之前没怎么用过碳化硅的器件，所以先用TO247-3封装的SCT3040KL测试下双脉冲，了解下评估版的驱动性能和碳化硅器件的开关特性，为应用提供参考数据。
SCT3040KL的规格书中给出的Vgs电压范围是+22V/-4V，推荐的Vgs电压是+18V/0V，考虑到关断的可靠性，选取的Vgs电压为+18V/-2V。
对于1200V的碳化硅器件，典型的应用电压等级为800V，而且规格书中的一些参数均是在20A下的情况，因此选用800V/20A的电压电流规格对器件进行双脉冲测试。评估板中的上管使用1200V的碳化硅二极管，因此只需要为下管提供双脉冲驱动信号，测试结果如下：
CH1：Vgs（3V/div），CH2：Is（4A/div），CH4：Vds（110V/div），M1：Vds*Is
CH1：Vgs（3V/div）驱动开通时间235ns左右，无过冲，有明显的米勒平台，驱动电阻还可以调小点，CH2：Is（4A/div），CH4：Vds（110V/div）电压从800V平滑下降到0V，无明显震荡和负压，M1：Vds*Is，零电流开启，开通损耗也很小。
CH1：Vgs（3V/div）驱动关断时间90ns左右，有一定米勒平台和较小震荡，CH2：Is（4A/div）电流从20A下降到0A的速度不是很线性，对关断损耗会有影响，CH4：Vds（110V/div）电压从0V上升到800V后有一定震荡，峰值大约900V，M1：Vds*Is因为双脉冲有一定的软关特性，所以关断损耗不是特别大。
CH1：Vgs（3V/div）驱动开通时间280ns左右，比第一个开启的大，而且在米勒平台处有较大过冲和震荡，开启过程电流从0A迅速上升到20A，对驱动也会有一定的干扰，CH2：Is（4A/div）电流在器件开启过程中从0A迅速上升到20A，并有较大过冲和震荡，CH4：Vds（110V/div）大电流的开启过程，电压下降并不是很平滑，在下降过程有多次震荡情况，M1：Vds*Is，双脉冲的大电流硬开特性使得开通损耗比关断损耗大得多，会受驱动开通时间、电压电流的速度和重叠情况影响。
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