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未解决

MOSFET有效关断问题

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dog72
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  • 2011-7-22 12:06:09
10问答币
最近仿真一个电源,发现MOS管无法完全关断,上面有几十毫安的电流。随后当一个脉冲加在漏极时,MOS瞬间又导通了。请问这是什么问题?
V(n016)是Q1栅极脉冲,V(n006)是Q1漏极电压,深蓝线是Q1电流

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YTDFWANGWEI
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版主
  • 2011-7-22 14:02:54
 
将MOS管栅极直接接地,如果加脉冲在漏极i,还会导通吗?
blueskyy
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  • 2011-7-22 14:05:39
 
咋看出来的?
dog72
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  • 2011-7-22 14:21:47
  • 倒数8
 
会不会是MOS节电容充电电流?MOS截止后导通时间只有8ns,电压上升到20V,dv/dt很大,所以电容充电电流很高?
blueskyy
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  • 2011-7-22 14:32:25
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你将该仿真对应的原理图贴出来吧,1楼的波形对应的是图上的哪点,这样就很直接明了~
现在看的比较痛苦 ~
dog72
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  • 2011-7-22 17:10:54
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原理图很简单,贴出来了。就是开关管的栅极、漏极电压,和漏极电流
dog72
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  • 2011-7-22 18:45:00
  • 倒数2
 
问题基本确认了,就是结电容问题。主要和Cgd+Cds有关,这两个电容阻止漏极电压快速上升,所以产生了很高的脉冲电流。由于仿真软件没给Cds,所以不容易验证。
dog72
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  • 2011-7-22 14:12:48
  • 倒数10
 
静态应该不会,但是这是动态,是从导通状态关断的。所以还是要解决为啥关断不完整的问题
dog72
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  • 2011-7-22 14:14:38
  • 倒数9
 
原来以为加了负压就没问题了,结果现在是负压了,还是这样。看图中,导通的时候栅极已经是负压了,这是咋回事呢?我换了很多MOS管,都这个结果。
dog72
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  • 2011-8-4 15:23:21
  • 倒数1
 
结论是还会导通,前两天刚确认了问题,根据MOS的模型,内部有一个寄生的BJT,当dv/dt非常高时,MOS的内部电阻Rb上面的压降会导致BJT导通。所以MOS不能承受很高的dv/dt冲击。
gaohq
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  • 2011-7-22 17:19:40
  • 倒数5
 
你这原理图贴的也太吝啬了。
dog72
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  • 2011-7-22 17:54:42
  • 倒数4
 
节约点空间好不好,这足够分析的了。
dog72
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  • 2011-7-22 17:57:11
  • 倒数3
 
基本器件都在里面了,左边是PWM控制器,下边是驱动没啥意义;右边是功率MOS,上边是电感。Boost电路就这点儿东西,全在图里面了
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