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反激式电源磁芯饱和条件

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kingsoft98
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LV6
高级工程师
  • 2012-11-12 09:26:02
大家好!请教大家个问题:反激式电源其磁芯饱和是否一定发生在90V/47HZ状态的开启第一个IDS波形?
reds
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副总工程师
  • 2012-11-12 09:34:01
 
等待高手回答
ope8363744
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LV8
副总工程师
  • 2012-11-12 09:39:57
 
有这个说法??
kingsoft98
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LV6
高级工程师
  • 2012-11-12 09:43:32
 
你是怎么理解其饱和条件?
ht_lb@126.com
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总工程师
  • 2012-11-12 09:56:42
 
别的地方转载的:
一种是:一次性饱和:
当反馈环路突然失控时,在一个周期内导通一直 持续,
直到过大的Ip使磁芯饱和而使开关管立即 损坏;


另一种是:逐次积累式饱和:
磁芯每个周期都有置位与复位动作,反激式开关 电源磁
芯置位是由初级绕组来实现,磁芯复位是由 次级绕组和
输出电路来实现。当电路等设计不当时, 每次磁芯不能
完全复位,一次次的积累,在若干周期内磁芯饱和。

具体是否饱和你可以看通过检测电流来看出来

你可以看一下这个帖子 里面王工发了自己实际抓的磁芯饱和的图形:

YTDFWANGWEI
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  • 2012-11-12 12:39:12
 
那是借的论坛网友的不是我抓的。
xiaoliangyl
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  • 2012-11-12 09:52:12
 
一般在高压下容易饱和
kingsoft98
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高级工程师
  • 2012-11-12 10:12:56
 
为什么?我是这样理解低压易饱和:依Bm=L*Ip/(N*Ae),在低压时IP大而高压时IP小,不知大师说高压易饱和依据是什么?
xiaoliangyl
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  • 2012-11-12 11:10:55
 
一般设计时是按最低输入电压对于最大占空比和峰值电流来设计变压器的,一般情况在低压是不会饱和的,当输入电压升高会自动降低占空比,正常情况也不会饱和,但如果负载瞬间增大,这时候占空比跟输入电压同时达到最大,这个时候就可能出现饱和
张高琨
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  • 2012-11-12 10:11:31
 
反激饱和的话...
1.LP值是否取得太大!(Vindc min*Ton/Ipk=LP)
2.第一个开启应该进不了饱和.
kingsoft98
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高级工程师
  • 2012-11-12 10:26:54
 
我是做个65W的电源,用RM10 CORE AE=98mm, NP=46TS, SP=8TS,LP=640uH,理论上会饱和吗?
kingsoft98
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高级工程师
  • 2012-11-12 10:56:39
 
(IC:FAN6756)如下是我测试I SENSE电阻上电流分别在高低端稳压及启动时波形,不明白的是启动时波形依Bm=L*IP/(NP*AE)计算都在0.4T以上,并且高压好象比低端还高,我困惑!请大师赐教!谢谢!
eric.wentx
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  • 2012-11-12 11:25:35
 
有图有真相,如你所说,0.4T是瞬间...排除误差,应该没这么高.你这还是常温度,PC40 100deg Bmax=0.39T, 还是安全的.
xiaoliangyl
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  • 2012-11-12 11:37:41
 
PC40 100deg Bmax=0.39T,0.39T是完全饱和,但在100deg时0.32T以上时曲线已经处于非线性区域了,还安全吗
kingsoft98
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高级工程师
  • 2012-11-12 11:53:02
 
这么说,我的启动时测试波形捕捉的误差太大?我将采集时间打短点,再看下!对吗?
ht_lb@126.com
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总工程师
  • 2012-11-12 11:58:50
 
看你的那个电流波形,不像饱和了
YTDFWANGWEI
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  • 2012-11-12 12:43:59
 
应该是高压的时候大。我想你发这个帖子的想法应该是建立在开机瞬间环路没有及时反应,占空比会大于正常工作时候的占空比(或者说开机瞬间占空比最大)如果是这样来理解,如果开机瞬间占空比都达到最大,那么对于输入电压越高,IP也就越大。从而B值也就越大。
不知道我的理解跟你是否一样。
kingsoft98
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LV6
高级工程师
  • 2012-11-12 17:18:04
 
我看到的实际情况的确如此!问题点:
1>.我不明白这么大的IP值,电感是否可说饱和了呢?
2.>是否可通过IP值来评估电源变压器是否饱和?
3.>若是反激式全电压输入电源最容易出现饱和问题是高端还是低端?依据是什么?
以上疑点,请赐教,谢谢!
ht_lb@126.com
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总工程师
  • 2012-11-13 00:31:09
 
对于同样功率输出的电源来说,输出功率相同,效率如果也相同 我认为峰值电流是相同的 DCM模式往副边传递的能量为1/2*L*i*i CCM模式 往副边传输的能量是1/2LI1平方-1/2LI2平方 其中I1为峰值电流 I2为起点电流
由于高压下的损耗大一些 所以效率低一些 所以相比较来说 高压下更容易饱和
但是如果效率相同 不管高压低压是否容易饱和的程度应该是一样的

YTDFWANGWEI
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  • 2012-11-13 08:30:31
 
启动瞬间,如果没有软启动,输入能量等于负载能量吗?
ht_lb@126.com
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总工程师
  • 2012-11-13 08:33:58
 
启动瞬间确实存在王工所说的那种情况,占空比大,电压又高,导致峰值电流大,我同意你的看法,我说的是稳态的时候,不知道分析的对否?
YTDFWANGWEI
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  • 2012-11-13 08:42:24
 
楼主没问稳态的时候。
kingsoft98
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高级工程师
  • 2012-11-13 08:57:13
  • 倒数10
 
稳态时我的效率:高端比低端高,是否可认为稳压IP一定低端高?那么另一种情况:启动时高低压IP关系呢?
张高琨
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  • 2012-11-13 08:37:35
 
看着貌似高压输入明显有点饱和迹象(在关断那有点翘)

把输出功率先调小点(即是把Sense电阻加大一点)看看波形会不会好点.
如果好了..再改下电感量!应该就比较完美了!
xiaoliangyl
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  • 2012-11-12 11:06:28
 
这个跟频率有关
kingsoft98
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高级工程师
  • 2012-11-12 11:40:27
 
我设计在65KHZ!
kingsoft98
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高级工程师
  • 2012-11-12 10:58:42
 
启动后面的波形理论上BM>0.4T,请指教,谢!
ht_lb@126.com
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总工程师
  • 2012-11-12 11:10:29
 
理解错误,更正
st.you
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LV10
总工程师
  • 2012-11-12 17:28:06
 
设计合理的变压器,在额定工作范围内,额定负载下,是不允许变压器饱和的。
kingsoft98
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高级工程师
  • 2012-11-12 17:52:55
 
可是有时必须通过测试来判断变压器是否饱和!!
davidwang
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LV8
副总工程师
  • 2012-11-12 18:50:20
 
现在很多在启动时很难抓到,软启动的时间比较长,可以抓短路时的波形看看。
kingsoft98
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高级工程师
  • 2012-11-12 20:56:12
 
是启动再短路还是短路再启动呢?
Coming.Lu
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版主
  • 2012-11-13 07:58:28
 
不一定。
kingsoft98
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LV6
高级工程师
  • 2012-11-13 09:32:16
  • 倒数9
 
大家好!将我的理解整理如下:
1.>电源稳态,理论上依据Vindc *Ton/Lp=Ipk及Bm=LP*IpK/(NP*Ae)是一致的,重点决定于高低端效率,那端效率低其IPK就大,作用Bm就大。不知这样理解是否正确?请大师们指正!
2.>电源启机(IC没软启)时,不论高低端启机,高低端最大占空比怎么决定?而IPK的大小由Vindc *Ton定,那端大,作用Bm就大!
3.>电源启机(IC有软启)时,有那些因素决定IPK及Bm的大小?
以上请大师们不吝赐教!
ht_lb@126.com
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LV10
总工程师
  • 2012-11-13 13:11:17
  • 倒数8
 
kingsoft98
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LV6
高级工程师
  • 2012-11-13 14:22:45
  • 倒数6
 
ht_lb大师, 理论依据好牛!受益浅!电源启动模式也请帮忙解析下,谢谢!
kingsoft98
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LV6
高级工程师
  • 2012-11-13 14:29:41
  • 倒数5
 
另一不解:电源设计有这种情况,低压CCM,高压DCM,此时又该如何解释?
ht_lb@126.com
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LV10
总工程师
  • 2012-11-13 15:37:55
  • 倒数4
 
1、稳态情况下这个连续不连续和你具体的设计有关,输入高压和低压下都有可能工作在CCM模式或者DCM模式。负载很小的时候一般都是在DCM模式。我以前设计的电源都是工作在DCM模式,感觉DCM模式下的反馈好调一些。
2、暂态情况下例如电源刚启动,即使你设计的工作模式是DCM,由于输出电压还没有建立,这时电源会工作在CCM模式,随着输出电压的建立,会慢慢变为DCM。
kingsoft98
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LV6
高级工程师
  • 2012-11-14 10:08:42
  • 倒数3
 
感谢大师点拨!在全压输入电源稳态之定量前提分析,一种是输入电压恒定,负载从最小载向最大载变化,此时电源工作状况:DCM---->DRM---->CCM的过程(大师上述的第一点);另一种情况是额定负载,输入电压从90Vac渐升至264Vac过程,单独观察高低端的工作状态(DCM、DRM、CCM),暂时仅分析DCM和CCM的可能,当然这主要取决最初电源的设计,那么在第二种前件下有可能出情况如下:
NO.1.)90V时CCM, 264V时DCM的IPK比较,低端是比高端大!!?
NO.2.)90V时DCM, 264V时DCM的IPK比较,同师上述分析;
NO.3.)90V时CCM, 264V时CCM的IPK比较,此情况很少见,不知是否高低都要CCM的话低压占空比超过100%,除非低压采用倍压整流,对吗!!?
还有另外一个概念性的疑点:通常所说的电源设计在CCM或DCM是否就是NO.1.)NO.2.)的简称,让前辈们见笑!不正确处,望大家指正,谢谢!
liu1875
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LV8
副总工程师
  • 2012-11-13 13:20:58
  • 倒数7
 
1、按照你这个说的,你的边界条件就是IPK大,那Bm就大,是吗

2、电源启动时,最大占空比由原始芯片设计的最大占空比来决定。而IPK的大小只与那个时刻的TON决定,和电压没关系,个人认为。

3、电源偶软启的时候,这种不讨论,因为这个边界条件已经由ic限制了很多。


这里我觉得应该是讨论在何种边界条件下Bm变大或者变小。个人见解
XIAOTU80
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版主
  • 2013-1-31 11:12:00
  • 倒数2
 
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cadypower
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高级工程师
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  • 2013-5-8 23:53:37
  • 倒数1
 
不太理解
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