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自举电路的设计

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hiha
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LV6
高级工程师
  • 2021-11-28 14:49:46
最近使用si8233这款驱动芯片,在调试过程中遇到了一些小问题,在网上也寻求了其他工程师的帮助,但是都没有找到我的问题所在,最后我自己发现了问题,在此分享一下这款芯片的使用方法。网上很多资料也存在一些问题,在此加以更正。
hiha
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LV6
高级工程师
  • 2021-11-28 14:53:06
 
首先是自举电路两个重要的参数,自举电容和自举二极管。自举电容主要考虑其容值的大小、耐压等级、电容类型,后两者选择较为简单;耐压等级根据驱动电压的大小进行选择,电容材质一般选择瓷电容,需要计算的是自举电容的大小,下面进行介绍。

hiha
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LV6
高级工程师
  • 2021-11-28 14:54:46
 
自举电容的计算其实非常简单,计算的原则就是在满足高端MOS导通的条件下,自举电容电压仍然能够维持在10V以上,然后就是根据这一原则计算电容值,计算公式如下。
hunter4051
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LV8
副总工程师
  • 2021-11-29 09:02:07
 
期待楼主后面精彩继续。。。
hiha
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高级工程师
  • 2021-11-29 11:07:45
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对于某些资料,我认为主要有两处错误,其中   为所取的裕量,                                           ;很多资料将MOS管Qg参数再取两倍,,                                              ;此外,                                   ,                          ,对于变频控制,                                                                    

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  • 2021-11-29 11:12:40
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对于自举二极管的选取,主要

hiha
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hiha
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  • 2021-11-29 11:42:49
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此外,与MOS管串联的驱动电阻,可以通过计算得出,同样,某些工程师唯经验论,要么取10Ω要么取20Ω,这么选取确实有道理,但是不够准确,缺乏理论支撑,下面介绍驱动电阻如何选取。有空更~

ggikahab
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