世纪电源网社区logo
社区
Datasheet
标题
返回顶部
讨论

【龙腾原创】有点没振明白: MOSFET gate “二极管”

[复制链接]
查看: 4429 |回复: 38
1
eric.wentx
  • 积分:46976
  • |
  • 主题:485
  • |
  • 帖子:17006
积分:46976
版主
  • 2014-7-15 18:06:13
如图:
Gate处采用zener与diode的区别?
重新画了下图,加了图腾驱动,IC就是普通的384X.




收藏收藏6
hwx-555
  • 积分:21245
  • |
  • 主题:55
  • |
  • 帖子:5815
积分:21245
LV10
总工程师
  • 2014-7-15 18:58:03
 
文工这么高深的问题,作下粗略的猜测。二极管或为G极关断时提供就近回路,稳压管估计在此基础上并为正向限压。
问题应该没这么简单,这些方面文工肯定也想过,其它考虑的因素文工不妨说出来
eric.wentx
  • 积分:46976
  • |
  • 主题:485
  • |
  • 帖子:17006
积分:46976
版主
  • 2014-7-15 19:57:44
 
你说提供就近回路,那么稳压管可以兼这个作用并同时提供钳位驱动电压.
我是想知道,负压的形成,Cgs有没有贡献?
天剑002
  • 积分:3263
  • |
  • 主题:167
  • |
  • 帖子:1293
积分:3263
LV8
副总工程师
  • 2014-7-15 20:09:32
 
我个人理解:是保护推挽驱动的NPN三极管,当关断MOS时,电流采样电阻上端会出现个很大负压,由于MOS的Cgs电压不会突变导致,IC的out脚拉低,使下管VCE为负,一般三极管要求VEB《 5V,有dio钳位可以保护驱动下三极管。同理,当MOS导通瞬间,S极的尖峰电流会使IC的out脚拉高,用稳压管是为了保护驱动上三极管
eric.wentx
  • 积分:46976
  • |
  • 主题:485
  • |
  • 帖子:17006
积分:46976
版主
  • 2014-7-15 20:39:28
 
感觉说得比较乱(还是我的水平没看懂?)
hwx-555
  • 积分:21245
  • |
  • 主题:55
  • |
  • 帖子:5815
积分:21245
LV10
总工程师
  • 2014-7-15 22:26:18
 
楼上说的我也不明,这里没有IC的out
hwx-555
  • 积分:21245
  • |
  • 主题:55
  • |
  • 帖子:5815
积分:21245
LV10
总工程师
  • 2014-7-15 21:49:36
 
像上图,Cgs在关断反向放电时产生负压是肯定,另或有Cgd的叠加,就如密勒效应的反向作用。
猜测是这样,不敢肯定。
gaohq
  • gaohq
  • 离线
  • LV10
  • 总工程师
  • 积分:12610
  • |
  • 主题:249
  • |
  • 帖子:3247
积分:12610
LV10
总工程师
  • 2014-7-15 22:10:38
 
负压是怎么产生的?可否画图示意?
hwx-555
  • 积分:21245
  • |
  • 主题:55
  • |
  • 帖子:5815
积分:21245
LV10
总工程师
  • 2014-7-15 22:32:24
 
难已说通,但觉得应把Cgd考虑进去


天剑002
  • 积分:3263
  • |
  • 主题:167
  • |
  • 帖子:1293
积分:3263
LV8
副总工程师
  • 2014-7-16 20:34:38
 
和你想的差不多
eric.wentx
  • 积分:46976
  • |
  • 主题:485
  • |
  • 帖子:17006
积分:46976
版主
  • 2014-7-21 20:49:45
  • 倒数4
 
把Cgd考虑进去更为正确.
向东风
  • 积分:238
  • |
  • 主题:4
  • |
  • 帖子:63
积分:238
LV3
助理工程师
  • 2014-7-16 09:52:38
 
能否讲解下负电压是如何产生的?
joezzhang
  • 积分:6686
  • |
  • 主题:5
  • |
  • 帖子:1800
积分:6686
LV8
副总工程师
  • 2014-7-15 19:01:54
 
zener正负电压都保护,diode只能保护负压


用BJT的时候经常加diode,因为BE结能承受的负压一般不超过-5V;MOSFET的Vgs一般都是+-10V/20V的,很少用diode,基本都用zener
天剑002
  • 积分:3263
  • |
  • 主题:167
  • |
  • 帖子:1293
积分:3263
LV8
副总工程师
  • 2014-7-15 19:56:19
 
BE结承受正压更低
eric.wentx
  • 积分:46976
  • |
  • 主题:485
  • |
  • 帖子:17006
积分:46976
版主
  • 2014-7-15 20:38:48
 
to 2楼, 更正了图.
joezzhang
  • 积分:6686
  • |
  • 主题:5
  • |
  • 帖子:1800
积分:6686
LV8
副总工程师
  • 2014-7-15 22:01:10
 
我还是觉得二极管是针对BJT的,至少我从来没用过,只要布局走线处理好了,即使有点振荡的负压也损坏不了MOSFET,更需要注意的是小振荡会不会导致误导通;


实际上我现在zener也没用了,芯片供电处理好就不会过压,瞬时尖峰zener也反应不过来。。。


eric.wentx
  • 积分:46976
  • |
  • 主题:485
  • |
  • 帖子:17006
积分:46976
版主
  • 2014-7-15 23:23:46
 
帮忙指出个负压回路,如果纯粹的Cgs/Qgs放电负压太不起看了.
joezzhang
  • 积分:6686
  • |
  • 主题:5
  • |
  • 帖子:1800
积分:6686
LV8
副总工程师
  • 2014-7-16 19:58:38
 
应该是功率回路走线电感引起的(L和Cgs振荡),或者上百A的大电流干扰过来(Cgs或者Cgd+驱动走线的电感L成了接收天线,感应出一个不确定方向和大小的电压)。


一般情况下这里是没负压出现的,所以我才不用这个保护了。注意驱动电阻尽量接近G极,有一点小振荡也不会出问题。
一花一天堂
  • 积分:4066
  • |
  • 主题:34
  • |
  • 帖子:1888
积分:4066
LV8
副总工程师
  • 2014-7-16 08:05:48
 
bei_jxing
  • 积分:872
  • |
  • 主题:5
  • |
  • 帖子:346
积分:872
LV6
高级工程师
  • 2014-9-2 10:47:55
  • 倒数2
 
个人认为,zener 响应速度快,电源出现异常时足够快保护MOSFET。
eric.wentx
  • 积分:46976
  • |
  • 主题:485
  • |
  • 帖子:17006
积分:46976
版主
最新回复
  • 2014-9-2 16:28:10
  • 倒数1
 
zener的响应速度是比较慢的!
kyo
  • kyo
  • 离线
  • LV8
  • 副总工程师
  • 积分:3058
  • |
  • 主题:52
  • |
  • 帖子:1838
积分:3058
LV8
副总工程师
  • 2014-7-16 10:59:45
 
学习
小凡凡
  • 积分:3158
  • |
  • 主题:24
  • |
  • 帖子:1175
积分:3158
LV8
副总工程师
  • 2014-7-16 23:27:14
 
应该是和GS之间的振荡有关吧!
eric.wentx
  • 积分:46976
  • |
  • 主题:485
  • |
  • 帖子:17006
积分:46976
版主
  • 2014-7-16 23:33:14
 
你也感觉是GS(Vgate电压为源,Cgs)在放电?回路呢?Cgs--->反并二极管?
小凡凡
  • 积分:3158
  • |
  • 主题:24
  • |
  • 帖子:1175
积分:3158
LV8
副总工程师
  • 2014-7-17 23:15:42
 
不是说驱动与G间还有一个电感L。
eric.wentx
  • 积分:46976
  • |
  • 主题:485
  • |
  • 帖子:17006
积分:46976
版主
  • 2014-7-18 00:43:22
 
这个电感是走线电感+MOS管内部引线电感,太弱了吧...要振成负压.
eric.wentx
  • 积分:46976
  • |
  • 主题:485
  • |
  • 帖子:17006
积分:46976
版主
  • 2014-7-18 15:28:53
 
在一份资料上找到了这个东西:






xkw1cn
  • 积分:131441
  • |
  • 主题:37517
  • |
  • 帖子:55633
积分:131441
版主
  • 2014-7-18 16:59:25
 
正常的理论波是这样,功率一大;问题多多。
hwx-555
  • 积分:21245
  • |
  • 主题:55
  • |
  • 帖子:5815
积分:21245
LV10
总工程师
  • 2014-7-18 19:29:06
 
也没看到负压
xkw1cn
  • 积分:131441
  • |
  • 主题:37517
  • |
  • 帖子:55633
积分:131441
版主
  • 2014-7-18 22:43:41
  • 倒数9
 
小功率应用,真心没这个必要。
eric.wentx
  • 积分:46976
  • |
  • 主题:485
  • |
  • 帖子:17006
积分:46976
版主
  • 2014-7-18 22:53:24
  • 倒数8
 
这估计就是人云亦云的结果...
hwx-555
  • 积分:21245
  • |
  • 主题:55
  • |
  • 帖子:5815
积分:21245
LV10
总工程师
  • 2014-7-21 09:09:16
  • 倒数7
 
上面讲到栅极电容和寄生电感的因素,基于上面因素考虑加上二极管和稳压管肯定是有好处的。虽如文工说的人云亦云,但技术还是保守点好
not2much
  • 积分:3395
  • |
  • 主题:38
  • |
  • 帖子:1247
积分:3395
LV8
副总工程师
  • 2014-7-17 02:59:59
 
请问在MOSFET附近有电流采样吗?电阻还是互感?
eric.wentx
  • 积分:46976
  • |
  • 主题:485
  • |
  • 帖子:17006
积分:46976
版主
  • 2014-7-17 14:52:09
 
没有采样,MOS直接拉地.
向东风
  • 积分:238
  • |
  • 主题:4
  • |
  • 帖子:63
积分:238
LV3
助理工程师
  • 2014-7-18 20:46:24
 
关注几天了,没人理我的问题,说说我的理解,加稳压二极管有两个作用:1.钳位G极的电压。2.加快密勒电容的放电速度。理所当然加普通二极管就少了第一个作用了。而Vds所产生的负压,我一直理解成是他们之间的二极管反向恢复时间导致的。不知道对不对或有什么异议,请指导。
钜微电源-小罗
  • 积分:3678
  • |
  • 主题:42
  • |
  • 帖子:1198
积分:3678
LV8
副总工程师
  • 2014-7-18 22:39:54
  • 倒数10
 
好贴 前段时间还跟一位前辈请教说LLC半桥带高压自举的IC能否在上下管加图腾呢?曾经也提到说一定要加个稳压管在此处
nc965
  • 积分:93882
  • |
  • 主题:115
  • |
  • 帖子:27413
积分:93882
版主
  • 2014-7-21 14:26:58
  • 倒数6
 
这样就整明白了:

gaohq
  • gaohq
  • 离线
  • LV10
  • 总工程师
  • 积分:12610
  • |
  • 主题:249
  • |
  • 帖子:3247
积分:12610
LV10
总工程师
  • 2014-7-21 20:26:07
  • 倒数5
 
D5钳位上限电压,没必要吧?
零度火焰
  • 积分:3500
  • |
  • 主题:24
  • |
  • 帖子:171
积分:3500
LV8
副总工程师
  • 2014-7-30 10:42:23
  • 倒数3
 
应该是NPN三极管的问题
热门技术、经典电源设计资源推荐

世纪电源网总部

地 址:天津市南开区黄河道大通大厦8层

电 话:400-022-5587

传 真:(022)27690960

邮 编:300110

E-mail:21dy#21dianyuan.com(#换成@)

世纪电源网分部

广 东:(0755)82437996 /(138 2356 2357)

北 京:(010)69525295 /(15901552591)

上 海:(021)24200688 /(13585599008)

香 港:HK(852)92121212

China(86)15220029145

网站简介 | 网站帮助 | 意见反馈 | 联系我们 | 广告服务 | 法律声明 | 友情链接 | 清除Cookie | 小黑屋 | 不良信息举报 | 网站举报

Copyright 2008-2024 21dianyuan.com All Rights Reserved    备案许可证号为:津ICP备10002348号-2   津公网安备 12010402000296号