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未解决

全桥，实验时MOS管GS两端为什么有时要另外多加一个电容？

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reds

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2012-4-4 19:35:56

10问答币

MOS本身就有一个一百多P的输出电容

收藏5

		2 zq4479 zq4479 离线 LV7 版主积分：7220 \| 主题：124 \| 帖子：2363 访问空间发消息积分:7220 版主 2012-4-4 20:20:24
		安全方面的考虑多一点。回复 \| 举报 \|

			3 reds reds 离线 LV8 副总工程师积分：2104 \| 主题：295 \| 帖子：691 访问空间发消息积分:2104 LV8 副总工程师 2012-4-4 20:28:14
			比如呢，为什么会不安全？回复 \| 举报 \|

		4 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131448 \| 主题：37517 \| 帖子：55634 访问空间发消息积分:131448 版主 2012-4-4 21:49:11
		加电容有三种可能： 1）实现软开关 2）抑制开关噪音（EMI/EMC...) 3）过压吸收回复 \| 举报 \|

			5 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2012-4-4 22:29:20
			估计是看错了吧，人家说的是G-S 回复 \| 举报 \|

				6 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131448 \| 主题：37517 \| 帖子：55634 访问空间发消息积分:131448 版主 2012-4-4 22:35:20
				没有啊！G-S并电容；能延迟MOSFET开通，达到同步目的。。。后面自己慢慢琢磨吧回复 \| 举报 \|

					7 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109919 \| 主题：142 \| 帖子：45932 访问空间发消息积分:109919 版主 2012-4-5 08:16:09
					哈哈，我原本只了解2、3。回复 \| 举报 \|

						8 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131448 \| 主题：37517 \| 帖子：55634 访问空间发消息积分:131448 版主 2012-4-5 09:49:27
						这东西深揪后；问题很多。回复 \| 举报 \|

			11 zcyzvs zcyzvs 离线 LV8 副总工程师积分：2998 \| 主题：25 \| 帖子：517 访问空间发消息积分:2998 LV8 副总工程师 2012-4-6 15:10:44
			2）抑制开关噪音（EMI/EMC...) 3）过压吸收这两条有点认可，我自己理解是抑制驱动波形的震荡，我们曾经有个案例，电源在快速的开关机中有的会炸MOS管，测试发现，在快速的反复的开关机的时候，驱动波形震荡很厉害，示波器扑捉到有的驱动电压瞬间超过了20V，后来加了一个680P的电容解决了，从此不炸MOS了。回复 \| 举报 \|

		9 lucsunny lucsunny 离线 LV6 高级工程师积分：802 \| 主题：66 \| 帖子：262 访问空间发消息积分:802 LV6 高级工程师 2012-4-6 14:19:40
		这个大家都这么做，没有为什么的。回复 \| 举报 \|

			10 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109919 \| 主题：142 \| 帖子：45932 访问空间发消息积分:109919 版主 2012-4-6 14:48:35
			都这么做？都这么做也有为什么之说。回复 \| 举报 \|

			13 二手电工二手电工离线 LV6 高级工程师积分：1733 \| 主题：11 \| 帖子：534 访问空间发消息积分:1733 LV6 高级工程师 2012-4-6 17:32:42
			多问几个为什么是为了了解为什么，不要问为什么要问为什么。回复 \| 举报 \|

		12 晶纲禅诗晶纲禅诗离线 LV7 版主积分：15504 \| 主题：220 \| 帖子：6445 访问空间发消息积分:15504 版主 2012-4-6 15:16:49
		在无负压关断的全桥拓扑中，对大部分MOS FET来说，G、S并电容是很有必要的。回复 \| 举报 \|

			29 qingyang235 qingyang235 离线 LV4 初级工程师积分：345 \| 主题：0 \| 帖子：21 访问空间发消息积分:345 LV4 初级工程师 2019-1-25 16:45:52 倒数2
			确实是，无负压在关断过程中上管开的过程中会有一个尖峰，加一个电容，吸收尖峰的效果很不错。回复 \| 举报 \|

		14 宛东骄子宛东骄子离线 LV6 高级工程师积分：611 \| 主题：2 \| 帖子：90 访问空间发消息积分:611 LV6 高级工程师 2012-4-7 14:17:30
		并的这个GS电容主要是防止米勒效应引起的下管GS位移电流突变吧，防止桥臂直通绝对好。回复 \| 举报 \|

			15 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131448 \| 主题：37517 \| 帖子：55634 访问空间发消息积分:131448 版主 2012-4-7 21:52:06
			错！这个电容会引起脉冲宽度增加，反而会增加直通可能。回复 \| 举报 \|

				16 reds reds 离线 LV8 副总工程师积分：2104 \| 主题：295 \| 帖子：691 访问空间发消息积分:2104 LV8 副总工程师 2012-4-8 14:34:59
				请问有什么资料吗，关于MOS的回复 \| 举报 \|

				17 晶纲禅诗晶纲禅诗离线 LV7 版主积分：15504 \| 主题：220 \| 帖子：6445 访问空间发消息积分:15504 版主 2012-4-8 22:02:53
				许工：这个G、S并C的办法不是“单一”的并C措施，而是有“特定条件”的，在MOS FET 或IGBT的全桥中都有应用，最大的50KHz频率并联0.022uF/63V都有实际应用，前几年我刚看到这种应用时，心里暗骂“设计此电路的工程师”脑子有毛病，并这么大的C干嘛！？后在实际应用中偿到“甜头”后才知此法的妙处。回复 \| 举报 \|

					18 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131448 \| 主题：37517 \| 帖子：55634 访问空间发消息积分:131448 版主 2012-4-8 22:30:02
					适度改变栅电阻匹配也是可以达到你说的效果的。回复 \| 举报 \|

						19 晶纲禅诗晶纲禅诗离线 LV7 版主积分：15504 \| 主题：220 \| 帖子：6445 访问空间发消息积分:15504 版主 2012-4-9 22:54:25
						是的！前面我所说的G、E并0.022uF是两个150A/1000V的半桥模块所组成的50KHz软开关全桥电路，驱变很大，是PQ型，外观似EE40那般大小；去年又见到45KHz硬开关单管IGBT特种电源，G、E并0.01uF，输出带载6.5KW时的G 、E波形我还有存档。回复 \| 举报 \|

							20 lizlk lizlk 离线 LV7 版主积分：6650 \| 主题：15 \| 帖子：1068 访问空间发消息积分:6650 版主 2012-4-10 00:53:12
							是的，我一般会用大一点的R加并联一个适当的C，这样既可以将波形做到非常完美，在死区时段后不过冲，并且不会给驱动带来严重的负担。回复 \| 举报 \|

					21 huaqielec huaqielec 离线 LV8 副总工程师积分：4959 \| 主题：87 \| 帖子：1630 访问空间发消息积分:4959 LV8 副总工程师 2012-4-10 06:33:14 倒数10
					学习了！！能够详细的讲一讲他的作用吗？回复 \| 举报 \|

				22 zhuuuuu zhuuuuu 离线 LV4 初级工程师积分：340 \| 主题：8 \| 帖子：110 访问空间发消息积分:340 LV4 初级工程师 2012-4-13 18:51:24 倒数9
				这个事典型的抑制米勒电容（G和d之间的电容，一般都会给出此寄生电容大小） i=C米勒*du/dt 所以当漏极电压正向波动很大时，会通过米勒电容产生充电电流，此电流流过驱动电阻，即产生DELTA V,此电压可导致电压超过+20V，mos管会击穿回复 \| 举报 \|

					23 zcyzvs zcyzvs 离线 LV8 副总工程师积分：2998 \| 主题：25 \| 帖子：517 访问空间发消息积分:2998 LV8 副总工程师 2012-4-13 20:36:28 倒数8
					经过仿真，发现许工的几条说法完全正确，回复 \| 举报 \|

					25 reds reds 离线 LV8 副总工程师积分：2104 \| 主题：295 \| 帖子：691 访问空间发消息积分:2104 LV8 副总工程师 2012-4-15 19:35:20 倒数6
					不好意思我没太懂，可以说的详细一点吗，G-S并的电容的作用体现在哪儿？回复 \| 举报 \|

						26 zhuuuuu zhuuuuu 离线 LV4 初级工程师积分：340 \| 主题：8 \| 帖子：110 访问空间发消息积分:340 LV4 初级工程师 2012-4-21 10:44:44 倒数5
						你加的G和E之间的电容就是和G和d之间的寄生电容串联，即减小了充电电流。具体可以看上面的解释，抑制驱动电压波动的。回复 \| 举报 \|

				28 reds reds 离线 LV8 副总工程师积分：2104 \| 主题：295 \| 帖子：691 访问空间发消息积分:2104 LV8 副总工程师 2012-4-22 15:54:10 倒数3
				可以讲讲为什么会使得脉冲宽度增加吗回复 \| 举报 \|

		24 zl我爱你 zl我爱你离线 LV2 本网技师积分：170 \| 主题：0 \| 帖子：19 访问空间发消息积分:170 LV2 本网技师 2012-4-13 21:35:41 倒数7
		也可不加，对地接一电阻（几K吧）回复 \| 举报 \|

		27 nc965 nc965 在线 LV7 版主积分：93917 \| 主题：115 \| 帖子：27422 访问空间发消息积分:93917 版主 2012-4-21 18:18:04 倒数4
		可能是你的导师对驱动电路的意外逻辑没有信心，叫你们加一个电容安全点。回复 \| 举报 \|

		30 cyx7610 cyx7610 离线 LV10 总工程师积分：16461 \| 主题：80 \| 帖子：3613 访问空间发消息积分:16461 LV10 总工程师最新回复 2019-1-25 22:56:28 倒数1
		GS一般不另外再加一颗电容。会使驱动变缓。回复 \| 举报 \|

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