 |  | | | | 英飞凌新 OptiMOS 是专利技术产品吗？
回复内容：：OptiMOS 包含多种专利 |
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| | | | | OptiMOS是比Coolmos还要低导通电阻的存在吗？COOLmos的导通电阻都很低了啊。
回复内容：：不是同一个电压等级， 通常低压MOS的导通电阻比高压要低OptiMOS是英飞凌的低压产品20-300V.CoolMOS是英飞凌的高压产品500V-900V |
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| | | | | 有没有相关资料先看下？
回复内容：：相关资料世纪电源网可以下载 |
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| | | | | 上次在宁波大比特组织召开的LED驱动电源研讨会上听过你们的报告，你们的管子功耗确实较低，但大家对你们的管子普遍感到较贵，在普通民用照明市场应用不多，你们的技术人员说可以提高功率密度来解决，不知道你们规格书中推荐的功率有没有考虑此问题？
回复内容：：感谢对英飞凌产品的关注，对于照明市场我们建议高压CoolMOS C6系列，性价比进一步提高 |
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| | | | | 演讲主题： 英飞凌新 OptiMOS 全面提升不同负载效率
举行日期： 2012年 07月 17日 （周二）上午 10:00--12:00
预先注册会议并提问地址： http://webcast.21dianyuan.com/show/393
演讲专家： 王进
王进先生2004年毕业于湖北大学电子信息工程专业，随后就职于Artesyn中国设计部， 艾默生雅达中国设计部，从事高功率AC/DC, DC/DC开关电源的设计开发。2009年加入英飞凌科技（中国）有限公司。任系统应用工程师，负责英飞凌功率半导体器件的应用和方案推广。
演讲內容介紹：
英飞凌新的OptiMOS产品为MOSFET分离器件设立了一个新的功率密度和能效标准。 极低的门极电荷，输出电荷以及极低的导通电阻使得New OptiMOS成为服务器，数据通信和电信产品电压调节器上的最佳选择。40V, 60V OptiMOS更为DC/DC变换器, 同步整流, 太阳能微逆变器, 低压马达驱动等应用量身定制。
英飞凌新的OptiMOS 产品在以下方面具有最佳方案：
－在各种负载情况下降低功率损耗提升能效
－采用CanPAK 或者 S3O8更能节省空间
－减小系统EMI使得外置的吸收电路不再需要
预先注册本次在线研讨会，将会增大在7月18日至7月28日 2012 英飞凌夏季大型网络活动“CoolMOS™ 开门吧” 活动中的中奖机率！
获奖攻略；
1、预先注册本次在线研讨会；
PS: 将会提升您的中奖机率
2、预先注册本次会议并预先提问的网友；
PS: 将会增加中大将的机率(预先提问必须于本次在线研讨会主题一致的问题)
2012 英飞凌夏季大型网络活动“CoolMOS™ 开门吧” 800份精美礼品
了解详情请点击：https://bbs.21dianyuan.com/79501.html
下载本次研讨会演讲资料
Infineon New OptiMOS.pdf |
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| | | | | 驱动这种MOS管 是不是要必须的驱动芯片 多管并联是不是像coolmos一样要特别注意 均流
回复内容：：驱动芯片和普通的驱动电路都可以，MOSFET并联都需要注意均流，但是对于MOSFET来说，并不同于二极管，MOSFET温度升高导通电阻会增大，电流自然减小。所以MOSFET本身具有平衡电流的能力。但是我们也需要注意每个MOSFET,PCB，驱动电路的一致性。 |
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| | | | | 如何减小系统EMI？原理是什么？
回复内容：：EMI通常是由MOSFET di/dt,dv/dt引起的。OptiMOS在开关过程中具有低的di/dt, dv/dt，同时具有低的门极驱动震荡，可以起到减小EMI的作用。 |
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| | | | | New OptiMOS 极低的导通电阻可以到多低？
回复内容：：0.8毫欧 |
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| | | | | New OptiMOS 耐压和耐流值现在能做到多大？
回复内容：：电压高达300V, 更高电压的是我们的高压CoolMOS。电流取决于封装，晶元本身电流高达几百安培。 |
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| | | | | OptiMOS的MOSFET都有哪些封装形式,VDS和ID最大能做到多少?
回复内容：：目前主流封装都有,TO220, D2PAK, DPAK, SSO8, S3O8, Power stage...电压高达300V, 更高电压的是我们的高压CoolMOS。电流取决于封装，晶元本身电流高达几百安培。 |
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| | | | | OptiMOS 在DC/DC与AC/DC电源方案中应用有哪些注意点，以及效率区别。
回复内容：：OptiMOS在DC/DC中可以用在原边和副边，具体情况需要看拓扑结构。通常我们需要看流过MOS的电流大小， 驱动电压， 开关频率等因素。 OptiMoS用于AC/DC是在副边的同步整流电路。 导通电阻，二极管特性，Qg...等对效率来说比较重要。 |
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| | | | | 这种低压MOS的开启电压是多少V?
回复内容：：不同系列产品，开启电压不同， 规格书中有Vgsth有给出最大和最小值 |
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| | | | | 相同通电流水平下，SO-8的Rdson要比TO-220的小吗？为什么？
回复内容：：相同的晶元，SSO8/SO-8的Rdson要比TO220小， 当然我们更推荐使用SSO8封装， 性价比和散热方面都要好。对于高压的产品(>600V)通常90%导通电阻是受晶元部分影响， 而对于30V的低压MOS, 50%的导通电阻是受封装影响。 封装的引脚是导致封装电阻的最重要原因。 |
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| | | | | Rdson 大小跟通电流能力之间有什么内在的联系吗？
回复内容：：I^2*Rdson*Rthjc+Tc=TjmaxRthjc是热阻， Tc是MOS表面温度， Tjmax是MOS的最高结温如150C. 所以根据以上公式， 电阻越大的MOS，电流越小。 |
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| | | | | 请问，gfs这个参数（transconductance）实际的意义是什么啊？
请英飞凌工程师解答，谢谢！ |
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| | | | | OptiMOS的开关速度能达到多少?
回复内容：：开关的速度根损耗和热设计有关系， 理论上如果散热设计没有问题， 开关速度多高都可以。 如果使用在高频电路当中，我们推荐使用SMD封装，因为贴片封装的寄生参数更小。 对于英飞凌的产品，有公司将其使用在1M的开关频率 |
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| | | | | OptiMOS 在电源应用上有什么优势
回复内容：：低阻抗， 低Qg, Qoss,可以减小电源的导通损耗和开关损耗。另外新的OptiMOS可以减小Vds的电压，使电源产品更加容易设计。 |
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| | | | | OptiMO与其它的MOS主要区别，此种MOS对印制板的布板要求是否非常的高？
回复内容：：OptiMOS是英飞凌的低压MOS，New低压MOS印制板的布板要求更低 |
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| | | | | 新 OptiMOS是如何做到全面提升不同负载效率的？
回复内容：：通常Ron会影响到导通损耗，Qg,Qoss会影响到开关损耗。 而电源在轻载的时候主要损耗是开关损耗，而重载的时候主要是导通损耗。而对于MOS而言， Ron大的话，Qg,Qoss就小了，反之亦然。所以只有MOS技术上的突破才能同时降低Ron， Qg, Qoss,从而减小电源的导通损耗和开关损耗，全面提升效率。 |
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| | | | | 从简介上看此新型OptiMOS的栅极输入电容很小导通电阻极底，开关速度太快，EMI是不是得特别注意呢？在设计时需要注意什么吗？
回复内容：：当然， 开关速度太快的话会影响到EMI,但是英飞凌new低压MOS具有非常干净的开关波形，小的震荡会使得该产品具有优异的EMI特性。设计时注意选择驱动回路的寄生参数， 选择贴片封装也会对EMI有一定的帮助。 |
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| | | | | 此MOS如有在UPS电源上有没有优势呢？如价格成本问题。
回复内容：：OptiMOS是低压产品， 高压的话请选择我们的CoolMOS。 但是对于低压输入的UPS， OptiMOS 300V的产品是一个比较好的选择，目前300v产品并不多见。 |
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| | | | | 有没有TO-220封装的？CANPAK不好设计散热器。
回复内容：：有的， CanPAK可以使用顶层散热， 可以达到比TO220更高的效率哦 |
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| | | | | 文档中的power dissipation是什么含义？能否详细讲解下？
回复内容：：是功率损耗的意思， 通常MOS的损耗以3部分为主， 一个是导通损耗，一个驱动损耗， 还有一个是输出电容的损耗。 通常对应MOS的3个 参数是Ron, Qg, Qoss. |
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| | | | | 驱动OptiMOS的最佳电压曲线范围是多少？这样才能让OptiMOS导通彻底降低OptiMOS导通损耗？
回复内容：：需要看应用， 通常提升驱动电压高的话会增加驱动损耗。 但是如果太低的话，MOS不能完全导通会增加导通损耗。 因此需要根据实际的应用来定， 通常选5v-15V之间。 如果单纯的降低导通损耗可以将MOS的驱动电压升高点 |
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| | | | | 现在急需要英飞凌的650V,8A的OptiMOS管子，不知道能否提供测试样品申请？
回复内容：：500V以上的我们只有CoolMOS，我们可以提供样品测试。请与我们的代理联系： 公司名称: Edal Electronics Co., Ltd. 易達電子有限公司 联系人: 林贻泰 邮箱: jasonlam@edal.com.hk 公司名称：Best Power Limited 百司力有限公司 联系人：徐旭光 邮箱：andy.xu@b-power.com.hk 公司名称：Weikeng International Co., Ltd 威健实业国际有限公司 联系人：黄锐 邮箱：Henry.huang@weikeng.com.cn 公司名称：Arrow Electronics (Shenzhen) Co., Ltd. 艾瑞电子（深圳）有限公司 联系人：谢德明 邮箱：TOMMY.XIE@arrowasia.com 公司名称：Avnet Technology Hong Kong Ltd. 安富利科技香港有限公司 联系人：曾兆康 邮箱：henry.tsang@avnet.com 公司名称：Silicon Application Company Limited 品佳电子有限公司 联系人：亓兴波 邮箱：samqi@sac.com.hk |
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| | | | | 温度与RON的关系是怎样的呢？
回复内容：：温度高的话， Ron会增大 |
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| | | | | optiMOS和coolMOS有啥区别？
回复内容：：OptiMOS 低电压MOSFET 从25V-300VCoolMOS 高电压MOSFET 从500V-900V |
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| | | | | OptiMOS Rdson能做到多少
回复内容：：25V 0.9 mohm SS08封装40V 1.0 mohm SS08封装60V 1.6 mohm SS08封装 |
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| | | | | 小批量购买应该去找哪些代理商?
回复内容：：公司名称: Edal Electronics Co., Ltd. 易達電子有限公司 联系人: 林贻泰 邮箱: jasonlam@edal.com.hk 公司名称：Best Power Limited 百司力有限公司 联系人：徐旭光 邮箱：andy.xu@b-power.com.hk 公司名称：Weikeng International Co., Ltd 威健实业国际有限公司 联系人：黄锐 邮箱：Henry.huang@weikeng.com.cn 公司名称：Arrow Electronics (Shenzhen) Co., Ltd. 艾瑞电子（深圳）有限公司 联系人：谢德明 邮箱：TOMMY.XIE@arrowasia.com 公司名称：Avnet Technology Hong Kong Ltd. 安富利科技香港有限公司 联系人：曾兆康 邮箱：henry.tsang@avnet.com 公司名称：Silicon Application Company Limited 品佳电子有限公司 联系人：亓兴波 邮箱：samqi@sac.com.hk |
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| | | | | 请问OptiMOS的储存和工作的最高和最低工作温度是多少？
回复内容：：存储和最高结温是150C， 最低工作温度是-55C |
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| | | | | 你好，我们的DC-DC电源用于通信基站，了解需要高效的MOSFET,请问：1，哪里可以下载到OptiMOS的PDF文档？没找到相关内容2，价格优势？3，是否低压驱动？4，optiMOS和coolMOS主要区别？
回复内容：：可以在英飞凌的官网下载。www.infineon.com 根据型号搜索即可。性价比高的可以选择CoolMOS C6系列。OptiMOS是300V 以下产品， CoolMOS 500V以上。 |
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| | | | | 我是做电源的，我想了解的是贵公司的coolMOS和OptiMOS在应用中要注意那些事项？我的邮箱hwsmlan@163.com
回复内容：：谢谢您的支持， 如有具体的案例请联系我 jimmy.wang@infineon.com |
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| | | | | 如何解决输入DC在70V以下，输出3V或5V的方案，当然成本是关键的啊，谢谢
回复内容：：看功率大小，可以使用有源嵌位，或两级拓扑。 |
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| | | | | OptiMOS的开通门限很低，规格书中VGS为最大值2.4V，但是在VGS和Qgate的曲线图中的转折电压为接近4V，这是为什么？
回复内容：：开启电压和您说的转折电压不同，开启电压是指MOS刚导通。而4V时MOS导通电阻基本到达最小值 |
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| | | | | 你好，请问可以用于12V转5V电流是最大25A的电路中吗？如果可以的话效率可以做到多少？
回复内容：：可以，可以用于单相或多相buck.电流可以达到45A, 1V 输出，效率可以达到93以上， 相信5V会更高 |
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| | | | | optimos 体二极管性能如何？？
回复内容：：我们有体内集成快恢复二极管的OptiMOS，例如BSC0901NSI，后缀带I的表示体内集成快恢复二极管 |
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| | | | | 此种MOS用于同步整流效果如何 对驱动电压的要求高吗
回复内容：：适合使用在同步整流中， 一般驱动电路即可。 |
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| | | | | 1.英飞凌新的OptiMOS 产品能不能具体指出几个型号？2.Optimos Rds(ON)*Qg的优势 3.集成二极管的特性和对系统性能的影响?4.OptiMOS用什么驱动较好
回复内容：：BSC010N04LS， 40V Ron=1mO, Qg=95nQ的产品。驱动不需要特别处理 |
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| | | | | 请问新的OptiMOS主要是在封装上有改进还是在工艺上做了改进？
回复内容：：工艺上的改进。 |
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| | | | | 低的门极电荷以及极低的导通电阻对于MOS管的反向恢复有没有影响？
回复内容：：没有影响，new OptiMOS具有带快恢复二极管的系列。 |
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| | | | | 1、不知道是否有大功率的、高耐压的OptiMOS模块生产，这样可以有效的应用在高开关频率的大功率软开关电源上？2、以前没毕业时就听说CoolMos，由于毕业后从事大功率开发，很少使用它，不知道现在的OptiMOS有什么更好的优点？3、CoolMos刚出的时候，我相当振奋，因为它更精于降低损耗，降低热阻，而这种降低损耗和热阻的方式会提升它的生产成本，但随着软开关技术的兴起，不知道它是否还有优势所在？
回复内容：：OptiMOS暂时还没有模块。英飞凌现在也有IGBT模块，相信能够帮到你。 对于软开关产品，主要损耗是导通损耗，CoolMOS低导通损耗会更具有优势， 通常实现软开关时，MOS的二极管需要具有快速的反向恢复特性，而CoolMOS的CFD, 和OptiMOS的中带快恢复二极管的产品都非常适合使用在软开关应用。 |
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| | | | | 可以去掉吸收电路，那效率就可以做到很高了，对变压器要求是不是高一点.
回复内容：：去掉吸收电路的原因是MOS内置了RC吸收，可以降低过冲电压。 当然能够减小变压器的漏感是最好的方法了。 |
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| | | | | 除了内阻外其他参数影响在损耗中占的比例有多大？因为实际测试中换内阻小的MOS不一定会降低功耗，麻烦解释下！
回复内容：：轻载和重载损耗所占比例并不相同。 因此如果需要降低功耗，必须同时考虑MOS的开关损耗和导通损耗。newOptiMOS可以同时降低ron和Qg, 兼顾开关损耗和导通损耗。 |
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| | | | | COOL MOS与传统MOS的异同点在哪里？有哪些优点与缺点？
回复内容：：传统MOS的导通电阻是随耐压的1.2到 1.4次方增长。 而CoolMOS可以做到导通电阻和耐压成正比。 所以CoolMOS在降低导通电阻，提升效率方面有很大优势， 而且电压越高， CoolMOS优势越明显。 |
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| | | | | New OptiMOS是属于什么类型的开关管，是NPN还是PNP的那？
回复内容：：NMOS， 常闭型 |
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|  | | | | 楼主这样报名可以吗？请问对原来的电路要改变吗？特别的驱动的线路。
无锡凤凰半导体科技有限公司
沈希颖13306176857 |
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| | | | | 尊敬的英飞凌高工们你们好：请问下贵司coolmos的C3系列的跟C6系列的有何不同，他们的优缺点是？我们在选择的时候应该注意些什么？谢谢。
回复内容：：C6是新一代的CoolMOS产品，两年前已上市，在性能上（Qg，Rdson， 等）有不少提升，同时价格成本都有一定的改善。新的设计，建议用C6系列的 |
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| | | | | 尊敬的英飞凌高工们你们好：请问下贵司coolmos的C3系列的跟C6系列的有何不同，他们的优缺点是？我们在选择的时候应该注意些什么？谢谢。
回复内容：：C3是英飞凌的第三代产品， C6是第六代产品。 C6性能方面都要优于C3, 具有更低的Ron, Qg,Qrr... 另外价格方面也要比C3便宜。 需要注意的是C6具有比C3大的门极驱动电阻。 替换时主要外加驱动电阻相应变小即可。 |
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| | | | | 王工您好，请教款mos管 根本上mos管本身就是受控的负载，在各种负载下降低功耗是什么原理？续流二极管的反恢复怎么样？我觉得mos管上占比较大比例的损耗还是在这个二极管上。
回复内容：：二极管的损耗包括两部分Pdiode=Vd*Id*tbdon*fPqrr=Qrr*Vds*f |
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| | | | | coolmos的耐压最高为多少，耐压为1KV左右的coolmos价格多少？
回复内容：：CooLMOS目前最高是900V, 更高的话建议使用IGBT或者SiC JFET |
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| | xkw1cn- 积分：131441
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- 主题：37517
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- 帖子：55633
积分:131441 版主 | | | 请问；85C下的体二极管恢复特性如何？与25C下特性有多大区别？
回复内容：：有区别的，你可以找到贵公司对应的技术支持。 我们可以分别提供相应的参数。 |
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| | | | | 适合于应用在多高工作频率的开关电源中？耐冲击电流的能力怎么样？
回复内容：：评估冲击电流需要看规格书上的SOA曲线。需要看在MOS承受冲击电流时对应的电压。 再看该电压和冲击时间所对应的电流最大值，通常SOA越宽，MOS的耐电流冲击能力越好 |
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| | | | | 请问哪里可以下载资料
回复内容：：www.infineon.com/optiMOS |
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| | | | | 英飞凌的SIC二极管和普通二极管有何优势？
回复内容：：SiC 二极管没有反向恢复时间，因此可以大大降低二极管的开关损耗， 同时也可以降低反向恢复时PFC电路中MOS的损耗。大大提升PFC电路的效率.对于PFC电路，提升频率，功率密度有很大的帮助。 |
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| | | | | OptiMOS采用CanPAK 或者 S3O8虽然节省空间，但是大电流场合管脚损耗就应该很大吧
回复内容：：S3O8和CanPAK是无因脚封装， 因此损耗更小。 |
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| | | | | 有无高压产品呢?
回复内容：：有高电压 MOS (CoolMOS), 电压从500V-900V (500V, 600V, 650V, 800V, 900V).碳化硅二极管 600V, 1200V |
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| | | | | 在MOSFET的评估系统中，如何看待Qg/Rdson这个式子的
回复内容：：FOM=Qg*Rdson. 通常这个值比较小的话， MOS对于提升效率越好。 |
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| | | | | 采用CanPAK或者S3O8更能节省空间该种封装不知较之TO-220的散热如何呢？有哪些优点？
回复内容：：采用贴片封装， 如SSO8, S3O8, CanPAK,,等可以有几种散热方式可以供选择，可以采用PCB本身散热，PCB加过孔可以有帮助。 如果功率比较大，可以在MOSFET顶部加散热器，扣在PCB上。 另外也可以在PCB背面加绝缘片和散热器. |
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| | | | | OPTIMOS导通电阻最低是多少？
回复内容：：25V 可以达到0.8mO |
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| | | | | 产品在太阳能微逆变器应用上有那些优势
回复内容：：高功率密度，高效率，高可靠性 |
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| | | | | OptiMOS有哪些封装形式，低压大电流的有无LFPAK封装形式的？
回复内容：：封装比较多样，从贴片到插件。我们的SSO8封装和其他公司的LFPAK是兼容的 |
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| | | | | 耐压值只有40V 60V的吗、是否有更大耐压的？
回复内容：：目前我们推出的新的OptiMOS有25v,30v,40v,60V. 更高的电压产品会相继推出 |
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| | | | | 不知道驱动门极电阻是否还像以往那样需要，或者是驱动电路之间是否还兼容？
回复内容：：硬开关拓扑MOSFET之间的替换基本不需要太多的变动。软开关拓扑需要看看结电容，替换之后是否依然能够工作在ZVS状态 |
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| | | | | 如何计算MOSFET的开关损耗和导通损耗？
回复内容：：导通损耗通常根据Pcon=Irms^2*Rdson门极驱动损耗Pgate=Qg*Vg*fCoss损耗Pcoss=0.5*Qoss*Vds*f |
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| | | | | mosfet怎么选型最佳， 余量留多少最优， 电流是按照rms电流还是尖峰电流，平均电流。什么样的驱动mosfet最优！最好能提供图形。呵呵
回复内容：：MOSFET选性通常需要看耐压， 导通电阻，电流，封装，Vgsth,Qg... 根据实际的电路计算选择相应的电压，通常正常工作是余量大约是10-20%。 然后根据效率和散热等因素选择Ron, 同时计算相应的电流， 需要满足电流rms和脉冲电流都不超过最大值。驱动电路，以高效但没有驱动震荡为佳 |
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| | | | | OptiMOS的概念是什么？与COOLMOS及其他普通MOS比较有什么优点和缺点？
回复内容：：OptiMOS是英飞凌的低压MOS系列， 电压主要是20V-300V之间。CoolMOS是英飞凌的高压产品产品系列电压主要在500V以上。 |
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| | | | | 开通和关断速度快会不会带来应力问题？
回复内容：：开通和关断速度但是没有使门极产生震荡， 因此不需要有太多担心。另外MOS有内置RC吸收，也会对应力有帮助 |
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| | | | | 为何外部不许加吸收电路？并联电容的吸收也不需要吗？想知道Coolmos是否需要加类似电路?
回复内容：：没有不允许加吸收电路， 是有内置的RC吸收。 可以不用加也可以吸收电压过冲。必要时也可以在外面加 |
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| | | | | OptiMOS 全面提升不同负载效率，是如何体现的？
回复内容：：主要是在于同时降低开关和导通损耗，因此不管是在满载还是轻载，效率都比较高 |
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| | | | | 关注OptiMOS在微逆变的应用，能否提供具体案例？
回复内容：：微逆变器主要应用，比如反激拓扑，boost最高效率优化器拓扑，和一些全桥以及全桥谐振拓扑都可以应用到英飞凌的OptiMOS。 |
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| | | | | 请问英飞凌新 OptiMOS 能够 用在逆变器110V后级的H桥中吗，和IR产品有什么优势。性价比和稳定性。
回复内容：：请问是工频隔离逆变还是高频不隔离逆变？ |
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| | | | | 非常期待英飞凌 OptiMOS 研讨会。应用范围主要在哪一方面？
回复内容：：我们计划9月会举行全国巡回演讲会，请持续关注我们的活动通知，谢谢 |
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| | | | | 期待看到研讨会，想知道其导通和关断时间是多长啊？在电动汽车上可能应用吗？
回复内容：：英飞凌有专门应用于汽车行业的低压MOS管供选择 |
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| | | | | AC/DC,DC/DC未来发展方向是哪？是向大功率的发展还是，发展更多优性能的IC？
回复内容：：高效，小体积，高可靠性是永远不变的话题。 另外集成化，数字化也是未来的发展方向之一。 |
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|  | | | | | | 最近行业不景气，而且很多公司都在走LED方向，led对电源的可靠性又是非常的高，小体积对散热方面有很大的影响，MOS管，导通频率效果，散热这方面尤其重要，你们能达到使用要求吗？ |
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| | | | | | | | | 英飞凌的功率器件的通态电阻小，开关速度比较快，对减少设计中的损耗起一定帮助作用；MOS芯片技术的提高能帮助减少封装面积，可以帮您在设计中减少体积。
另外，英飞凌的LED控制器（如ICL8002G）能从控制的角度减少损耗；到将来的数字控制器，会更加的配合LED驱动要求 |
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| | | | | 请问OptiIMOS仅限于应用在低压场合，最高电压能到多少？是否真做到不用加吸收电路，这对效率又有何影响！
回复内容：：300V |
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| | | | | 1、此产品是如何减小系统的EMI的？2、此产品是否有集成的SD间的二极管。对于集成的SD二极管在全桥整流过程中，出现的非正常整流波形，是否是由集成的SD间的二极管造成的3、此类产品用于太阳能逆变器时，都有哪些规格，支持多大功率范围？
回复内容：：1.MOS抗干扰能力强，有内置RC吸收，因此可以减小系统的EMI.2. 需要查看波形有何异常才可以判断。3. 此产品主要用于低输入电压的太阳能微逆变器， 如低压LLC... 功率通常是几百瓦， 更高的功率的可以使用CoolMOS |
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| | | | | 请问，该器件对驱动部分有没有什么特殊的要求，是否有内置的续流二极管（是集成还是独立的），开关频率是多少，开关损耗怎样，是否便于并联？我们需要该产品的详细规格书。。谢谢！
回复内容：：一般驱动电路即可，驱动电阻不需要太多，二极管是集成的， 有使用SSO8到达1M开关频率的案例。 new optiMOS 电阻和Qg都有减小， 导通损耗和开关损耗都有下降，并联使用没有问题，注意驱动和布线的一致性。规格书可以按型号在我们的网站www.infineon.com 上搜索查找。 |
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| | | | | 我想找一种低内阻的高压二极管，做PFC电路用，不知有没有。
回复内容：：推荐使用我们的SiC 二极管, 非常适合CC模式的PFC, 600V, 650V, 1200V 都有. 开关损耗小, 第五代产品Vf也减小 |
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| | | | | 英飞凌新的OptiMOS产品与上一代的工艺上有什么不同，结构是否一样，最高耐压是多少，问一个很傻的问题，比如MOS上标有100A的电流，我实际能用到多少？100A纯直流我想引脚吃不消吧？
<div style='border:1px solid #f2f2f2;background:#eefdff;padding:3px;width:500px;'> 回复内容：：OptiMOS仍然沿用原来的技术, 在工艺上进一步创新, 结构基本上跟原来产品相同, 目前最高的耐压可以达到300V, MOS标100A,通常给出的是在25C结温下的电流, 我对于实际的产品 需要在效率, 散热.. 等方面综合考虑, 通常我们可以用测量MOS的表面温度, 然后计算结温的方法来看电流的RMS有没有超, I^2*Ron*Rthjc+Tc |
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| | | | | S3O8能节省多少空间？
回复内容：：大约60% 左右 |
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| | | | | 英飞凌的管子就好用,但就是交货周期长,现在我有一个机型一直在用,月产10K,总是供上货,一直在找别的替代料.如果英飞凌的管子用其所长同步整流,希望QG能做小点,反向恢复时间快点,管子的尖峰应力就小很多,效率同样得到提升.
回复内容：：谢谢你的支持,希望尝试下我们的new optiMOS,可能会给你带来不一样的收获 |
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| | | | | 能不能把这个MOS和其它的电源反馈等电路集成在一起，这样我们就算起来更方便。
回复内容：：我们有将驱动和MOS集成在一起的产品,Dr.MOS, 另外对于VR12.5 我们有集成在一起的IPS |
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| | | | | 是不是电压都是很低的阿？
回复内容：：OptiMOS 电压都是 25V-300V |
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| | | | | COOLMOS通态压降最低到多少？频率最高到多少？
回复内容：：CoolMOS量产的最低导通电阻37毫欧（650V） |
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| | | | | 最近在做一个DC-DC推挽升压，在选MOS,要求低导通电阻，100℃60A，150V的，想知道这次新推出的New OptiMOS与以往MOS的优势在哪里，封装形式等等
回复内容：：150v TO220封装我们有IPP075N15N3, SSO8(5x6)我们有BSC190N15. New OptiMOS主要减小了Ron, Qg, 提升效率，同时NewOptiMOS减小了电压过冲，便于使用。 封装除TO247外标准封装全部齐全。 |
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| | | | | 跟COOLMOS系列相比，有什么不同呀？价格上能不能让人接受？
回复内容：：OptiMOS是我们低压MOS系列，针对20V-300V的电源等级而言，CoolMOS是高压500V-900V的超级结结构MOS |
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| | | | | 英飞凌新是外企吗？
回复内容：：是的，是家德国的半导体公司，总部位于德国纽必堡，专注于高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。2011财年（截止到9月30日），公司实现销售额40亿欧元，在全球拥有约26,000名雇员。英飞凌公司目前在法兰克福股票交易所（股票代码：IFX）和美国柜台交易市场（OTCQX）International Premier（股票代号：IFNNY）挂牌上市。 英飞凌科技公司的业务遍及全球，拥有20多个研发基地，15,400多项专利，是全球领先的半导体公司之一,其半导体产品和系统解决方案主要应用于汽车、工业电子、智能卡安全等领域。同时，英飞凌也是全球唯一一家可提供从发电、输电到用电等整个智能电网产业所需的功率半导体、功率模块以及智能表计芯片的半导体厂商。 公司网址：_www.infineon.com |
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| | | | | 请问你们是否提供样片给用户?
回复内容：：可以， 欢迎索样 |
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| | | | | 还关心一个问题，就是栅极驱动电压是不是有可以低到2.5V？
回复内容：：请问你的应用和电压等级 |
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| | | | | MOS的QG跟晶圆尺寸和CISS有没有直接关系?
回复内容：：有关系， 通常晶圆尺寸小的Qg和Ciss会小 |
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| | | | | 现在急需要英飞凌的650V,8A的OptiMOS管子，不知道能否提供测试样品申请？
回复内容：：可以，请与主办方联系，或与我们的代理联系： 公司名称: Edal Electronics Co., Ltd. 易達電子有限公司 联系人: 林贻泰 邮箱: jasonlam@edal.com.hk 公司名称：Best Power Limited 百司力有限公司 联系人：徐旭光 邮箱：andy.xu@b-power.com.hk 公司名称：Weikeng International Co., Ltd 威健实业国际有限公司 联系人：黄锐 邮箱：Henry.huang@weikeng.com.cn 公司名称：Arrow Electronics (Shenzhen) Co., Ltd. 艾瑞电子（深圳）有限公司 联系人：谢德明 邮箱：TOMMY.XIE@arrowasia.com 公司名称：Avnet Technology Hong Kong Ltd. 安富利科技香港有限公司 联系人：曾兆康 邮箱：henry.tsang@avnet.com 公司名称：Silicon Application Company Limited 品佳电子有限公司 联系人：亓兴波 邮箱：samqi@sac.com.hk |
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| | | | | New OptiMOS 耐压和耐流值现在能做到多大？
回复内容：：OptiMOS最大的电压可以达到300V，最低导通电阻可到0.8毫欧 |
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| | | | | OptiMOS这么好的性能，再去做软开关有没有必要？
回复内容：：还是要看您的应用和需求，功率密度和效率的设计目标。 |
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| | | | | 不知道该种Optimos能否提供样片？希望提供联系方式。之前申请过C6系列的Coolmos，说让我等消息，然后就没音讯了...
回复内容：： 公司名称: Edal Electronics Co., Ltd. 易達電子有限公司 联系人: 林贻泰 邮箱: jasonlam@edal.com.hk 公司名称：Best Power Limited 百司力有限公司 联系人：徐旭光 邮箱：andy.xu@b-power.com.hk 公司名称：Weikeng International Co., Ltd 威健实业国际有限公司 联系人：黄锐 邮箱：Henry.huang@weikeng.com.cn 公司名称：Arrow Electronics (Shenzhen) Co., Ltd. 艾瑞电子（深圳）有限公司 联系人：谢德明 邮箱：TOMMY.XIE@arrowasia.com 公司名称：Avnet Technology Hong Kong Ltd. 安富利科技香港有限公司 联系人：曾兆康 邮箱：henry.tsang@avnet.com 公司名称：Silicon Application Company Limited 品佳电子有限公司 联系人：亓兴波 邮箱：samqi@sac.com.hk |
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| | | | | OptiMOS内置的是肖特基二极管吗？压降多少？
回复内容：：英飞凌New OptiMOS以I结尾的新产品都有继承肖特基二极管，比如BSC010N04LSI,它的内置肖特基二极管压降典型值为0.57V |
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| | | | | 能否申请OptiMOS供工程师进行测试?
回复内容：：可以 |
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| | | | | 对于Optimos的门极驱动电阻选取是否还和普通MOS一样，还是可以省略？
回复内容：：在不影响杂音和门级振荡的情况下，可以尽量减少Rg |
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| | | | | SuperSO8封装比TO-220封装连接电阻小多少？
回复内容：：大约能够减少1mohm |
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| | | | | OptiMOS 采用的是什么结构？
回复内容：：Trench技术 |
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| | | | | 为什么从图上看重载时的输出电容损耗比轻载低？
回复内容：：轻载和重载的电容损耗是差不多的， 不知道您看到的是不是损耗和Ron的曲线？ |
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| | | | | LLC转换器上做同步整流新一代产品效率有大的提升，原因是导通电阻减小还是输出电容减小？
回复内容：：我认为主要是导通电阻减少和驱动损耗减少 |
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| | | | | 请问可以申请样品吗？价格那？
回复内容：：可以，请与我们的代理联系： 公司名称: Edal Electronics Co., Ltd. 易達電子有限公司 联系人: 林贻泰 邮箱: jasonlam@edal.com.hk 公司名称：Best Power Limited 百司力有限公司 联系人：徐旭光 邮箱：andy.xu@b-power.com.hk 公司名称：Weikeng International Co., Ltd 威健实业国际有限公司 联系人：黄锐 邮箱：Henry.huang@weikeng.com.cn 公司名称：Arrow Electronics (Shenzhen) Co., Ltd. 艾瑞电子（深圳）有限公司 联系人：谢德明 邮箱：TOMMY.XIE@arrowasia.com 公司名称：Avnet Technology Hong Kong Ltd. 安富利科技香港有限公司 联系人：曾兆康 邮箱：henry.tsang@avnet.com 公司名称：Silicon Application Company Limited 品佳电子有限公司 联系人：亓兴波 邮箱：samqi@sac.com.hk |
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| | | | | 用于逆变器前级推挽升压100v75a的 OptiMOS有吗？
回复内容：：请按链接搜索 100V 的 OptiMOSwww.infineon.com/OptiMOS |
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| | | | | optimos 样片好申请吗
回复内容：：可以免费提供样品，请与我们的代理联系：公司名称: Edal Electronics Co., Ltd. 易達電子有限公司 联系人: 林贻泰 邮箱: jasonlam@edal.com.hk 公司名称：Best Power Limited 百司力有限公司 联系人：徐旭光 邮箱：andy.xu@b-power.com.hk 公司名称：Weikeng International Co., Ltd 威健实业国际有限公司 联系人：黄锐 邮箱：Henry.huang@weikeng.com.cn 公司名称：Arrow Electronics (Shenzhen) Co., Ltd. 艾瑞电子（深圳）有限公司 联系人：谢德明 邮箱：TOMMY.XIE@arrowasia.com 公司名称：Avnet Technology Hong Kong Ltd. 安富利科技香港有限公司 联系人：曾兆康 邮箱：henry.tsang@avnet.com 公司名称：Silicon Application Company Limited 品佳电子有限公司 联系人：亓兴波 邮箱：samqi@sac.com.hk |
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| | | | | “专家解答:轻载和重载的电容损耗是差不多的， 不知道您看到的是不是损耗和Ron的曲线？”图形已经过去了，应该是那个曲线，但从图上看重载时容性损耗高，按你的回答，可能是画图的原因吧，看起来重载高一些。
回复内容：：如果是损耗和Ron的曲线， 因为Ron大的话， Qg一般会小，所以开关损耗会小些。 |
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| | | | | 样品如何申请？价格和传统的比较如何？
回复内容：：可以提供免费样品测试，请与我们代理联系： Edal Electronics Co., Ltd. 易達電子有限公司 联系人: 林贻泰 邮箱: jasonlam@edal.com.hk 公司名称：Best Power Limited 百司力有限公司 联系人：徐旭光 邮箱：andy.xu@b-power.com.hk 公司名称：Weikeng International Co., Ltd 威健实业国际有限公司 联系人：黄锐 邮箱：Henry.huang@weikeng.com.cn 公司名称：Arrow Electronics (Shenzhen) Co., Ltd. 艾瑞电子（深圳）有限公司 联系人：谢德明 邮箱：TOMMY.XIE@arrowasia.com 公司名称：Avnet Technology Hong Kong Ltd. 安富利科技香港有限公司 联系人：曾兆康 邮箱：henry.tsang@avnet.com 公司名称：Silicon Application Company Limited 品佳电子有限公司 联系人：亓兴波 邮箱：samqi@sac.com.hk |
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| | | | | S3O8封装能做到多少功率的?
回复内容：：取决于您的应用，比如散热器，制冷以及输入输出条件 |
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| | | | | 能不能送点样品？
回复内容：：可以提供免费样品给您测试 公司名称: Edal Electronics Co., Ltd. 易達電子有限公司 联系人: 林贻泰 邮箱: jasonlam@edal.com.hk 公司名称：Best Power Limited 百司力有限公司 联系人：徐旭光 邮箱：andy.xu@b-power.com.hk 公司名称：Weikeng International Co., Ltd 威健实业国际有限公司 联系人：黄锐 邮箱：Henry.huang@weikeng.com.cn 公司名称：Arrow Electronics (Shenzhen) Co., Ltd. 艾瑞电子（深圳）有限公司 联系人：谢德明 邮箱：TOMMY.XIE@arrowasia.com 公司名称：Avnet Technology Hong Kong Ltd. 安富利科技香港有限公司 联系人：曾兆康 邮箱：henry.tsang@avnet.com 公司名称：Silicon Application Company Limited 品佳电子有限公司 联系人：亓兴波 邮箱：samqi@sac.com.hk |
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| | | | | “专家解答:我认为主要是导通电阻减少和驱动损耗减少”但讲课的王先生说与容性损耗减小有关，需要探讨一下。
回复内容：：容性损耗也包括驱动损耗 |
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| | | | | 王工程师，你好！应用新的OptiMOS产品其能耗方面怎么样，对电源的效率有无帮助，谢谢！
回复内容：：Qg, Ron都比原来的产品减小， 因此可以同时降低轻载和重载的损耗，提升效率。 |
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| | | | | 我们熟悉的OptiMOS的Rds_on和ID之间的关系是:Rds_on越小，ID越大。有没有具体的表达式可以通过Rds_on计算出ID？
回复内容：：有时候受限于封装的散热 |
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| | | | | | | 我记得在某篇Infineon的应用文档上面看到过，有个公式的，但现在找不到那个文档了。  |
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| | | | | optimos的上升和下降时间是多少啊？
回复内容：：取决于驱动电压和Id电流， 规格书上有某一条件下的上升和下降时间 |
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| | | | | 您好，250V 的mos有To220封装的吗
回复内容：：有 |
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| | | | | 王工程师，你好！有没有该产品更为详细的应用方案等技术资料，还有样片是否可以申请呢，希望能够了解这款产品，谢谢！
回复内容：：这款产品可以应用在同步整流当中，在英飞凌的网站上可以下载到我们一款300W LLC电源方案， 使用的是英飞凌LLC +SR的控制方案 |
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| | | | | 现在代理有几家？？
回复内容：： 公司名称: Edal Electronics Co., Ltd. 易達電子有限公司 联系人: 林贻泰 邮箱: jasonlam@edal.com.hk 公司名称：Best Power Limited 百司力有限公司 联系人：徐旭光 邮箱：andy.xu@b-power.com.hk 公司名称：Weikeng International Co., Ltd 威健实业国际有限公司 联系人：黄锐 邮箱：Henry.huang@weikeng.com.cn 公司名称：Arrow Electronics (Shenzhen) Co., Ltd. 艾瑞电子（深圳）有限公司 联系人：谢德明 邮箱：TOMMY.XIE@arrowasia.com 公司名称：Avnet Technology Hong Kong Ltd. 安富利科技香港有限公司 联系人：曾兆康 邮箱：henry.tsang@avnet.com 公司名称：Silicon Application Company Limited 品佳电子有限公司 联系人：亓兴波 邮箱：samqi@sac.com.hk |
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| | | | | 想知道Optimos是否有把体二极管做成肖特基的产品？
回复内容：：new OptiMOS已经有该系列产品，以I结尾的产品都是带快恢复二极管的产品 例如BSC010N04LSI |
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| | | | | TO220封装便于安装散热片，类似SuperSO8这样的小封装都有哪些方法可以减小封装表面的热量？
回复内容：：加过孔，加顶层或底层散热器，使用风冷 |
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| | | | | 请教专家，在做一个dc dc的时候由于布板的问题发现mos驱动器ic的TG SW总是击穿，请教专家是什么原因会出现这样的情况啊！在布板和设计电路的时候怎么避免这类情况的发生啊？
回复内容：：建议尽量减少驱动回路的杂散电感，减少驱动回路包围面积。也可以考虑在IC gate 到 ground 之间反并联肖特基 |
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| | | | | 你好，请问能用于 12V转 5V或 3.3和吗？如果能用的话效率能达到多少？
回复内容：：可以做到96%以上。不过也需要看你的开关频率和功率密度 |
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| | xkw1cn- 积分：131441
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- 帖子：55633
积分:131441 版主 | | | OptiMOS栅寄身内阻大体在啥范围？
回复内容：：一般很小，通常在欧姆级甚至更小，建议参考具体产品手册 |
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| | | | | OptiMOS产品在高压马达上有应用吗？
回复内容：：OptiMOS的电压等级从20V到300V |
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| | | | | | | 对于马达应用，除了电气考良之外，还要考虑到机械特性，建议用SMD封装的，特别是D2PAK 7脚的，导热性能和机械性能进一步提高 |
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| | | | | 不知道在高压性能有多大提升，价格方便又能有多少下降呢
回复内容：：OptiMOS电压范围从20V 到 300V |
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| | | | | optimos它的开通最低开通电压，大概是多少？是否适合用于低压（12v）运用，价格优势呢？
回复内容：：NewOptiMOS BSC0901NSI开通电压最大值是2.2V. 驱动电压12V 完全没有问题。价格比上一代产品便宜 |
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| | xkw1cn- 积分：131441
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积分:131441 版主 | | | OptiMOS内有RC吸收？是等效RC还是物理存在RC吸收网络？它们的值有多大？数据表里有列吗？有没有不带RC的OptiMOS？
回复内容：：是等效RC,RC值不大，但比外置的RC效果好， new optiMOS都是带RC吸收的。 |
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| | | | | 除了内阻外其他参数影响在损耗中占的比例有多大？因为实际测试中换内阻小的MOS不一定会降低功耗，麻烦解释下！
回复内容：：在我们讲解材料中有讲到，通常导通电阻大的MOSQg小。 因此要平衡开关损耗导通损耗， 选择new OptiMOS会有帮助，因为Ron, Qg都有比较大的降低 |
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| | | | | 汗，忙一圈回来，这研讨会就结束了
回复内容：：还在继续，可以继续提问 |
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| | | | | optimos 有没有小电压大电流的非隔离dc-dc的应用。
回复内容：：都可以低至0.8V或1.1V之类的场合， |
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| | | | | Infineon的OptiMOS为何没有重复雪崩能量这个参数？是基于什么考虑？
回复内容：：归根到底最后的问题的MOS的结温， 所以我们可以通过计算瞬间雪崩时的结温来判断重复雪崩能量。 |
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| | | | | | | 嗯，是啊，今天提问的网友太多了，专家可能回复的慢一点，请多多理解！感谢~  |
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| | | | | | | | | 默默，提出的问题跟对问题的回答帖子在哪里可以看到？ |
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| | | | | 为什么我的问题一个都没有显示出来，都有你们功率器件有关系？
回复内容：：请联系tim.hu@infineon.com线下联系 |
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| | | | | LLC同步整流MOS管VDS尖峰应力一直以后是比较头痛的问题,最近我用了一BSC027(40V/100A)和VISHAY一颗MOS管,也是40V/100实验比对,发现VISHAY尖峰特别小.发现VISHAY 结电容和反向恢复时间都很小.若采用新OPTIMOS后,会不会有所改善?英飞凌的管子我用得比较多,都发现一个共同点,用在同步整流时,尖峰特别大.IR和VISHAY相对会好点. |
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主动很精彩，礼物很精美！支持！
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