| | | | | 文工这么高深的问题,作下粗略的猜测。二极管或为G极关断时提供就近回路,稳压管估计在此基础上并为正向限压。
问题应该没这么简单,这些方面文工肯定也想过,其它考虑的因素文工不妨说出来 |
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| | | | | | | 你说提供就近回路,那么稳压管可以兼这个作用并同时提供钳位驱动电压.
我是想知道,负压的形成,Cgs有没有贡献? |
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| | | | | | | | | 我个人理解:是保护推挽驱动的NPN三极管,当关断MOS时,电流采样电阻上端会出现个很大负压,由于MOS的Cgs电压不会突变导致,IC的out脚拉低,使下管VCE为负,一般三极管要求VEB《 5V,有dio钳位可以保护驱动下三极管。同理,当MOS导通瞬间,S极的尖峰电流会使IC的out脚拉高,用稳压管是为了保护驱动上三极管。 |
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| | | | | | | | | 像上图,Cgs在关断反向放电时产生负压是肯定,另或有Cgd的叠加,就如密勒效应的反向作用。
猜测是这样,不敢肯定。 |
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| | | | | zener正负电压都保护,diode只能保护负压
用BJT的时候经常加diode,因为BE结能承受的负压一般不超过-5V;MOSFET的Vgs一般都是+-10V/20V的,很少用diode,基本都用zener
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| | | | | | | | | 我还是觉得二极管是针对BJT的,至少我从来没用过,只要布局走线处理好了,即使有点振荡的负压也损坏不了MOSFET,更需要注意的是小振荡会不会导致误导通;
实际上我现在zener也没用了,芯片供电处理好就不会过压,瞬时尖峰zener也反应不过来。。。
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| | | | | | | | | | | 帮忙指出个负压回路,如果纯粹的Cgs/Qgs放电负压太不起看了. |
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| | | | | | | | | | | | | 应该是功率回路走线电感引起的(L和Cgs振荡),或者上百A的大电流干扰过来(Cgs或者Cgd+驱动走线的电感L成了接收天线,感应出一个不确定方向和大小的电压)。
一般情况下这里是没负压出现的,所以我才不用这个保护了。注意驱动电阻尽量接近G极,有一点小振荡也不会出问题。 |
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| | | | | | | 个人认为,zener 响应速度快,电源出现异常时足够快保护MOSFET。 |
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| | | | | | | 你也感觉是GS(Vgate电压为源,Cgs)在放电?回路呢?Cgs--->反并二极管? |
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| | | | | | | | | | | 这个电感是走线电感+MOS管内部引线电感,太弱了吧...要振成负压. |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 上面讲到栅极电容和寄生电感的因素,基于上面因素考虑加上二极管和稳压管肯定是有好处的。虽如文工说的人云亦云,但技术还是保守点好 |
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| | | | | 请问在MOSFET附近有电流采样吗?电阻还是互感? |
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| | | | | 关注几天了,没人理我的问题,说说我的理解,加稳压二极管有两个作用:1.钳位G极的电压。2.加快密勒电容的放电速度。理所当然加普通二极管就少了第一个作用了。而Vds所产生的负压,我一直理解成是他们之间的二极管反向恢复时间导致的。不知道对不对或有什么异议,请指导。 |
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| | | | | 好贴 前段时间还跟一位前辈请教说LLC半桥带高压自举的IC能否在上下管加图腾呢?曾经也提到说一定要加个稳压管在此处 |
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