| | YTDFWANGWEI- 积分:109923
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积分:109923 版主 | | | 将MOS管栅极直接接地,如果加脉冲在漏极i,还会导通吗? |
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| | | | | | | | | 会不会是MOS节电容充电电流?MOS截止后导通时间只有8ns,电压上升到20V,dv/dt很大,所以电容充电电流很高? |
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| | | | | | | | | | | 你将该仿真对应的原理图贴出来吧,1楼的波形对应的是图上的哪点,这样就很直接明了~
现在看的比较痛苦 ~ |
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| | | | | | | | | | | | | 原理图很简单,贴出来了。就是开关管的栅极、漏极电压,和漏极电流 |
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| | | | | | | | | | | | | 问题基本确认了,就是结电容问题。主要和Cgd+Cds有关,这两个电容阻止漏极电压快速上升,所以产生了很高的脉冲电流。由于仿真软件没给Cds,所以不容易验证。 |
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| | | | | | | 静态应该不会,但是这是动态,是从导通状态关断的。所以还是要解决为啥关断不完整的问题 |
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| | | | | | | 原来以为加了负压就没问题了,结果现在是负压了,还是这样。看图中,导通的时候栅极已经是负压了,这是咋回事呢?我换了很多MOS管,都这个结果。 |
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| | | | | | | 结论是还会导通,前两天刚确认了问题,根据MOS的模型,内部有一个寄生的BJT,当dv/dt非常高时,MOS的内部电阻Rb上面的压降会导致BJT导通。所以MOS不能承受很高的dv/dt冲击。 |
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| | | | | | | 基本器件都在里面了,左边是PWM控制器,下边是驱动没啥意义;右边是功率MOS,上边是电感。Boost电路就这点儿东西,全在图里面了 |
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