 |  | | | | 英飞凌可供申请的样片种类有限，可供我选择的，对我做逆变器有帮助的有以下三种：
1、推挽驱动芯片：2EDN752x/2EDN852x
是个双路低端MOS管驱动芯片，这两个型号的差别只有输出同相还是反相。
选择它是因为外围电路简单，两路低端正好可以用在推挽驱动上。
而且具有使能端，电路只要一出故障，我可以通过DSP或者硬件电路关闭使能，使电路立刻停止工作，保证逆变器安全的运行。
2、低压大电流MOS管：IRFB7430
适用于前级推挽MOS管，由于输入只有12V，该管能承受40V的压降，刚好合适。
输入阻抗很低，只有1mOhm。拟设计200W的逆变器，因此前级电流17A左右，考虑效率，即使达到20A，那么该管的导通损耗仅有0.4W，无须加散热片或者加很小的散热片，简化系统的热设计。前级推挽方案，因此逆变器需要两个。
3、高压小电流MOS管：IPD80R280P7
适用于后级全桥MOS管，后级经过高频隔离变压器的整流、滤波之后，直流母线电压至少350V至400V，考虑电压尖峰等因素，采用该MOS管足矣。该MOS管耐压800V，导通电阻为0.28Ohm，最高电流17A。后级全桥方案，因此需要四个。 |
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| |  | | | | | | | 你好，样片我们会在下周开始寄出，如果有任何问题，可联系QQ973919678 |
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| | | | | | | | | | | 多谢关注，可以试着申请样片了解看看，如果已经申请完，我们会下周寄出 |
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| |  | | | | | 样片已经收到，但是第二个MOS管：IRFB7430没有货。
所以我只能换成其他的性能接近的低压大电流MOS管：IRF3710。
IRF3710导通阻抗是23mOhm，比IRFB7430大了23倍，但是也没办法。
最大DS电压是100V，最大电流为57A。
IR公司已经被英飞凌收购了，所以IRF3710应该也算是英飞凌的。
至此，该作品用到的英飞凌的产品有：
1、2EDN752x/2EDN852x 推挽驱动芯片；
2、IRF3710 前级推挽用管；
3、IR2110S 后级推挽驱动芯片；
4、IPD80R280P7 后级全桥用管；
5、HFA08TB120 超快恢复高压二极管，用于后级整流。 |
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| | | | | 作品的原理图基本已设计好，现在开始按照模块，介绍一下每个模块实现的功能、设计思想、参数选择等方面的内容。不定期跟帖。
1、电源和地的处理
逆变器的电源和地较多，主要分为控制地和功率地。
经过设计与考量，电源和地主要分为3组，前两组为功率地，最后一组为控制地
第一组：VIN和FGND，分别连接12V蓄电池的正极B+和负极B-，FGND顾名思义，Front GND；
第二组：R12V和RGND，即经过高频变压器隔离后，后级供给全桥驱动芯片等芯片的电源和地，顾名思义，RGND代表Rear GND；
第三组：3V3和GND，即控制电源和控制地，DSP TMS320F28027作为主控芯片，采用3V3和GND。DSP芯片上又细分为数字地和模拟地，用0欧电阻或者小电感或者磁珠隔离开来。此外，这组电源和地，还提供给信号调理电路，比如说运放之类的使用。 |
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| | | | | | | 不知为啥，一插入图片，输入法就死活切换不到中文。用搜狗拼音输入法，在txt里面打出来是中文，但是一到这个窗口就只能输入英文。 |
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| | | | | 今天PCB已经几乎完成了，再仔细检查一下就去做板子啦。
下面放上PCB图。
2D正面:
2D背面:
3D正面:
3D背面:
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