| | xkw1cn- 积分:131441
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积分:131441 版主 | | | 有!还极大!
LLC实现ZVS过程间隙就是死区时间。死区不适当;无零压!
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| | | | | | | 在某个死区时间范围内实现零电压导通,在这个前提下,这段范围内死区时间怎么选择呢,越小越好吗 |
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| | | | xkw1cn- 积分:131441
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积分:131441 版主 | | | | | 原则上是这样。死区越小;电源利用率越高——同功率电流越小——整体效率越高
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| | | | | | | | | | | 为什么会这样呢,死区时间小一些只是另一桥臂Mosfet快一点导通,死区时间大一些电流同样会流经体二极管导通,为什么会影响谐振电流的大小呢,谢谢大佬解答
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| | | | | | xkw1cn- 积分:131441
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积分:131441 版主 | | | | | | | 注意电源实际利用率,就是导通时间与半周期时间比。死区越小,分子比例越大,值越高。
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| | | | | | | 在某个死区时间范围内实现零电压导通,在这个前提下,这段范围内死区时间怎么选择呢,越小越好吗
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| | | | | 死区时间内Lr+Lm同时完成对mosfet输出电容的充放电,实现ZVS开通。
(1)死区时间设计的过小,就要求磁化电流ILm增加,增加了mosfet导通损耗。
(2)死区时间设计的过大,造成传输功率的时间(P状态)变短,死区时间内负载电流仅靠输出滤波电容放电供给,死区时间越长,输出电容上电压降低越多,下次进入P状态后谐振网络峰值电流越大,增加了初次级电流峰值,增加了初次级导通损耗。
(3)因此死区时间的选取,首先取决于mosfet驱动的上升沿和下降沿,这是安全性要求。建议死区时间为2倍的上升沿或下降沿,在保证安全性后,死区时间保持最小状态即可。如果开关频率不是提高太多,LLC较容易满足ZVS条件。
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| | | | | | | 关于第二条,为什么在死区时间内只有输出电容供电?在工作频率小于谐振频率时,副边没有电流这种情况不应该发生在死区时间之前么
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| | | | | | | | | 您画的没有问题,fs大于fr时,死区时间一开始的一段时间漏感能量转移到副边,这个时间较短,是我表述的不严谨;fs小于fr时也如您所说的副边没有电流在死区时间之前就发生了,但是与我的解释也不矛盾。 |
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| | | | | | | 您好!
当LLC死区时间过长时。谐振电流到零,但是开关管还是没有导通。
开关管上的Cds与谐振电容、谐振电感一起参与谐振。
这可能会造成Vds电压谐振,但是谐振电压不会超过Vin+Mosfet二极管内的导通压降。 |
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| | | | | | | | | 您好,我做的是LLC半桥1000W,死区时间,时间400ns,满载的时候死区时间内有震荡,这个震荡大吗?图片为320V输入的驱动波形,绿色为下管驱动波形。 |
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| | | | | | | | | | | | | 您好!
您的LLC下管驱动波形,在高电平期间发生了轻微的震荡。可能出现下面几个原因。
1、驱动芯片损坏。
2、通过Cgd电容耦合过来的,可以检测下管的Vds波形看下。
如果是这个原因的话,Vds也会震荡。
建议一起测量下管的Vgs、Vds波形来看下。
祝好!
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| | | | | | | | | | | | | | | 大佬您好,刚刚测试了确实是下管驱动芯片损坏了。。。,我上次就是上到350V的时候,测试的是上管的驱动波形和ZVS,然后驱动电阻突然炸了,当时MOS管温度50多,上管也实现了ZVS,一直不知道原因是什么,是因为死区时间内的震荡导致上下管直通了吗?图为350输入,黄色为上管驱动波形,绿色是上管的Vds,开关频率136KHZ,准备做的是1000W输出86V,输出电流12A |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 也在思考是不是死区时间震荡引起的直通,还是有其它原因吗?我之前做轻载,半载是没有问题的,半载以上到满载MOS管温度都比较高,上管都能实现ZVS,之前也做了一个750W的 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 您觉得有哪些可能造成上下管直通了呢,您刚刚说的那个驱动芯片坏了的情况也是满载的情况出现的,还需要提供哪些条件哇,已经被这个情况折磨好久了,呜呜呜
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 把驱动电阻放大一倍,输入电压上到350V,再试一下看看。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 刚刚在重新焊驱动板子 ,您好,您是指把 这俩电阻都要扩大嘛?下面是导通电阻,上面是关断电阻
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 昨天焊的驱动电路,今天在320V测试了一下,黄色上管驱动,绿色是下管,蓝色是下管Vds,紫色是谐振电流波形。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 您好,您看看这驱动波形还是有点抖动,这时候MOS管也实现了ZVS,管子温度35°,不敢上电了
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 35°壳温算是比较低的了,加个风扇继续上。不要怕嘛。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 您好,主要是炸管子有阴影了。。。我分别测了上下管的波形,发现下管驱动波形震荡特别大,黄色为下管驱动波形,蓝色为上管的,绿色是Vds,这个震荡影响大嘛?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 死区时间是350ns,MOS管体二极管回复时间是230ns
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 感谢陈工,顺利完成了满载的实验!,330V之后管子温度变化不大,之后就是40°,没有太大温升了,陈工那个驱动负电压尖峰是为什么有那种震荡,我一直不敢上电,多亏陈工给我打气!
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 您是用热电偶还是测温仪测温的呀,方便分享一下仪器型号吗?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 您好,陈工,我用的是实验室的测温*,是FLIR E40 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 您好陈工,最近在做闭环实验,前几天调试补偿值的时候下管驱动波形很正常,今天调试的时候,在160V输入的时候下管驱动波形就震荡了,之前没有出现过,我测试了驱动芯片,驱动电阻都是正常的啊,不理解。绿色是下管驱动波形,蓝色是二极管两端电压,紫色是二极管的电流。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 很玄学。。。,晚上在上电又好了,下管驱动不震荡了,奇怪。。。。。,但是在330V输入的时候,电压刚稳定到86,程序就报错了,害 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 陈工,您好,这闭环驱动程序报错,驱动电阻还调大吗?,现在驱动电阻是20 18欧姆,之前小于这个补偿值的时候,330V并不会报错,现在这个补偿值刚刚好,但是程序会报错。。。唉,尝试了好几次,程序错误代码都是154,是干扰。很难理解330V输入电压,电压刚稳定86V,频率开始上升,程序就报错。。。。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 感谢陈工帮忙哇,陈工您好,我在调试驱动电阻,发现有效果,现在大概是在390V输入运行一会的时候会报错,电压环也是没问题的,可以稳在86V了,会继续调试的,这个ZCS中二极管的电流电压波形惨不忍睹。。。,电压波形震荡归结于寄生参数的影响,电流波形也是这个原因吗?我想应该也和轻载的时候 功率低有关吧,这是250W的时候,还没做更高的功率,师兄征用了实验台,暂时得不到验证。(图片是前几天驱动波形抖动的,昨天晚上做的忘记截图了。。电流波形都是差不多的)
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 您详细描述一下,您的拓扑,遇到的问题,疑惑吧。辅以相应波形,大家才好分析。
数字LLC的话,驱动波形出问题,大概率是硬件的原因。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 陈工您好,我做的是半桥LLC,变压器是可以切换,输入满载功率是1000W,谐振频率是200KHZ,恒压半载以下是122KHZ,恒压半载以上是142KHZ,输出是86V,电流12A。半载以下测试的ZCS波形中,电流波形很丑。。。刚刚在半载分别测试以142KHZ和122KHZ测试了,发现144KHZ的时候副边二极管波形很平滑,122KHZ的就很丑,为什么低频率就会这样?
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黄绿分别为上下管驱动波形,蓝色为二极管的电压,紫色是二极管的电流波形 ...
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黄绿是驱动波形,蓝色是二极管电压波形,紫色是二极管电流波形
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 二极管电压波形震荡没有随着频率的改变而变好,我看别人的二极管电压也震荡,比我这个好看多了
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 144kHz 与 122kHz对应的负载不同,您死区时间是固定的。
1、122kHz 下的副边二极管的电流,上面叠加了高频的谐波电流。可能原因如下:
1)LLC变压器副边寄生电容与整流二极管布线发生了谐振。
2)122kHz工作在半载的情况下,原边开关管会不会工作在ZCS区。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 陈工您好,原边在122KHZ的时候实现了ZVS呀,二极管电压波形原因和这个一样吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 从波形来看,的确是实现了软开关。
您整流二极管的结电荷是不是太大呢?有没有条件换一个结电容小的试试?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 陈工您好,二极管结电容是150PF,跟MOS的Coss大小一样,MOS 类型STW25NM60ND 型 MOSFET,二极管类型Microsemi 公司的 APT30S20B(G)型
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