|
|
| | | | | | | | | 加速放电,不就是导通到地,阻抗理论为0,不就是把电全放光的意思呗
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | 加速导通,不觉得,加速导通理论上直接连接就可以了,不需要这个东西,这个二极管有其它作用
|
|
|
| | | | | | | | | | | 这个电路确认有用的,可以加速MOS管G的电荷泄放,让PWM的下降沿变陡峭
|
|
|
| | | | | | | | | Q1是个射随器,能提供大电流,电流大,电容充电速度就快,所以加速导通,加速放电也是,Q2也是个射随器,R01提供的基极电流,这样Q的栅极电容就能快速对地放电,也就加速了。只是这个电路是有问题的,V1电压才3.3V,而Q1是没电压增益的,所以Q的栅极电压会非常低,才不到2V,一般的高压MOS阈值4~6V,所以没法驱动Q导通。
|
|
|
| | | | | | | | | | | 有水平,说白了就是利用了三极管放电电流的特性 从而加速了放电。。。
D1为什么能加速导通 你还没说呢
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | D1能加速导通?D1没放大能力呢,不过是给充电电流提供路径而已啊,看你怎么理解那段文字吧,我觉得加速导通很像是你自己说的呢 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 分析电路功能,D1应该是保护芯片驱动引脚设置的,防止关断时候的汇电流,直接流入芯片引脚,保护芯片用的
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 现在这个漏电影响到正常使用了吗?
后面的IC因为这个漏电工作了?
如果工作电流非常小,可以考虑用SGM3175一类的电子开关,电路简单得多。
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 不一定 要工作才重视 考虑嘛 比如省电 不是也要考虑?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 漏电如果是远远小于1uA,也需要考虑吗?
实测一下漏电流再考虑需不需要换MOS吧
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 怎么会远远小于1uA MOS规格书 我看了下 IDSS都是在1uA以上 |
|
|
|
| | YTDFWANGWEI- 积分:109912
- |
- 主题:142
- |
- 帖子:45931
积分:109912 版主 | | | D1是为了配合Q2才增加的,如果去掉D1及Q2,你可以分析一下放电回路,然后跟现在电路比较一下就知道为什么会加速了。
|
|
|
|
|
|