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未解决

大功率移相全桥电源与小功率电源有什么区别?

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1
厚劲薄发
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LV8
副总工程师
  • 2011-12-31 11:56:36
10问答币
想做一款大功率电源,移相全桥电路,80KW,输出150A,输入也有100A。以前只玩过小功率3KW左右的移相,不知做这么大的功率,与小功率有什么区别?欢迎赐教。
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jacky_zhang1975
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LV6
高级工程师
  • 2011-12-31 13:09:17
 
  没做过这么大的,只知道大功率的时候计生参数的影响要大得多,干扰大得多,元器件的设计和选型、布板都很重要。
fugems
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LV8
副总工程师
  • 2011-12-31 23:36:29
 
可否考虑n+1冗余的模式?
厚劲薄发
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LV8
副总工程师
  • 2012-3-11 13:58:40
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这倒是一个好办法,只是客户不接受啊。
yujiao
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LV6
高级工程师
  • 2012-1-2 23:05:52
 
我觉得主要还是IGBT的驱动和保护,控制部分原理是一样的,另外就是功率器件的选择,这么大的功率,可以做实验的机会不多
天使之光
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LV6
高级工程师
  • 2012-3-3 21:09:33
 
没做过这种电源,飘过
kyo
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LV8
副总工程师
  • 2012-3-3 21:55:53
 
可以选择多台并联,对单台而言,器件应力也下来咯!
hero_or_king
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LV6
高级工程师
  • 2012-3-3 22:18:53
 
搬凳子来学习
likepower
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LV8
副总工程师
  • 2012-3-3 23:12:37
 
用IGBT做移相,我觉得关断还是一个问题,而且是主要损耗,ZVS对IGBT的损耗减少贡献不是很大,所以移相并不太适合IGBT,尤其是上到大功率的场合,如果会ZVSZCS那就好多了。我也是不懂如何实现IGBT的ZVSZCS,记得有一个这样的帖子,但是看了许久,也没看懂。
likepower
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LV8
副总工程师
  • 2012-3-3 23:13:06
 
以上是个人浅见
hero_or_king
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LV6
高级工程师
  • 2012-3-10 22:49:55
  • 倒数9
 
对的,MOSFET的主要损耗是开通损耗,因为它的输出电容比同功率量级的igbt要大的多,所以zvs开通对MOSFET的损耗有很大的降低,而igbt则由于结构所限,关断时会形成us级的拖尾电流,从而形成电流电压的交叠,也就是关断损耗,所以igbt主要是要完成zcs关断。还有一个就是大的输出电流的话要同步整流或者设计让次级整流管zcs关断。
厚劲薄发
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LV8
副总工程师
  • 2012-3-11 13:57:43
  • 倒数7
 
说到点上了,我也在想如何ZCS。有没有相关的链接或是文档供参考,谢谢。
hero_or_king
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LV6
高级工程师
  • 2012-3-11 15:39:34
  • 倒数5
 
这么大功率的没做过,看都没看过几个。。。
厚劲薄发
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LV8
副总工程师
  • 2012-3-11 13:56:44
  • 倒数8
 
我比较过硬开关和移相(针对我项目),移相减少开通损耗,多一点导通损耗;硬开关增加开通损耗,少一点导通损耗。两相比较,还是移相合算一点,所以选了移相。
IGBT确实这个拖尾电流影响比较明显,你说的那个帖子,能给个链接么?谢谢。
pandy
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LV8
副总工程师
  • 2012-3-10 22:43:13
  • 倒数10
 
没做过这么大的功率!
zcyzvs
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LV8
副总工程师
  • 2012-3-11 21:10:35
  • 倒数4
 
这么大的功率只能搞三电平控制的全桥了,普通的做不了的,IGBT频率无法突破。
三电平的软开关全桥专做超大功率的电源。
厚劲薄发
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副总工程师
  • 2012-3-12 11:17:11
  • 倒数3
 
可有相关文献供参考?
zhanmin975
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副总工程师
  • 2012-3-12 12:05:19
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请教楼主:3KW辅助谐振电感利用的是变压器的漏感,还是额外增加一个电感了?
厚劲薄发
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副总工程师
最新回复
  • 2012-3-14 09:37:43
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3KW的移相或是LLC,一般都额外增加电感。
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