可以看出,在其他条件不变的情况下,隔直电容越小,其端电压UCB会越较高,环流时间就越短,环流衰减就越快。
Ip=Io/n–(UCB/LK)ta ta 为环流衰减时间,当一段时间ta后,原边电流减少到非常小,设为Ipmin。这时饱和电感退饱和,电感恢复到非常大。原边电流会保持为Ipmin的值不变。此时,将Q4关断。

月波
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  • 2011-12-23 08:27:55
 
1, t[sub]3[/sub]时刻(见图六)
t[sub]3[/sub]时刻,Q4关断,此时Ip为Ipmin几乎等于0,Q4关断后,由于C2,C4的作用,Q4的端电压从其饱和电压(3V左右)开始缓慢上升,故Q4的关断为零电流/零电压关断。
图六:t3时刻
Q4关断后,原边的Ipmin小电流,由于漏电感LK 饱和电感LK的作用不能突变,将继续流动,流动路线为:U- → D3 → Ls →Lk → C[sub]B[/sub] → T1 → C2;C4。 为C4充电,为C2放电。此时将有电压UCB+U加在漏感和饱和电感上,电流进一步减少。
dsp2407
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LV8
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  • 2011-12-23 09:28:58
 
这个确实好!有限双极性软开关,应该针对的是大功率的焊机,也就是用到IGBT的场合,PSFB对MOSFET还行,对于IGBT貌似就差些了。一直想了解有限双极性软开关,不知道有没有专门的控制芯片?
dsp2407
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LV8
副总工程师
  • 2011-12-23 09:30:08
 
我读书时候的老板,搞的就是焊机,气保焊和脉冲焊。貌似记得用的都是PSFB而已
dsp2407
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LV8
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  • 2011-12-23 09:31:25
 
好象前臂用的MOSFET,后臂用的是IGBT吧?
月波
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  • 2011-12-23 13:27:37
 
都可以 随便用
dsp2407
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LV8
副总工程师
  • 2011-12-23 13:40:25
 
请教!实际应用起来容易实现不?前桥的PWM脉宽通过什么控制?后臂的移相角又如何呢?
月波
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  • 2011-12-23 14:33:02
 
简单极了
shi_xiao_bo
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LV4
初级工程师
  • 2011-12-23 15:00:20
 
占个位置,留个记号
l987654
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LV6
高级工程师
  • 2015-7-20 22:33:56
  • 倒数2
 
DSP很牛了,价格也不错
月波
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  • 2011-12-24 12:32:42
 
4,t4时刻(图七)
t4时刻,原边的Ipmin小电流为C4充电,为C2放电完毕,电容C4上电压为U,电容C2上电

图七:t4时刻
压为零,随后D2导通。同样:有电压UCB+U加在漏感和饱和电感上,电流进一步减少。一段时间

后,电流将衰减为零,并往负的方向发展。此时,Q2和Q3同时导通。

5,t5时刻(图八)
Q2和Q3同时导通,电流将沿以下路径流动:U+ → Q2→ T1→ C[sub]B [/sub]→ Lk → Ls→ Q4 →U-。由于饱和电抗器LS还没达到饱和,原边电流从零开始缓慢上升,故Q2和Q3为零电流开通。一段时间后(大于开关管Q2和Q3的开通时间)饱和电抗器LS饱和,失去电流抑制作用,副边电流Io转移到二极管D6上,二极管D5反偏截止,原边电流为Io/n,先对隔直电容放电后又反向充电。


图八:t5时刻
6,t6时刻(图九)
原边电流为Io/n,先对隔直电容放电后又反向充电,电压为右正左负。二极管D6继续导通,二极管D5继续反偏截止,原边向副边传递能量。一段时间后 Q3 PWM关断,原边电流Ip因为副边输出电感的作用
不能突变,大小仍为Ip=Io/n,原边电流路径切换为为:U+→ Q2 → T1→ C[sub]B [/sub]→ Lk → Ls → C1;C3,原边电流Ip为电容C3充电,为C1放电,电容C1和C3连接点“1”点的电压从零开始缓慢上升,最终会上升到U;Q3的端电压从其导通时的饱和压降(3V左右)开始缓慢上升,最终会上升到电源电压U。电压上升到U的时间为:t=2nCU/Io 可以看出,Q3的关断是零电压(3V左右)状况下的零关断,电压上升率和输出电流有关,输出电流越大,上升率就越大,Q3关断就越硬。


图九:t6时刻
t[sub]6[/sub]时刻后,实际上是电源U和电容器C1和C3的电压为一次侧Q2 - T1 - C[sub]B[/sub] -Lk - Ls 回路提供电压,隔直电容继续被充电,电压仍为右正左负。原边继续向副边传送能量,副边二极管D5保持导通,D6仍然反偏截止。当电容C3充电完毕,C1放电完毕,使得“1”点的电压上升到U时,进入t[sub]7[/sub]时刻。
7t[sub]7[/sub]时刻(图十)
图十:t[sub]7[/sub]时刻
t[sub]7[/sub]时刻电流改变路径为:U+→ Q2 → T1→ C[sub]B [/sub]→ Lk → Ls →D1 → U+,可见,电流的流动形性成了一个闭环,环的起点和环的终点是同一个点U+,此时ULK+UCB=0,可以认为:是隔直电容的电压加到漏感上,环路电流急剧减少。
此时Ip=Io/n–(UCB/LK)ta 副边二极管D5,D6同时导通为输出电感续流,主变压器被短路,环路电流不仅不传递能量到副边,而且在回路各元件上产生焦耳损耗。尤其是在D1和Q2上的损耗,会增加开关器件的通态损耗。因此环流时间越短越好,环流衰减的越快越好。
在Ip=Io/n–(UCB/LK)ta 中可以看出,在其他条件不变的情况下,隔直电容越小,其端电压UCB会越较高,环流时间就越短,环流衰减就越快。
Ip=Io/n–(UCB/LK)ta 中当环流衰减一段时间ta后,原边电流减少到非常小,设为Ipmin。这时饱和电感退饱和,电感恢复到非常大。原边电流会保持为Ipmin的值不变。此时,将Q2关断。
月波
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  • 2011-12-26 08:56:34
 
8t[sub]8[/sub]时刻(见图十一)


图十一:t[sub]8[/sub]时刻
t[sub]8[/sub]时刻,Q2关断,此时Ip为Ipmin几乎等于0,故Q2的关断为零电流/零电压关断。
Q2关断后,原边的Ipmin小电流,由于漏电感LK 饱和电感LK的作用不能突变,将继续流动,流动路线为:C2;C4 → T1→ C[sub]B [/sub]→ Lk → Ls →D1 → U+。 为C2充电,为C4放电。此时将有电压UCB+U加在漏感和饱和电感上,电流进一步减少。

4,t9时刻(图十二)
t9时刻,原边的Ipmin小电流为C2充电,为C4放电完毕,电容C2上电压为U,电容C4上电压为零,随后D4导通。同样:有电压UCB+U加在漏感和饱和电感上,电流进一步减少。一段时间



图十二:t4时刻
后,电流将衰减为零,并往负的方向发展。此时,Q1和Q4同时导通。………重

复上一个周期。

三,一次侧电流波形和逆变电路行为的对应点:

G1点对应超前臂关断点,X对应超前臂开关管并联的二极管续流点,T对应饱和电感退饱和点,G2点对应滞后桥关断点。




图十三

四,关键元件的设计计算
1,超前桥臂的零电流开通,饱和电感的计算:
饱和电抗器的主要作用就是用来保证超前桥臂的零电流开通,当超前桥臂开关管开通时,饱和电感尚未饱和,电感非常大,电流从零开始缓慢的增加,直到开关管完全开通后,饱和电感才饱和,电流升至正常的副边反射电流。所以要求选用矩形系数大,导磁率高的涡流损耗小的闭合磁芯,首选环形铁氧体磁环,根据高斯磁路定律和电磁感应定律可知:
NS=Ton*U/Bs ……………………(1)
L=N2Sμ0μr/lc……………………(2)
其中:N为饱和电感匝数;S为饱和电感磁芯导磁截面积;Ton为开关管导通总时间;U为直流母线电压;Bs为磁芯饱和磁密;L为电感量;μ0为真空导磁率μ0=4π×10-7 ;μr为相对导磁率;lc为环形磁芯平均磁路长度。由(1)和(2)式即可得出包和电感的磁芯导磁截面积和绕组匝数,再根据原边最大电流选择线径,保证磁环窗口能绕下绕组的条件下选择合适大小的磁环,这就确定了饱和电感的参数。
2,最小负载下超前桥臂的零电压关断,超前桥臂缓冲电容的计算:
我们起码得保证焊机在最小焊接负载情况下,超前桥臂的零电压关断条件,为此我们设定最小焊接电流为Io1,那么原边电流就为Io1/n 设超前臂开关的固故有关断时间为toff 要求在固有关短时间内保证充放掉桥臂电容C1和C3的电荷,故有:(Io1/n)* toff = Qc =2CU
所以:C = Io1* toff /2nU 由此可求得电容C1和C3的值。
3,空载下超前桥臂的零电压关断,无功功率电感的计算:
空载时,输出电流为零,PWM脉冲宽度最宽,ts 是最大宽度下的环流死区时间,一次侧的电流只有一个很小的励磁电流,在超前桥臂开关管关断时不能充分充放掉桥臂电容C1和C3的电荷,使得C1和C3有一定的残余电压,下一次导通的开关管会直接短路该电容,造成非常危险的微分焦耳热,很容易损坏开关管,因此必须引入无功功率电感,流过无功功率电感的无功电流必须满足:IR 2C*U/ts ………………(3)
无功功率电感并接在主变压器原边,那么有:U = LR *di/dt
所以在一个导通周期内有:IR = U*Ton/2* LR ………………(4)
那么:LR = U*Ton/2* IR U*Ton/2*(2C*U/ts) = Ton*ts/4C
选择无功功率电感为:LR Ton*ts/4C ………………(5).
则其电感量为:LRTon*ts/4Cn[sup]2[/sup]
1,适当缩短环流时间,加大环流衰减速度,隔直电容的计算:
环流发生在超前桥开关管关断后,滞后桥开关管关断前的时间段里,我们略去超前桥关断时桥臂电容充放电时间不计,可以得出超前桥关断时刻隔直电容上的电压的变化规律为:
UCX =Io*t/CX – Io*Ton/2*CX ………………(6)
超前桥关断后,其续流二极管导通,此时隔直电容上的电压变化规律为:
UCX =LK * di/dt ………………(7)
联解两式构成的微分方程可得环路电流谐振降为零的时间t的表达式,文献上有计算隔直电容的具体方法,可以直接使用,再根据经验,用实验的方法酌情选取。若隔直电容越小,环流时间就越短,环流衰减速度就越大,环流通态损耗就越小,占空比损失也越小,但原边变压器电压损失会变大,要求变压器变比要增加;若隔直电容越大小,环流时间就越长短,环流衰减速度就越小大,环流通态损耗就越大小,原边变压器电压损失会变小,但占空比损失也越大,要求变压器变比也要增加。所以,只有根据具体情况,适当的选取其数值。


power518
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高级工程师
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学习中...
dyabpmg
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加强学习
valli
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好帖 加强学习
ddxxmm_001
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谢谢楼主!
liu1337
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学习下
qiu2000
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LV6
高级工程师
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请教楼主,您讲的是“软开关逆变电路”,但您讲解的电路是直流电源吧?这里的逆变是不是就指在这过程中有DC变高频AC的部分,也算DC/AC了?
blueskyy
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理解正确 ~
zq4479
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  • 2011-12-23 20:37:13
 
软开关逆变电路有上面特点和优势呢?
nc965
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电焊机界的工程师习惯把有高频环节的电焊机电源叫做逆变电焊机,与通常意义的逆变电源不是一回事
qiu2000
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高级工程师
  • 2011-12-29 16:47:07
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知道了。我还因为只有DC/AC转化成220V或380V交流电才是逆变器,原来部分DC/DC也是逆变器。长见识了。谢谢!
liangway
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本网技师
  • 2011-12-25 13:27:53
 
学习学习——男人40打功夫!!!
东方
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副总工程师
  • 2011-12-25 14:06:26
 
很好的题目,学习了。
nc965
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版主
  • 2011-12-25 15:44:36
 
吴总还是上点波形图大家学习吧
fugems
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副总工程师
  • 2011-12-27 14:57:27
 
请问楼主:有限双极控制ZVZCS解决了原边桥臂的“软开关”,可副边整流二极管的反向恢复问题呢?(若都解决了,就实现了“双软开关”,如同工作在最佳状态的LLC-SRC一样。)
wuzhonggui
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高级工程师
  • 2011-12-29 20:00:21
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学习了,谢谢月波!
weisw0310
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高级工程师
  • 2012-1-17 09:22:51
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好帖
andywang
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副总工程师
  • 2012-1-31 12:58:50
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学习!
Coming.Lu
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版主
最新回复
  • 2015-7-21 14:07:08
  • 倒数1
 
这个最终还是DC-DC 啊,不知可否用于 DC转 50Hz 正弦波。
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