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反激同步整流出现初级侧MOSFET过热情况,请各位分析下!帮转贴

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power118
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LV8
副总工程师
  • 2009-11-16 21:05:56
反激电源
输入48V 输出5V@2A.
电路如图


同步整流的时候,发现主开关异常发热,初级侧MOSFET的电流尖峰很大,工作频率为350kHz,如图




我用肖特基替换了同步整流MOSFET后,主开关发热情况明显减少.而且波形较好,如图


我分析原因如下:同步整流MOSFET从导通到关断的时间 要比肖特基的反向恢复时间要大,因此出现了两管同时导通的情况. 不知道是否是这样,请各位坛友分析一下.
虽然,解决了发热严重的问题(但还是有发热的情况),但还是想采用同步整流方案,因为同步整流能提高效率、减少发热,但不知道应该怎么改进?是否与变压器性能、MOSFET参数有关系??
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xkw1cn
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版主
  • 2009-11-16 21:25:01
  • 倒数8
 
反激同步整流用电压自驱模式有逻辑竞争。因此;建议改用检流模式或一次脉冲同步模式驱动。如果成本允许;也可以用专用IC做。
晶纲禅诗
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版主
  • 2009-11-16 21:32:52
  • 倒数7
 
完全同意许工的分析。
tanknet
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LV6
高级工程师
  • 2009-11-17 05:55:52
  • 倒数6
 
我同意xkw1cn的分析,认为原因出在开关管开通时整流MOS没有及时关闭。解决方法:使用高速小信号变压器(网卡上那种就不错,自己用小磁环绕也行)进行初次级同步整流信号传递;在PWM输出引脚和MOS管驱动之间添加上升沿延迟。
jiangp1018
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LV2
本网技师
  • 2009-11-17 14:34:09
  • 倒数5
 
谢谢power118帮我转贴,非常感谢各位工程师帮我解答!
上升沿延迟用普通的RC电路可以做吗?
我将主侧MOS管的驱动电阻改为10ohm,G与S电容680pF,整体效果好象不太明显。是加在初级侧开关这里吗?
tanknet
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LV6
高级工程师
  • 2009-11-17 16:05:59
  • 倒数4
 
首先你要观察波形,推测一下需要延迟多少呀。RC延迟当然可以用,最好用2管施密特触发器,既省料效果又好。
最根本解决方法是加快初次级之间的信号传递。用主变传递,明显是不行的,要加一个信号变压器传递驱动信号。
xkw1cn
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版主
  • 2009-11-17 21:28:05
  • 倒数2
 
嗯!这是最简单和便宜的方法了。可以用6mm的绿环做变压器,作为这里的用途;变压器只要传送开关沿就可以了。
xkw1cn
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版主
  • 2009-11-17 21:25:30
  • 倒数3
 
用一次FET关断做同步触发的RC单稳定时信号;也可以做整流FET的驱动信号。但是;轻载损耗比较大。
jiangp1018
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LV2
本网技师
最新回复
  • 2009-11-18 11:17:50
  • 倒数1
 
前辈,能不能画个草图给我啊,变压器传送开关沿,这个变压器初级接哪里的?
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